K4C5608/1638C
修订历史
版本0.0 (10月/ 5/ 2001)
- 首次发行
0.1版(12月/ 15/ 2001)
- 产品名称更改为网络DRAM
版本0.2 (月/ 21/ 2002)
-
M-版本重命名为C-版
-
指定的直流工作条件值
-
加电顺序和断电( CL = 4 )时序图
版本0.3 (三月/ 23/ 2002)
- 产品名称更改为网络RAM
-
加入速度斌( 366Mbps /针, 183MHz )
版本0.4 (五月/ 01 / 2002)
- 产品名称更改为网络DRAM
-
我重新定义
DD1S
, I
DD5
在DC特性
0.5版(11月/ 23/ 2002)
- 更新目前的规范。值
版本0.6 (四月/ 9/ 2003)
从2毫安10页-Changed IDD2P价值3毫安。
DQ / DQS的-Changed电容
单位:PF
民
电容( DQ / DQS )
4.0
从
最大
6.0
民
3.0
To
最大
6.0
256Mb的网络DRAM
版本0.7 ( 8月31日/ 2003 )
-Changed TCK最大如下图所示
从
D4
8.5
DA
12
D3
12
D4
7.5
To
DA
7.5
D3
7.5
- 2 -
REV 。 2003年八月0.7
K4C5608/1638C
一般信息
组织
256Mx8
256Mx16
D4 ( 400Mbps的)
K4C560838C-TCD4
K4C561638C-TCD4
DA ( 366Mbps )
K4C560838C-TCDA
K4C561638C-TCDA
D3 ( 333Mbps )
256Mb的网络DRAM
K4C560838C-TCD3
K4C561638C-TCD3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
K 4 XX XX X X X - X X XX
内存
DRAM
温度&电源
小分类
密度和刷新
组织
银行
1.三星内存:
K
2. DRAM :
4
3.小分类
C
:
网络DRAM
4.密度&刷新
56
:
256M 8K / 64ms的
5.组织
08
:
x8
16
:
x16
8.版本
C
:
第4代
9.包
T
:
TSOP II ( 400mil X 875mil )
10.温度&电源
C :
(商业,普通)
11.速度
D4
:
400bps /针(为200MHz , CL = 4 )
DA
:
366bps /销( 183MHz ,CL = 4)的
D3
:
333bps /销( 167MHz ,CL = 4)的
包
VERSION
接口( VDD & VDDQ )
速度
6.银行
3
:
4银行
7.接口( VDD & VDDQ )
8 : SSTL - 2 ( 2.5V , 2.5V )
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REV 。 2003年八月0.7
K4C5608/1638C
主要特点
项
t
CK
时钟周期时间(min 。 )
t
RC
随机读/写周期时间(分钟)
t
RAC
随机存取时间(最大值)。
I
DD1S
工作电流(单银行) (最大)
I
DD2P
掉电电流(最大值)。
I
DD6
自刷新电流(最大值)。
CL=3
CL=4
256Mb的网络DRAM
K4C560838/1638C-TC
D4 ( 400Mbps的)
5.5ns
5ns
25ns
22ns
310mA
2mA
3mA
DA ( 366Mbps )
6ns
5.5ns
27.5ns
24ns
300mA
2mA
3mA
D3 ( 333Mbps )
6.5ns
6ns
30ns
26ns
290mA
2mA
3mA
完全同步操作
双倍数据速率( DDR )
数据输入/输出与DQS的两个边缘同步。
差分时钟( CK和CK )输入
CS , FN和所有地址输入信号进行采样,在CK的上升沿。
输出数据(DQS和DQS )是参照CK和CK的交叉点。
快速的时钟周期为5ns最小时钟时间: 200MHz的最大
数据:为400Mbps /针最大
四路独立的银行操作
快速周期和短Iatency
双向数据选通信号
分布式自动刷新周期7.8us
自刷新
·掉电模式
变量写入长度控制
写延时= CAS延迟 - 1
可编程CAS延迟和突发长度
CAS延时= 3 , 4
突发长度= 2 , 4
组织K4C561638C -TC : 4,194,304字×4银行×16
K4C560838C -TC : 8,388,608字×4银行×8
电源电压VDD : 2.5 ± 0.15V
VDDQ : 2.5 ± 0.15V
2.5V CMOS I / O符合SSTL - 2 (强/标准/弱/最弱)
包400X875mil , 66pin TSOP II , 0.65毫米引脚间距( TSOP II 66 -P - 400-0.65 )
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REV 。 2003年八月0.7