LM118 / LM218 / LM318运算放大器
2000年8月
LM118/LM218/LM318
运算放大器
概述
该LM118系列精密高速运算上午
专为需要高带宽的应用plifiers
与高压摆率。它们的特点是十个增加的一个因素
加快了通用器件在不牺牲DC
性能。
该LM118系列有内部单位增益频率compen-
偿。这大大简化了应用程序，因为没有
外部元件所必需的操作。不过，
与大多数内部补偿放大器，外部频
昆西补偿可能对于优化性能加入
曼斯。对于反相应用中，前馈补偿
化将提升转换率超过150V / μs的，几乎
两倍的带宽。过度补偿可以与使用
该放大器用于具有更大的稳定性时的最大带宽
是不需要的。另外，一个单一的电容器可被添加到
减少0.1 ％建立时间小于1微秒。
这些运算放大器的高速和快速建立时间使
他们在A / D转换器，振荡器，有源滤波器是有用的，
采样和保持电路或通用放大器。
这些设备很容易申请，并提供一个数量级
震级更好的交流性能优于行业标准
如LM709 。
在LM218是相同的LM118除了将LM218
已指定其性能超过-25℃至+ 85°C温
温度范围内。该LM318为0℃至+ 70℃。
特点
n
n
n
n
n
n
n
15 MHz的小信号带宽
保证50V / μs压摆率
250 nA的最大偏置电流
从电源供电
±
5V至
±
20V
内部频率补偿
输入和输出过载保护
引脚与通用运算放大器兼容
快速电压跟随器
（注1 ）
00776613
注1 ：
不要硬线的电压跟随器（ R1
≥
5 k)
2004美国国家半导体公司
DS007766
www.national.com
LM118/LM218/LM318
绝对最大额定值
（注7 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
功率耗散（注2 ）
差动输入电流（注3）
输入电压（注4 ）
输出短路持续时间
工作温度范围
LM118
LM218
LM318
存储温度范围
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒）
气密封装
塑料包装
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215C
220C
260C
300C
260C
±
20V
500毫瓦
±
10毫安
±
15V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
ESD容差（注8）
2000V
电气特性
（注5 ）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
电源电流
大信号电压增益
压摆率
小信号带宽
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
电源电流
大信号电压增益
输出电压摆幅
输入电压范围
共模抑制比
电源电压抑制比
T
A
= 125C
V
S
=
±
15V, V
OUT
=
±
10V
R
L
≥
2 k
V
S
=
±
15V ，R
L
= 2 k
V
S
=
±
15V
25
4.5
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
OUT
=
±
10V ，R
L
≥
2 k
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V ，A
V
= 1
（注6 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
15
6
100
500
7
20
15
15
300
750
兆赫
mV
nA
nA
mA
V / MV
50
70
50
70
V / μs的
50
1
条件
LM118/LM218
民
典型值
2
6
120
3
5
200
8
25
最大
4
50
250
0.5
民
LM318
典型值
4
30
150
3
5
200
10
最大
10
200
500
mV
nA
nA
M
mA
V / MV
单位
±
12
±
11.5
80
70
±
13
100
80
±
12
±
11.5
70
65
±
13
100
80
V
V
dB
dB
注2 ：
该LM118的最高结温为150℃时， LM218是110℃， LM318为110℃ 。对于在高温下工作的设备
基于160C / W的热阻H08包必须降额，结点到环境，或20℃/ W，结到管壳。的热敏电阻
双列直插式封装为100℃ / W，结点到环境温度。
注3 ：
输入被分流背部到后端二极管过压保护。因此，过大电流会在过量的流动，如果一个差动输入电压
1V时的输入端之间，除非一些限流电阻使用。
注4 ：
对于电源电压低于
±
15V时，绝对最大输入电压等于电源电压。
注5 ：
这些规范适用于
±
5V
≤
V
S
≤
±
20V和-55
≤
T
A
≤
+ 125C （ LM118 ） ， -25C
≤
T
A
≤
+ 85℃（ LM218 ） ，和0°C
≤
T
A
≤
+ 70°C （ LM318 ） 。另外，
电源必须绕过与0.1 μF电容盘。
注6 ：
压摆率与V测试
S
=
±
15V 。该LM118是一个单位增益的非反相配置。 V
IN
从-7.5V踩至+ 7.5V ，反之亦然。摆
-5.0V和+ 5.0V之间，反之亦然率经过测试，保证超过50V / μs的。
注7 ：
请参阅RETS118X的LM118H和LM118J军用规格。
注8 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
www.national.com
2
QQ：2880707522 复制
