K4B1G04(08/16)46C

1GB DDR3 SDRAM

1GB C-死DDR3 SDRAM规格

修订版1.0

2007年6月

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分页： 63 1

1.0版2007年6月

K4B1G04(08/16)46C

1GB DDR3 SDRAM

历史

- 修订版0.0发布

- 删除800Mbps的速度5-5-5

- 定时速率等级的参数（ 13.0 ）

- 输入/输出电容（ 11.0 ）

- 修订版1.0规范发布。

修订历史

调整

0.0

0.1

1.0

MONTH

一月

六月

六月

YEAR

2007

2007

2007

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1.0版2007年6月

K4B1G04(08/16)46C

1GB DDR3 SDRAM

目录

1.0订购信息....................................................................................................................................................4

2.0主要特点.................................................................................................................................................................4

3.0封装引脚/机械尺寸&地址.......................................... .................................................. 0.5

3.1 X4封装引脚（顶视图） ： 94ball FBGA封装（ 78balls +支持球16球）

..........................................5

3.2 X8封装引脚（顶视图） ： 94ball FBGA封装（ 78balls +支持球16球）

..........................................6

3.3 X16封装引脚（顶视图） ： 112ball FBGA封装（ 96balls +支持球16球）

......................................7

3.4 FBGA封装尺寸（ X4）

...................................................................................................................................8

3.5 FBGA封装尺寸（ X8 ）

...................................................................................................................................9

3.6 FBGA封装尺寸（ X16 ）

...............................................................................................................................10

4.0输入/输出功能描述........................................................................................................................11

5.0 DDR3 SDRAM地址.........................................................................................................................................12

6.0绝对最大额定值.......................................................................................................................................14

6.1绝对最大额定直流电压

................................................................................................................................14

6.2 DRAM元件工作温度范围

....................................................................................................14

7.0交流&直流工作条件.................................................................................................................................14

7.1建议的直流工作条件（ SSTL_1.5 ）

.................................................................................................14

8.0交流&直流输入电平测量.........................................................................................................................15

8.1交流和直流逻辑输入电平为单端信号

.............................................................................................15

8.2差分摆幅要求differntial信号

................................................................................................16

差分信号8.2.1单端的要求

............................................................................................17

8.3交流和直流逻辑电平输入差分信号

.................................................................................................18

8.4差分输入交叉点电压

.......................................................................................................................18

8.5压摆率的定义为单端输入信号

...................................................................................................19

8.5.1输入转换率的输入建立时间（ TIS）和数据建立时间（ TDS ）

...............................................................19

8.5.2输入转换率的输入保持时间（ TIH ）和数据保持时间（ TDH ）

..................................................................19

对于差分输入信号8.6压摆率的定义

......................................................................................................19

9.0交流和直流输出电平测量.................................................................................................................. 20

9.1单端交流和直流输出电平

....................................................................................................................20

9.2差分交流和直流输出电平

.......................................................................................................................20

9.3.Single端输出压摆率

................................................................................................................................ 21

9.4差分输出摆率

....................................................................................................................................21

9.5参考负载的AC时序和输出摆率

................................................................................................22

9.6过冲/下冲规格

........................................................................................................................23

9.6.1地址和控制过冲和下冲规格

.......................................................................23

9.6.2时钟，数据，选通和面具过冲和下冲规格

..........................................................23

9.7 34欧姆输出驱动器的直流电气特性

..................................................................................................24

9.7.1输出驱动温度和电压灵敏度

............................................................................................25

9.8片上端接（ ODT）水平和IV特性

..........................................................................................25

9.8.1 ODT DC电气特性

.....................................................................................................................26

9.8.2 ODT温度和电压灵敏度

......................................................................................................... 27

9.9 ODT时序定义

............................................................................................................................................ 28

9.9.1测试负载的ODT计时

............................................................................................................................... 28

9.9.2 ODT时序定义

......................................................................................................................................28

10.0独立同规格参数和测试条件........................................... .................................................. ..31

10.1 IDD测量条件

.................................................................................................................................31

10.2 IDD规格

..................................................................................................................................................41

11.0输入/输出电容........................................................................................................................................43

12.0电气特性和AC时序DDR3-800到DDR3-1600 .................................... ............................ 44

12.1时钟规格

.................................................................................................................................................44

12.2时钟抖动规格

........................................................................................................................................45

通过器件密度12.3刷新参数

...................................................................................................................46

12.4标准箱的速度

..............................................................................................................................................46

由速度等级13.0时序参数....................................................................................................................... 48

第63 3

1.0版2007年6月

K4B1G04(08/16)46C

1.0订购信息

【表1】三星DDR3订购信息表

组织

256Mx4

128Mx8

64Mx16

DDR3-800 （ 6-6-6 ）

K4B1G0446C-ZCF7

K4B1G0846C-ZCF7

K4B1G1646C-ZCF7

DDR3-1066 （ 7-7-7 / 8-8-8 ）

K4B1G0446C-CF8/G8

K4B1G0846C-CF8/G8

K4B1G1646C-CF8/G8

1GB DDR3 SDRAM

DDR3-1333 （ 8-8-8 / 9-9-9 ）

K4B1G0446C-ZCG9/H9

K4B1G0846C-ZCG9/H9

K4B1G1646C-ZCG9/H9

包

94 FBGA

94 FBGA

112 FBGA

注意：

1.速度斌是为了CL- tRCD的-TRP的。

2. X4 / X8 / X16包 - 包括16支球

2.0主要特点

[表2 ] 1GB DDR3 C-模速度垃圾桶

速度

TCK （分钟）

CAS延迟

的tRCD （MIN）

激进党（分钟）

tRAS的（分）

的tRC （分钟）

DDR3-800

6-6-6

2.5

6

15

15

37.5

52.5

7

13.125

13.125

37.5

50.625

7-7-7

1.875

8

15

15

37.5

52.5

8

12

12

36

48

DDR3-1066

8-8-8

8-8-8

1.5

9

13.5

13.5

36

49.5

DDR3-1333

9-9-9

单位

ns

TCK

ns

ns

ns

ns

JEDEC标准的1.5V ± 0.075V电源

VDDQ = 1.5V ± 0.075V

400 MHz的F

CK

为800MB /秒/针， 533 F

CK

为1066MB /秒/针，

667 F

CK

为1333Mb /秒/针

8银行

中科院发布

可编程CAS延时： 5，6， 7，8， 9，10， （ 11，用于高密度

只）

可编程的附加延迟： 0 ， CL -2或CL- 1的时钟

可编程CAS延迟写入（CWL ） = 5 （ DDR3-800 ） ， 6

（ DDR3-1066 ） ， 7 （ DDR3-1333 ）

8位预取

突发长度： 8 （交错，没有任何限制，顺序与出发

地址为“ 000”只） ， 4 TCCD = 4不允许无缝

读或写[无论是在使用A12或MRS飞]

双向差分数据选通

内部（个体经营）校准：通过ZQ引脚内部自校准

（ RZQ ：240欧姆± 1％）的

片上终端使用ODT引脚

平均更新周期7.8us时于T低

例

85°C ，在3.9us

85°C <牛逼

例

< 95 ×C

异步复位

封装： 94球FBGA - X4 / X8 （含16支球）

112球FBGA - X16 （有16支球）

所有无铅产品符合RoHS指令的

注： 1，功能描述包含了时序规范

本数据手册对操作的DLL启用模式。

2. 1066Mbps CL7不具有与背病房兼容性

800Mbps的CL5

1GB的DDR3 SDRAM C-模具的结构为32兆×4 / 16Mbit的×8 /

的8Mbit ×16个I / O X 8banks设备。该同步装置实现高

高达1333Mb /秒/针的速度双倍数据率传输速率（ DDR3-

1333 ）的一般应用。

该芯片的设计符合以下关键DDR3 SDRAM为特色的

Tures的，如贴CAS ，可编程CWL ，内部（自我）的校准

化，在使用ODT引脚和异步复位片内终结。

所有的控制和地址输入端的一对克斯特同步

应受供应差分时钟。输入被锁定在昼夜温差的交叉点

髓鞘时钟（ CK上升沿和CK下降） 。所有的I / O与同步

对双向选通（DQS和DQS ）在源同步fash-

离子。地址总线用于传送行，列和行地址

在一个RAS / CAS复样式的信息。在DDR3器件工作

用单1.5V ± 0.075V电源和1.5V ± 0.075V VDDQ 。

1GB的DDR3器件在94ball FBGAs （ X4 / X8）和112ball可用

FBGA(x16)

注：本数据手册是全DDR3规格的抽象，并不包括在“ DDR3 SDRAM器件的描述的共同特征

操作&时序图“ 。

第63 4

1.0版2007年6月

K4B1G04(08/16)46C

3.0封装引脚/机械尺寸&地址

1GB DDR3 SDRAM

3.1 X4封装引脚（顶视图） ： 94ball FBGA封装

（ 78balls + 16球支持球）

1

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

T

U

V

W

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

VSS

VSS

VDDQ

VSSQ

VREFDQ

NC

ODT

NC

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

VDD

VSSQ

DQ2

NC

VDDQ

VSS

VDD

CS

BA0

A3

A5

A7

RESET

NC

DQ0

的DQ

的DQ

NC

RAS

CAS

WE

BA2

A0

A2

A9

A13

NC

DM

DQ1

VDD

NC

CK

CK

A10/AP

A15

A12/BC

A1

A11

NC

VSS

VSSQ

DQ3

VSS

NC

VSS

VDD

ZQ

VREFCA

BA1

A4

A6

A8

VDD

VDDQ

VSSQ

VSSQ

VDDQ

NC

CKE

NC

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

NC

NC

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

T

NC

2

NC

3

4

NC

5

6

7

8

NC

9

10

NC

11

NC

注1 ： A1，A2， A4，A8， A10，A11， D1， D11 ，T1， T11， W1，W2 ，W4， W8， W10和W11球表示的机械支撑的球没有内部连接

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10 11

球的位置（ X4）

A

B

C

填充球

球未填充

D

E

F

G

H

顶视图

（参阅通过包球）

J

K

L

M

N

P

R

T

U

V

W

第63 5

1.0版2007年6月