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微型电路数据表

MJCD4049A -X REV 1A0

INVERTING HEX BUFFER

概述

这十六进制缓冲器是一种单片互补MOS （CMOS）集成电路构成

与N和P沟道增强型晶体管。该器件的逻辑电平

转换只使用一个电源电压（VDD ）。输入信号的高电平（ VIH ）可

超过V DD电源电压时，该设备被用于逻辑转换。该装置是

打算用作一个十六进制缓冲器的CMOS至DTL / TTL转换器或作为一个CMOS的电流驱动，

并在VDD = 5.0V ，可在整个工作温度驱动两个DTL / TTL负载

范围内。

原始创建日期： 99年7月22日

最后更新日期： 99年10月18日

最后一个主要的修订日期： 99年9月10日

工业编号

CD4049A

NS零件编号

JM4049ABEA

JM4049ABFA

总理模

CD4049A

控制文件

38510/05503 ，修改。＃ 3

处理

MIL -STD -883方法5004

Subgrp说明

在静态测试

在动态测试

在功能测试

开关在试验

温度（

+25

+125

-55

+25

+125

-55

+25

+125

-55

+25

+125

-55

质量一致性检验

MIL -STD -883方法5005

MJCD4049A -X REV 1A0

微型电路数据表

（绝对最大额定值）

（注1,2）

电压的任何引脚

-0.5V至VDD + 0.5V

功率耗散（ PD ）

200mW

VDD范围

-0.5V至+ 15.5V

存储温度（ TS ）

-65℃至+ 150℃

焊接温度

（焊接， 10秒）

输入电流（每个输入）

热阻，结到外壳

见MIL -STD- 1835

最高结温（Tj最大）

175C

注1 ：

＆ QUOT ;绝对最大额定值＆ QUOT ;是这些值超出该设备的安全

不能得到保证。除了"Operating温度Range"它们并不意味着

意味着该设备应在这些限制下工作。 "Electrical的表

Characteristics"提供器件的实际工作情况。

所有的电压测量相对于VSS除非另有规定。

300C

+ 10毫安

注2 ：

推荐工作条件

电源电压（ VDD）的

4.5V至12.5V

工作温度范围

-55℃至+ 125℃

输入低电压范围（ VIL ）

VDD=5.0V

VDD=12.5V

输入高电压范围（ VIH ）

VDD=5.0V

VDD=12.5V

0V至0.85V

0V至2.1V

3.95V至5.0V

10.0V到12.5V

MJCD4049A -X REV 1A0

微型电路数据表

电气特性

DC参数

符号

Vic-

参数

输入钳位

电压

（负向）

输入高

当前

输入低电平电流

电源

当前

输出高

电压

条件

VDD = 0.0V ， VSS = GND ， IIN = -1mA （其它

输入开路）

VDD = 15.0V ， VIN = 15.0V

（每个输入单独计量）

VDD = 15.0V ， VIN = 0.0V

（每个输入单独计量）

VDD = 15.0V ， VIN = 15.0V或VIN = 0.0V ，

VM=0.0V

VDD = 4.5V ， VIL = 0.9V ， IOH = -0.10mA

VDD = 4.5V ， VIL = 0.65V ， IOH = -0.10mA

VDD = 4.5V ， VIL = 0.95V ， IOH = -0.10mA

VOH2

输出高

电压

VDD = 5.0V ， VIL = 0.9V ， IOH = -0.45mA

VDD = 5.0V ， VIL = 0.65V ， IOH = -0.35mA

VDD = 5.0V ， VIL = 0.95V ， IOH = -0.65mA

VOH3

输出高

电压

VDD = 5.0V ， VIL = 0.9V ， IOH = -0.0mA

VDD = 5.0V ， VIL = 0.65V ， IOH = -0.0mA

VDD = 5.0V ， VIL = 0.95V ， IOH = -0.0mA

VOH4

输出高

电压

VDD = 12.5V ， VIL = 2.15V ， IOH = -0.0mA

VDD = 12.5V ， VIL = 1.95V ， IOH = -0.0mA

VDD = 12.5V ， VIL = 2.24V ， IOH = -0.0mA

VOL1

输出低

电压

VDD = 5.5V ， VIH = 3.95V ， IOL = 0.23毫安

VDD = 5.5V ， VIH = 3.85V ， IOL = 0.23毫安

VDD = 5.5V ， VIH = 4.05V ， IOL = 0.23毫安

VOL2

输出低

电压

VDD = 5.0V ， VIH = 3.95V ， IOL = 3.0毫安

VDD = 5.0V ， VIH = 3.85V ， IOL = 2.10毫安

VDD = 5.0V ， VIH = 4.05V ， IOL = 3.70毫安

VOL3

输出低

电压

VDD = 5.0V ， VIH = 3.95V ， IOL = 0.0毫安

VDD = 5.0V ， VIH = 3.85V ， IOL = 0.0毫安

VDD = 5.0V ， VIH = 4.05V ， IOL = 0.0毫安

VOL4

输出低

电压

VDD = 12.5V ， VIH = 10.25V ， IOL = 0.0毫安

VDD = 12.5V ， VIH = 10.00V ， IOL = 0.0毫安

VDD = 12.5V ， VIH = 10.50V ， IOL = 0.0毫安

笔记

PIN的

名字

民

最大

-6.0

单位

SUB -

群体

5 ， 6个输入

IIH

IIL

国际空间站

3 ， 4个输入

3,4 VSS

100.0

1, 2

-100.0 nA的

-75.0

-750.0 nA的

0.5

0.05

1.25

VOH1

1 ， 2个输出2.5

1 ， 2个输出4.5

1 ， 2个输出4.95

1 ， 2个输出11.25

1 ， 2个输出

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电气特性

AC参数

（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。

AC ： VDD = 5.0V ， CL = 50pF的， RL = 200K欧姆到地， TR /铁蛋白= 10ns的+ 2ns的

符号

的TPH1

参数

传播延迟

时间

条件

笔记

PIN的

名字

民

最大

150

225

230

345

105

270

405

单位

SUB -

群体

9, 11

7，图8中，以

TPLH

传播延迟

时间

7，图8中，以

TTHL

转换时间

7，8开

tTLH

转换时间

7，8开

CIN

输入电容

VDD = GND ， F = 1MHz的

输入

直流参数：漂移值

（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。

DC ：台达在计算生产老化和C组（工作寿命测试）进行。

国际空间站

VOL1

VOH1

电源

当前

输出低

电压

输出高

电压

注1 ：

VDD = 15.0V ， VIN = 15.0V或VIN = 0.0V ，

VM=0.0V

VDD = 5.5V ， VIH = 3.95V ， IOL = 0.23毫安

VDD = 4.5V ， VIL = 0.9V ， IOH = -0.10mA

VSS

-20.0

20.0

0.04

0.08

产出-0.04

产出-0.08

屏幕上的每个设备上，在+ 25℃测试100 ％， + 125℃和-55℃的温度，子组A1 ，

图2和3 。

注2 ：样品进行测试（方法5005 ，表1）上的每个MFG 。很多在+ 25℃ ， + 125℃和-55℃

温度，子组A 1， 2和3 。

注3 ：屏幕在每个设备上，在+ 25℃测试100 ％和+仅125温度，亚组A1和

注4 ：样品进行测试（方法5005 ，表1）上的每个MFG 。很多在+ 25℃和+ 125℃的温度

只，分组A 1和2 。

注5 ：屏幕在每个设备上，在+ 25℃的温度只，分组A1测试100 ％。

注6 ：样品进行测试（方法5005 ，表1）上的每个MFG 。很多在+ 25℃的温度而已，

亚组A1 。

注7 ：屏幕的每个设备上，在+ 25℃的温度只，分组A9测试100 ％。

注8 ：样品进行测试（方法5005 ，表1）上的每个MFG 。很多在+ 25℃ ， + 125℃和-55℃

温度，子组A9的， 10和11 。

注9 ： VIL ， VIH ， IOL和IOH通过施加规定的条件和测试VOL保证

和VOH 。

注10 ：保证参数。仅在资格进行这种测试。

注11 ：保证参数，未经测试。

注12 ：如果烧伤后，在电气试验进行漂移值不需要计算

老化后24小时之内。

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修订历史

转

1A0

ECN ＃

相对日期

鼻祖

变化

M0003567 10/18/99

唐纳德· B·米勒1 ）存档JRETS4049MX修订版1A ，释放到MDS

MJCD4049A -X ，牧师1A0 。 2 ）改变IIH房限额由

为1nA至100nA的。改变IIH 125C限额由45nA至

为100nA 。 3 ）改变IIL房限额由-1nA到-100nA 。

从-45nA改变IIL 125C限量-100nA 。