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K4D261638E
128M DDR SDRAM
128Mbit的DDR SDRAM
2米x 16Bit的×4银行
双数据速率同步DRAM
修订版1.2
2003年7月
三星电子公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
- 1 -
修订版1.2 ( 2003年7月)
K4D261638E
修订历史
版本1.2 ( 2003年7月21日)
增加K4D261638E - TC2A的规范
128M DDR SDRAM
版本1.1 ( 2003年1月16日)
更改ICC6从2mA至4毫安
更改K4D261638E - TC33的ICC5从260毫安到320毫安
更改K4D261638E - TC36的ICC5在250mA至310毫安
更改K4D261638E - TC40的ICC5从230毫安到290毫安
更改K4D261638E - TC50的ICC5从210毫安到270毫安
版本1.0 ( 2002年12月24日)
定义DC规格
K4D261638E - TC33 / 36 tRC的改变,从13tCK到15tCK
K4D261638E - TC33 / 36变更tRFC从15tCK到17tCK
K4D261638E - TC33 / 36变更tRAS的从9tCK到10tCK
K4D261638E - TC33 / 36变更激进党从4tCK到5tCK
K4D261638E - TC33 / 36变更tDAL从7tCK到8tCK
版本0.3 ( 2002年12月3日) -
目标规格
更正错字
版本0.2 ( 2002年11月12日) -
目标规格
K4D261638E - TC33 / 36 /40/ 50位1tCK + TIS到3tCK + TIS的改变tPDEX
版本0.1 ( 2002年11月7日) -
目标规格
更改TCK K4D261638E - TC33 (最大) ,从为4ns至10ns的
更改TCK K4D261638E - TC36 (最大) ,从为6ns至10ns的
更正错字
版本0.0 ( 2002年10月28日) -
目标规格
确定的目标规格
- 2 -
修订版1.2 ( 2003年7月)
K4D261638E
2米x 16Bit的×4银行双数据速率同步DRAM
用双向数据选通和DLL
特点
2.5V ±5%电源设备操作电源
用于I / O接口2.5V ±5 %电源
SSTL_2兼容输入/输出
4银行操作
MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟3,4(时钟)
- 。突发长度(2,4和8)
- 。突发类型(顺序&交错)
除了数据& DM所有输入进行采样,正
将系统时钟的边沿
差分时钟输入
无Wrtie -打断读取功能
2 DQS的( 1DQS /字节)
128M DDR SDRAM
数据I /数据选通信号的两边O事务
DLL对齐DQ和DQS转换与时钟转换
边沿对齐的数据&数据选通输出
中心对齐数据&数据选通输入
DM只写屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期( 4K周期)
66pin TSOP -II
最大时钟频率高达350MHz的
最大数据传输率可达700Mbps /针
订购信息
产品型号
K4D261638E-TC2A
K4D261638E-TC33
K4D261638E-TC36
K4D261638E-TC40
K4D261638E-TC50
最大频率。
350MHz
300MHz
275MHz
250MHz
200MHz
最大数据速率
700Mbps/pin
600Mbps/pin
550Mbps/pin
500Mbps/pin
400Mbps/pin
SSTL_2
66pin TSOP -II
接口
对于K4D261638E - TC2A , VDD & VDDQ = 2.8V + 0.1V
概述
FOR 2米x 16Bit的×4银行DDR SDRAM
该K4D261638E是134217728位超同步数据速率动态随机存储器组织成4× 2,097,152字由
16位,制造与三星
s高性能CMOS技术。有数据选通同步功能可让
极高的性能高达1.4GB / S /芯片。 I / O事务处理可在时钟周期的两端。范围
的工作频率,可编程脉冲串长度和可编程延迟允许该设备可用于各种有用
高性能存储系统的应用程序。
- 3 -
修订版1.2 ( 2003年7月)
K4D261638E
引脚配置
( TOP VIEW )
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
128M DDR SDRAM
66脚TSOP ( II )
( 400mil X 875mil )
(0.65毫米针距)
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
引脚说明
CK , CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L( U) DQS
L( U) DM
俄罗斯足协
差分时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
数据选通
数据屏蔽
留作将来使用
BA
0
, BA
1
A
0
~A
11
DQ
0
? DQ
15
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
银行选择地址
地址输入
数据输入/输出
动力
电源DQ
s
地面DQ
s
无连接
- 4 -
修订版1.2 ( 2003年7月)
K4D261638E
输入/输出功能描述
符号
CK , CK * 1
输入
TYPE
128M DDR SDRAM
功能
差分系统时钟输入。
所有的输入被采样的时钟以外的上升沿
DQ
s和DM
看得太采样的DQS的两边。
激活CK信号为高电平时,并停用CK信号
当低。通过取消激活时钟, CKE低表明电源
断模式或自刷新模式。
CS使指令译码器时低,禁用的COM
命令解码器高时。当指令译码器被禁用,
新的命令将被忽略,但以前的行动仍在继续。
锁存行地址在CK与正边沿
RAS低。让行存取&预充电。
锁存器地址栏上的CK与正边沿
CAS低。启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
数据输入和输出都与DQS的两边缘同步。
对于x16的, LDQS对应于DQ0 - DQ7数据; UDQS
对应于DQ8 - DQ15数据。
在掩模数据。数据在通过DM延迟= 0时,屏蔽是DM
高突发写入。对于x16的, LDM对应于数据上
DQ0 - DQ7 ; UDM correspons对DQ8 - DQ15数据。
数据输入/输出复用在相同的针。
选择哪家银行是活跃。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA
0
RA
11
,列地址: CA
0
CA
8
.
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲,以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
参考电压输入端,用于SSTL接口。
该引脚被建议将左"No connection"设备上
CKE
输入
CS
输入
RAS
CAS
WE
输入
输入
输入
LDQS , UDQS
输入/输出
LDM , UDM
DQ
0
? DQ
15
BA
0
, BA
1
A
0
~ A
11
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
V
REF
NC / RFU
输入
输入/输出
输入
输入
电源
电源
电源
无连接/
留作将来使用
* 1:用于差分时钟的定时基准点是CK和CK的交叉点。
对于使用单端时钟的任何应用程序,应用V
REF
以CK引脚。
- 5 -
修订版1.2 ( 2003年7月)
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