焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

N沟道JFET的

J108

J109

J110

产品概述

产品型号

J/SST108

J/SST109

J/SST110

SST108

SST109

SST110

V

GS （ OFF ）

(V)

-3至-10

± 2 ± 6

-0.5 -4

r

DS （ ON）

最大值（W）的

8

I

D（关闭）

典型值（PA ）

20

20

20

t

ON

典型值（ NS ）

4

4

4

12

18

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： J108 <8

W

快速切换-T

ON

： 4纳秒

低泄漏： 20 pA的

低电容： 11 pF的

低插入损耗

好处

D

D

D

D

D

低电压错误

高速模拟电路的性能

可以忽略不计“关错误”出色的精度

良好的频率响应

消除了额外的缓冲

应用

D

D

D

D

D

模拟开关

菜刀

采样和保持

通常情况下“开”开关

限流

描述

在J / SST108系列的设计与高性能

模拟开关记的应用程序。它具有低

的导通电阻，良好的关断隔离，和快速切换。

该SST108系列包括表面贴装

设备为特色的低R

DS （ ON）

任何TO- 236

（ SOT -23 ） JFET器件。

在TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装提供了一个

低成本的选择。无论是J和SST系列可用

在磁带和卷轴自动组装（见包装

信息） 。

对于包装在同类产品

TO- 206AC （ TO- 52 ） ，见2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三数据

表。

TO-226AA

(TO-92)

TO-236

(SOT-23)

D

1

D

1

3

G

S

2

S

2

G

3

顶视图

SST108 （ I8 ） *

SST109 （ I9 ） *

SST110 （ I0 ） *

*标识代码为TO- 236

顶视图

J108, J109, J110

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-1

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V

栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

焊接温度（

1

/

16

“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C

功耗

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦

笔记

一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C

规格（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

J/SST108

J/SST109

J/SST110

参数

STATIC

栅极 - 源

击穿电压

栅源截止电压

饱和漏极电流

b

门反向电流

门工作电流

排水截止电流

漏源

导通电阻

栅极 - 源

正向电压

符号

测试条件

典型值

a

民

最大

民

最大

民

最大

单位

V

（ BR ） GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

I

GSS

I

G

I

D（关闭）

r

DS （ ON）

V

GS （ F）

I

G

= –1

mA

, V

DS

= 0 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 1

mA

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= –15 V, V

DS

= 0 V

T

A

= 125_C

V

DG

= 10 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 5 V, V

GS

= –10 V

T

A

= 125_C

V

GS

= 0 V, V

DS

v

0.1 V

I

G

= 1毫安， V

DS

= 0 V

–32

–25

–3

80

–10

–25

–2

40

–3

–3

–6

–25

V

–0.5

10

–3

–4

mA

–0.01

–5

–0.01

0.02

1.0

nA

3

3

3

8

0.7

12

18

W

V

动态

共源

正向跨导

共源

输出电导

漏源

导通电阻

共源

输入电容

共源反向

传输电容

等效输入

噪声电压

g

fs

V

DS

= 5 V，I

D

= 10 mA时， F = 1千赫

g

os

r

DS （ ON）

C

国际空间站

V

GS

= 0 V，I

D

= 0毫安中，f = 1千赫

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 0 V

V

GS

= –10 V

F = 1 MHz的

SST

J系列

SST

J系列

60

60

11

11

3.5

15

15

15

nV/

√Hz的

85

85

85

pF

0.6

8

17

mS

12

18

W

C

RSS

e

n

V

DG

= 5 V，I

D

= 10毫安

F = 1千赫

开关

开启时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 1.5 V, V

GS （H ）

= 0 V

见切换图

3

1

4

18

NIP

ns

打开-O FF时间

笔记

一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v300

ms

占空比

v3%.

www.vishay.com

7-2

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

导通电阻和漏电流

与门源截止电压

20

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

1000

I

DSS

@ V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

16

800

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

50

I

DSS

导通电阻与漏电流

T

A

= 25_C

r

DS

@ I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

- 饱和漏极电流（mA ）

40

V

GS （ OFF ）

= –2 V

30

12

r

DS

600

8

I

DSS

400

20

–4 V

10

–8 V

0

1

10

I

D

- 漏电流（mA ）

100

4

200

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

导通电阻与温度

40

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

I

D

= 10毫安

r

DS

改变X 0.7 ％ / _

32

- 漏电流（mA ）

V

GS （ OFF ）

= –2 V

24

80

100

输出特性

V

GS （ OFF ）

= –2 V

60

V

GS

= 0 V

–0.2 V

40

–0.4 V

20

–0.6 V

–0.8 V

16

–4 V

8

–8 V

0

–55

–35

–15

5

25

45

65

85

105

125

I

D

0

0

2

4

6

8

10

T

A

- 温度（ _C ）

V

DS

- 漏源电压（ V）

导通开关

5

t

r

大约独立的我

D

V

DD

= 1.5 V ，R

G

= 50

V

GS （ L）

= –10 V

切换时间（纳秒）

30

关断开关

t

D（关闭）

独立

器件的V

GS （ OFF ）

V

DD

= 1.5 V, V

GS （ L）

= –10 V

24

t

f

18

V

GS

(

OFF ）

= –2 V

4

Switchng时间（纳秒）

3

t

D（上）

@ I

D

= 10毫安

t

D（上）

@ I

D

= 25毫安

2

12

V

GS （ OFF ）

= –8 V

1

t

r

6

t

D（关闭）

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

0

5

10

15

20

25

I

D

- 漏电流（mA ）

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-3

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

电容与栅源电压

100

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

80

电容（pF）

100

V

GS （ OFF ）

= –4 V

g

fs

- 正向跨导（MS ）

跨导主场迎战漏电流

60

T

A

= –55_C

10

25_C

125_C

40

C

国际空间站

20

C

RSS

V

DS

= 5 V

F = 1千赫

1

0

0

–4

–8

–12

–16

–20

1

10

I

D

- 漏电流（mA ）

100

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

正向跨导和输出电导

与门源截止电压

200

g

fs

和G

os

@ V

DS

= 5 V

V

GS

= 0 V ， F = 1千赫

160

40

50

100

噪声电压与频率的关系

V

DS

= 5 V

g

os

- 输出电导（ μS ）

g

fs

- 正向跨导（MS ）

120

g

fs

30

恩 - 噪声电压内华达州/

Hz

10

I

D

= 10毫安

80

g

os

20

40

10

40毫安

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

1

10

100

1k

的F - 频率（Hz）

10 k

100 k

栅极漏电流

100 nA的

T

A

= 125_C

10 nA的

- 栅极泄漏

100

普通门输入导纳

g

ig

5毫安

I

D

= 10毫安

10

1 nA的

1毫安

I

GSS

@ 125_C

100 pA的

T

A

= 25_C

10 pA的

10毫安

1毫安

I

GSS

@ 25_C

1 pA的

0

4

8

12

16

20

0.1

10

20

50

100

V

DG

- 漏极 - 栅极电压（V ）

的F - 频率（MHz ）

5毫安

（女士）

1

I

G

b

ig

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

www.vishay.com

7-4

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

普通门正向纳

100

–g

fg

10

常见的反向门纳

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

10

（女士）

（女士）

1.0

–g

rg

–b

rg

b

fg

1

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

0.1

10

20

的F - 频率（MHz ）

50

100

0.1

0.01

10

20

50

100

的F - 频率（MHz ）

共栅极输出导纳

100

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

10

b

og

（女士）

g

og

1

0.1

10

20

的F - 频率（MHz ）

50

100

开关时间测试电路

J/SST108

V

GS （L

)

R

L

*

I

D（上）

*无感

–12 V

150

W

10毫安

V

DD

焦耳/ SST

1

09

–7 V

150

W

10毫安

J/SST110

–5 V

150

W

10毫安

V

GS （H ）

V

GS （ L）

R

L

OUT

输入脉冲

上升时间< 1纳秒

下降时间< 1纳秒

脉冲宽度为100ns

PRF 1兆赫

采样示波器

上升时间0.4纳秒

输入阻抗10兆瓦

输入电容1.5 pF的

V

IN

范围

1 k

51

51

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-5

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

N沟道JFET的

J108

J109

J110

产品概述

产品型号

J/SST108

J/SST109

J/SST110

SST108

SST109

SST110

V

GS （ OFF ）

(V)

-3至-10

± 2 ± 6

-0.5 -4

r

DS （ ON）

最大值（W）的

8

I

D（关闭）

典型值（PA ）

20

20

20

t

ON

典型值（ NS ）

4

4

4

12

18

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： J108 <8

W

快速切换-T

ON

： 4纳秒

低泄漏： 20 pA的

低电容： 11 pF的

低插入损耗

好处

D

D

D

D

D

低电压错误

高速模拟电路的性能

可以忽略不计“关错误”出色的精度

良好的频率响应

消除了额外的缓冲

应用

D

D

D

D

D

模拟开关

菜刀

采样和保持

通常情况下“开”开关

限流

描述

在J / SST108系列的设计与高性能

模拟开关记的应用程序。它具有低

的导通电阻，良好的关断隔离，和快速切换。

该SST108系列包括表面贴装

设备为特色的低R

DS （ ON）

任何TO- 236

（ SOT -23 ） JFET器件。

在TO- 226AA （ TO- 92 ）塑料封装提供了一个

低成本的选择。无论是J和SST系列可用

在磁带和卷轴自动组装（见包装

信息） 。

对于包装在同类产品

TO- 206AC （ TO- 52 ） ，见2N5432 /五千四百三十四分之五千四百三十三数据

表。

TO-226AA

(TO-92)

TO-236

(SOT-23)

D

1

D

1

3

G

S

2

S

2

G

3

顶视图

SST108 （ I8 ） *

SST109 （ I9 ） *

SST110 （ I0 ） *

*标识代码为TO- 236

顶视图

J108, J109, J110

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-1

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V

栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

焊接温度（

1

/

16

“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C

功耗

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦

笔记

一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C

规格（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

J/SST108

J/SST109

J/SST110

参数

STATIC

栅极 - 源

击穿电压

栅源截止电压

饱和漏极电流

b

门反向电流

门工作电流

排水截止电流

漏源

导通电阻

栅极 - 源

正向电压

符号

测试条件

典型值

a

民

最大

民

最大

民

最大

单位

V

（ BR ） GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

I

GSS

I

G

I

D（关闭）

r

DS （ ON）

V

GS （ F）

I

G

= –1

mA

, V

DS

= 0 V

V

DS

= 5 V，I

D

= 1

mA

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= –15 V, V

DS

= 0 V

T

A

= 125_C

V

DG

= 10 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 5 V, V

GS

= –10 V

T

A

= 125_C

V

GS

= 0 V, V

DS

v

0.1 V

I

G

= 1毫安， V

DS

= 0 V

–32

–25

–3

80

–10

–25

–2

40

–3

–3

–6

–25

V

–0.5

10

–3

–4

mA

–0.01

–5

–0.01

0.02

1.0

nA

3

3

3

8

0.7

12

18

W

V

动态

共源

正向跨导

共源

输出电导

漏源

导通电阻

共源

输入电容

共源反向

传输电容

等效输入

噪声电压

g

fs

V

DS

= 5 V，I

D

= 10 mA时， F = 1千赫

g

os

r

DS （ ON）

C

国际空间站

V

GS

= 0 V，I

D

= 0毫安中，f = 1千赫

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 0 V

V

GS

= –10 V

F = 1 MHz的

SST

J系列

SST

J系列

60

60

11

11

3.5

15

15

15

nV/

√Hz的

85

85

85

pF

0.6

8

17

mS

12

18

W

C

RSS

e

n

V

DG

= 5 V，I

D

= 10毫安

F = 1千赫

开关

开启时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 1.5 V, V

GS （H ）

= 0 V

见切换图

3

1

4

18

NIP

ns

打开-O FF时间

笔记

一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v300

ms

占空比

v3%.

www.vishay.com

7-2

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

导通电阻和漏电流

与门源截止电压

20

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

1000

I

DSS

@ V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

16

800

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

50

I

DSS

导通电阻与漏电流

T

A

= 25_C

r

DS

@ I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

- 饱和漏极电流（mA ）

40

V

GS （ OFF ）

= –2 V

30

12

r

DS

600

8

I

DSS

400

20

–4 V

10

–8 V

0

1

10

I

D

- 漏电流（mA ）

100

4

200

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

导通电阻与温度

40

r

DS （ ON）

- 漏源导通电阻（

)

I

D

= 10毫安

r

DS

改变X 0.7 ％ / _

32

- 漏电流（mA ）

V

GS （ OFF ）

= –2 V

24

80

100

输出特性

V

GS （ OFF ）

= –2 V

60

V

GS

= 0 V

–0.2 V

40

–0.4 V

20

–0.6 V

–0.8 V

16

–4 V

8

–8 V

0

–55

–35

–15

5

25

45

65

85

105

125

I

D

0

0

2

4

6

8

10

T

A

- 温度（ _C ）

V

DS

- 漏源电压（ V）

导通开关

5

t

r

大约独立的我

D

V

DD

= 1.5 V ，R

G

= 50

V

GS （ L）

= –10 V

切换时间（纳秒）

30

关断开关

t

D（关闭）

独立

器件的V

GS （ OFF ）

V

DD

= 1.5 V, V

GS （ L）

= –10 V

24

t

f

18

V

GS

(

OFF ）

= –2 V

4

Switchng时间（纳秒）

3

t

D（上）

@ I

D

= 10毫安

t

D（上）

@ I

D

= 25毫安

2

12

V

GS （ OFF ）

= –8 V

1

t

r

6

t

D（关闭）

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

0

5

10

15

20

25

I

D

- 漏电流（mA ）

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-3

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

电容与栅源电压

100

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

80

电容（pF）

100

V

GS （ OFF ）

= –4 V

g

fs

- 正向跨导（MS ）

跨导主场迎战漏电流

60

T

A

= –55_C

10

25_C

125_C

40

C

国际空间站

20

C

RSS

V

DS

= 5 V

F = 1千赫

1

0

0

–4

–8

–12

–16

–20

1

10

I

D

- 漏电流（mA ）

100

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

正向跨导和输出电导

与门源截止电压

200

g

fs

和G

os

@ V

DS

= 5 V

V

GS

= 0 V ， F = 1千赫

160

40

50

100

噪声电压与频率的关系

V

DS

= 5 V

g

os

- 输出电导（ μS ）

g

fs

- 正向跨导（MS ）

120

g

fs

30

恩 - 噪声电压内华达州/

Hz

10

I

D

= 10毫安

80

g

os

20

40

10

40毫安

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

V

GS （ OFF ）

- 栅极 - 源截止电压（V）的

0

1

10

100

1k

的F - 频率（Hz）

10 k

100 k

栅极漏电流

100 nA的

T

A

= 125_C

10 nA的

- 栅极泄漏

100

普通门输入导纳

g

ig

5毫安

I

D

= 10毫安

10

1 nA的

1毫安

I

GSS

@ 125_C

100 pA的

T

A

= 25_C

10 pA的

10毫安

1毫安

I

GSS

@ 25_C

1 pA的

0

4

8

12

16

20

0.1

10

20

50

100

V

DG

- 漏极 - 栅极电压（V ）

的F - 频率（MHz ）

5毫安

（女士）

1

I

G

b

ig

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

www.vishay.com

7-4

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

焦耳/ SST108系列

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

普通门正向纳

100

–g

fg

10

常见的反向门纳

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

10

（女士）

（女士）

1.0

–g

rg

–b

rg

b

fg

1

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

0.1

10

20

的F - 频率（MHz ）

50

100

0.1

0.01

10

20

50

100

的F - 频率（MHz ）

共栅极输出导纳

100

T

A

= 25_C

V

DG

= 20 V

I

D

= 20毫安

10

b

og

（女士）

g

og

1

0.1

10

20

的F - 频率（MHz ）

50

100

开关时间测试电路

J/SST108

V

GS （L

)

R

L

*

I

D（上）

*无感

–12 V

150

W

10毫安

V

DD

焦耳/ SST

1

09

–7 V

150

W

10毫安

J/SST110

–5 V

150

W

10毫安

V

GS （H ）

V

GS （ L）

R

L

OUT

输入脉冲

上升时间< 1纳秒

下降时间< 1纳秒

脉冲宽度为100ns

PRF 1兆赫

采样示波器

上升时间0.4纳秒

输入阻抗10兆瓦

输入电容1.5 pF的

V

IN

范围

1 k

51

51

文档编号： 70231

S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

7-5