焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
P沟道JFET的
J174
J175
J176
J177
SST174
SST175
SST176
SST177
产品概述
产品型号
J/SST174
J/SST175
J/SST176
J/SST177
V
GS （ OFF ）
(V)
5至10
3至6
1至4
0.8 2.25
r
DS （ ON）
最大值（W）的
85
125
250
300
I
D（关闭）
典型值（PA ）
–10
–10
–10
–10
t
ON
典型值（ NS ）
25
25
25
25
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： J174 <85
W
快速切换-T
ON
： 25纳秒
低漏： -10 pA的
低电容： 5 pF的
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
描述
在J / SST174系列由P沟道模拟开关
设计为提供低导通电阻和快速切换。这
系列简化了串并联切换应用程序时，
结合Siliconix公司的J / SST111系列。
在TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装提供了一种低成本的
选项，而TO- 236 （ SOT -23 ）封装提供
表面贴装能力。无论是J和SST系列
在磁带和卷轴自动组装可用（见
包装信息） 。
TO-236
(SOT-23)
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
G
2
S
S
3
2
1
3
G
顶视图
顶视图
J174
J175
J176
J177
SST174 （S4） *
SST175 （S5） *
SST176 （S6） *
SST177 （S7） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
9-1
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST174和J / SST175规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST174
J/SST175
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
5
–20
10
–135
1
30
3
–7
6
–70
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
85
–0.7
125
W
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
85
125
mS
mS
W
开关
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
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9-2
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
Vishay Siliconix公司
对于j / SST176和J / SST177规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
J/SST176
J/SST177
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= 1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= -15 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
T
A
= 125_C
V
GS
= 0 V, V
DS
= –0.1 V
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
45
30
1
–2
4
–35
1
30
0.8
–1.5
2.25
–20
1
V
mA
0.01
5
0.01
–0.01
–5
nA
–1
–1
250
–0.7
300
W
V
动态
共源
正向跨导
共源输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= -15 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 0 V, V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DG
= -10 V，I
D
= -1毫安
F = 1千赫
20
5
20
pF
nV/
√Hz的
4.5
20
250
300
mS
mS
W
开关
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ L）
= 0 V, V
GS （H ）
= 10 V
见开关电路
10
15
10
20
PSCIA
ns
打开-O FF时间
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
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焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
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典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
DSS
160
r
DS
120
–60
–80
g
fs
- 正向跨导（MS ）
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
15
g
fs
12
g
os
150
–100
正向跨导和输出电导
与门源截止电压
18
g
fs
和G
os
@ V
DS
= –15 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
200
克操作系统 - 输出电导（
m
S)
250
80
–40
9
100
40
r
DS
@ I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
–20
6
50
0
0
2
4
6
8
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
3
0
2
4
6
8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
10
输出特性
–25
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–20
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
–15
1.0 V
–10
1.5 V
–5
2.0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
V
GS
= 0 V
250
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
200
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
150
3V
100
5V
50
0
–1
–10
I
D
- 漏电流（mA ）
–100
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
–2
V
GS
= 0 V
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1.5 V
–1.6
I D - 漏电流（mA ）
0.5 V
1.0 V
–1.2
2.0 V
–0.8
240
300
导通电阻与温度
I
D
= -1毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
180
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
3V
120
5V
–0.4
V
GS （ OFF ）
= 3 V
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
60
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
V
DS
- 漏源电压（ V）
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T
A
- 温度（ _C ）
文档编号： 70257
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焦耳/ SST174 /一百七十六分之一百七十五/ 177系列
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典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通开关
50
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= -10 V ，R
G
= 220
W
V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
40
16
5V
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
30
12
t
D（关闭）
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
8
5V
4
V
DD
= –10 V, V
GS （H ）
= 10 V, V
GS （ L）
= 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
–3
–6
–9
–12
–15
20
t
f
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
关断开关
t
ON
@ I
D
= -5毫安
t
ON
@ I
D
= -10毫安
20
10
t
r
@ I
D
= -5毫安
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
I
D
- 漏电流（mA ）
电容与栅源电压
30
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
24
I G - 栅极漏
电容（pF）
100 nA的
10 nA的
栅极漏电流
I
D
= -1毫安
= 10毫安
1 nA的
T
A
= 125_C
I
GSS
@ 125_C
18
C
国际空间站
12
C
RSS
6
100 pA的
= 10毫安
10 pA的
T
A
= 25_C
= 1毫安
I
GSS
@ 25_C
1 pA的
0
0
4
8
12
16
20
0.1帕
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
传输特性
–40
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–32
I D - 漏电流（mA ）
Hz
V
DS
= –15 V
100
噪声电压与频率的关系
I
D
= -0.1毫安
恩 - 噪声电压内华达州/
–24
T
A
= –55_C
= 1毫安
10
–16
25_C
–8
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
= –10 V
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70257
S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01
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