【SN54HC259 ， SN74HC2598位可寻址锁存器SCLS134E - 1982年12月 -】,IC型号JM38510,JM38510 PDF资料,JM38510经销商,ic,电子元器件-51电子网

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

D

2 V至6 V工作电压范围宽

D

大电流反相输出驱动最多

D

10输入通道负载

低功耗， 80 μA最大I

CC

典型的牛逼

pd

= 14 ns的

±4-mA

输出驱动器的5 V

1低输入电流

A

最大

8位并行输出存储寄存器

执行串行到并行转换带

存储

异步并行清晰

高电平有效解码器

使能输入，简化扩展

可扩展的N位应用程序

四种不同的功能模式

SN54HC259 。。。 J或W包装

SN74HC259 。。。 D，N ， NS ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

S0

S1

S2

Q0

Q1

Q2

Q3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

CC

CLR

G

D

Q7

Q6

Q5

Q4

SN54HC259 。。。 FK包装

（ TOP VIEW ）

描述/订购信息

这8位可寻址锁存器是专为

在数字通用存储应用

系统。具体用途包括工作寄存器，

串行保持寄存器，以及高电平解码器

或解复用器。他们是多功能

存储单行数据在8的功能的设备

可寻址锁存器和为1 - 8解码器

或解复用器与高电平输出。

订购信息

TA

PDIP - N

包装

25管

40管

SOIC - D

40 C 85°C

-40 ° C至85 C

SOP - NS

TSSOP - PW

CDIP - J

55 C 125°C

-55°C至125°C

CFP - 含

LCCC - FK

2500卷

250的卷轴

2000年卷

250的卷轴

25管

150管

55管

S2

Q0

NC

Q1

Q2

S1

S0

NC

V

CC

CLR

3

4

5

6

7

8

2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

G

D

NC

Q7

Q6

NC - 无内部连接

订购

产品型号

SN74HC259N

SN74HC259D

SN74HC259DR

SN74HC259DT

SN74HC259NSR

SN74HC259PWR

SN74HC259PWT

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

Q3

GND

NC

Q4

Q5

TOP- SIDE

记号

SN74HC259N

HC259

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

1

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

四种不同的操作模式是通过控制清除（ CLR）的可选择的和使能（ G）的输入。在

可寻址锁存模式中，在该数据中的终端数据被写入到锁存器中的处理。该解决锁

下面的数据输入，与留在他们以前的状态都没有得到解决锁存器。在内存模式下，所有

锁存器留在他们以前的状态，并且不受数据或地址输入。为了消除

在锁存器中输入错误数据的可能性，G应保持高电平（无效），而地址线

正在发生变化。以1 - 8的解码或解复用模式中，被寻址的输出如下所示的电平

D输入与所有其它输出低电平。在清澈模式中，所有的输出都是由地址和数据的低和不受

输入。

功能表

功能

输入

CLR

H

L

G

L

H

L

H

输出

讨论

LATCH

D

QIO

D

L

每

其他

产量

QIO

L

功能

可寻址锁存器

内存

8行解复用器

明确

锁存器的选择

选择输入

S2

L

H

S1

L

H

L

H

S0

L

H

L

H

L

H

L

H

LATCH

讨论

0

1

2

3

4

5

6

7

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图

S0

1

D

C

R

D

C

R

D

C

R

D

C

R

S2

3

D

C

R

D

C

R

G

14

D

C

R

D

13

D

C

R

CLR

15

Q

12

Q7

Q

11

Q6

Q

9

4

Q

Q0

Q

5

Q1

S1

2

Q

6

Q2

Q

7

Q3

Q4

Q

10

Q5

显示引脚数都为D， J，N ， NS ， PW ，和W包。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图，每个内部锁存器（正逻辑）

C

D

C

TG

Q

C

TG

R

C

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0或V

I

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0或V

O

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

连续输出电流，I

O

(V

O

= 0至V

CC

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±25

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±50

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ）：D包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

N包装，。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

PW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 108 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

SN54HC259

民

VCC

VIH

电源电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 2 V

VIL

VI

VO

ΔT/ ΔV

低电平输入电压

输入电压

输出电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

0

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

0

喃

5

最大

6

SN74HC259

民

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

ns

V

喃

5

最大

6

单位

V

高电平输入电压

输入过渡的上升/下降时间

TA

工作自由空气的温度

55

125

40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VCC

2V

IOH = -20

A

VOH

VI = VIH或VIL

IOH = -4毫安

IOH = -5.2毫安

IOL = 20

A

VOL

VI = VIH或VIL

IOL = 4毫安

IOL = 5.2毫安

II

ICC

Ci

VI = VCC或0

VI = VCC或0 ，

IO = 0

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2 V至6 V

3

TA = 25°C

民

典型值

最大

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

1.998

4.499

5.999

4.3

5.8

0.002

0.001

0.17

0.15

±0.1

0.1

0.26

±100

8

10

SN54HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

0.1

0.4

±1000

160

10

最大

SN74HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

0.1

0.33

±1000

80

10

nA

A

pF

V

最大

单位

时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有

说明）

VCC

2V

CLR低

tw

脉冲持续时间

G拉低

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

2V

TSU

建立时间，G ↑之前的数据或地址

4.5 V

6V

2V

th

保持时间，G ↑后的数据或地址

G

4.5 V

6V

TA = 25°C

民

最大

80

16

14

80

16

14

75

15

13

5

SN54HC259

民

120

24

20

120

24

20

115

23

20

5

最大

SN74HC259

民

100

20

17

100

20

17

95

19

16

5

ns

最大

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

www.DataSheet4U.com

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

D

2 V至6 V工作电压范围宽

D

大电流反相输出驱动最多

D

10输入通道负载

低功耗， 80 μA最大I

CC

典型的牛逼

pd

= 14 ns的

±4-mA

输出驱动器的5 V

1低输入电流

A

最大

8位并行输出存储寄存器

执行串行到并行转换带

存储

异步并行清晰

高电平有效解码器

使能输入，简化扩展

可扩展的N位应用程序

四种不同的功能模式

SN54HC259 。。。 J或W包装

SN74HC259 。。。 D，N ， NS ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

S0

S1

S2

Q0

Q1

Q2

Q3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

CC

CLR

G

D

Q7

Q6

Q5

Q4

SN54HC259 。。。 FK包装

（ TOP VIEW ）

描述/订购信息

这8位可寻址锁存器是专为

在数字通用存储应用

系统。具体用途包括工作寄存器，

串行保持寄存器，以及高电平解码器

或解复用器。他们是多功能

存储单行数据在8的功能的设备

可寻址锁存器和为1 - 8解码器

或解复用器与高电平输出。

订购信息

TA

PDIP - N

包装

25管

40管

SOIC - D

40 C 85°C

-40 ° C至85 C

SOP - NS

TSSOP - PW

CDIP - J

55 C 125°C

-55°C至125°C

CFP - 含

LCCC - FK

2500卷

250的卷轴

2000年卷

250的卷轴

25管

150管

55管

S2

Q0

NC

Q1

Q2

S1

S0

NC

V

CC

CLR

3

4

5

6

7

8

2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

G

D

NC

Q7

Q6

NC - 无内部连接

订购

产品型号

SN74HC259N

SN74HC259D

SN74HC259DR

SN74HC259DT

SN74HC259NSR

SN74HC259PWR

SN74HC259PWT

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

Q3

GND

NC

Q4

Q5

TOP- SIDE

记号

SN74HC259N

HC259

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

1

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

四种不同的操作模式是通过控制清除（ CLR）的可选择的和使能（ G）的输入。在

可寻址锁存模式中，在该数据中的终端数据被写入到锁存器中的处理。该解决锁

下面的数据输入，与留在他们以前的状态都没有得到解决锁存器。在内存模式下，所有

锁存器留在他们以前的状态，并且不受数据或地址输入。为了消除

在锁存器中输入错误数据的可能性，G应保持高电平（无效），而地址线

正在发生变化。以1 - 8的解码或解复用模式中，被寻址的输出如下所示的电平

D输入与所有其它输出低电平。在清澈模式中，所有的输出都是由地址和数据的低和不受

输入。

功能表

功能

输入

CLR

H

L

G

L

H

L

H

输出

讨论

LATCH

D

QIO

D

L

每

其他

产量

QIO

L

功能

可寻址锁存器

内存

8行解复用器

明确

锁存器的选择

选择输入

S2

L

H

S1

L

H

L

H

S0

L

H

L

H

L

H

L

H

LATCH

讨论

0

1

2

3

4

5

6

7

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图

S0

1

D

C

R

D

C

R

D

C

R

D

C

R

S2

3

D

C

R

D

C

R

G

14

D

C

R

D

13

D

C

R

CLR

15

Q

12

Q7

Q

11

Q6

Q

9

4

Q

Q0

Q

5

Q1

S1

2

Q

6

Q2

Q

7

Q3

Q4

Q

10

Q5

显示引脚数都为D， J，N ， NS ， PW ，和W包。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图，每个内部锁存器（正逻辑）

C

D

C

TG

Q

C

TG

R

C

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0或V

I

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0或V

O

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

连续输出电流，I

O

(V

O

= 0至V

CC

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±25

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±50

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ）：D包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

N包装，。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

PW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 108 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

SN54HC259

民

VCC

VIH

电源电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 2 V

VIL

VI

VO

ΔT/ ΔV

低电平输入电压

输入电压

输出电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

0

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

0

喃

5

最大

6

SN74HC259

民

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

ns

V

喃

5

最大

6

单位

V

高电平输入电压

输入过渡的上升/下降时间

TA

工作自由空气的温度

55

125

40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VCC

2V

IOH = -20

A

VOH

VI = VIH或VIL

IOH = -4毫安

IOH = -5.2毫安

IOL = 20

A

VOL

VI = VIH或VIL

IOL = 4毫安

IOL = 5.2毫安

II

ICC

Ci

VI = VCC或0

VI = VCC或0 ，

IO = 0

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2 V至6 V

3

TA = 25°C

民

典型值

最大

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

1.998

4.499

5.999

4.3

5.8

0.002

0.001

0.17

0.15

±0.1

0.1

0.26

±100

8

10

SN54HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

0.1

0.4

±1000

160

10

最大

SN74HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

0.1

0.33

±1000

80

10

nA

A

pF

V

最大

单位

时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有

说明）

VCC

2V

CLR低

tw

脉冲持续时间

G拉低

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

2V

TSU

建立时间，G ↑之前的数据或地址

4.5 V

6V

2V

th

保持时间，G ↑后的数据或地址

G

4.5 V

6V

TA = 25°C

民

最大

80

16

14

80

16

14

75

15

13

5

SN54HC259

民

120

24

20

120

24

20

115

23

20

5

最大

SN74HC259

民

100

20

17

100

20

17

95

19

16

5

ns

最大

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

单片双通道SPST CMOS模拟开关

特点

D

"15

V输入信号范围

44 - V最大电源范围

导通电阻： 45

W

TTL和CMOS兼容

好处

D

宽动态范围

D

简单接口

D

减少了外部元件

算

应用

D

伺服控制开关

可编程增益放大器

音频切换

可编程滤波器

描述

该DG200A_MIL是一款双通道，单刀单掷模拟

开关设计成提供通用交换

模拟信号。该器件非常适合用于设计

需要宽的模拟电压范围加上低

导通电阻。

该DG200A_MIL设计上的Vishay Siliconix的“改善

PLUS- 40 CMOS工艺。外延层可以防止闭锁。

每个开关进行同样在两个方向上时，

拦截高达30 V峰 - 峰值的时候了。在上

条件下，这种双向开关没有引入偏移

电压自身。

功能框图及引脚配置

双列直插式

金属罐

IN

2

NC

GND

NC

S

2

D

2

V–

1

2

3

4

5

6

7

顶视图

14

13

12

11

10

9

8

IN

1

NC

V +底

NC

S

1

D

1

NC

GND

IN

2

3

4

S

2

6

5

D

2

顶视图

V–

IN

1

V + （底物和案例）

S

1

9

8

7

D

1

10

NC

真值表

逻辑

0

1

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

开关

ON

关闭

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

www.vishay.com

4-1

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

包

DG200AAK

14引脚CERDIP

-55到125°C

10引脚金属罐

14引脚Sidebraze

DG200AAK / 883 ， JM38510 / 12301BCA ，

5962-9562901QCA

DG200AAA

DG200AAA / 883 ， JM38510 / 12301BIC

JM38510/12301BCC

产品型号

绝对最大额定值

V +至V- 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 V

GND到V- 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25 V

数字输入

a

, V

S

, V

D

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（ V-） -2 V至（V +） 2 V或

30毫安，以先到为准

电流（任何终端）连续。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

电流S或D

（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65到150_C

功率耗散（包）

b

10引脚金属罐

c

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

14引脚CERDIP

d

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 825毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免11毫瓦/ _C上述75°C

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

S

V–

–

+

V+

GND

IN

X

D

V–

图1 。

www.vishay.com

4-2

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

流掉

漏电流

通道上

漏电流

f

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V

D

=

"10

V，I

S

= -1毫安

V

S

=

"14

V, V

D

=

#14

V

D

=

"14

V, V

S

=

#14

V

S

= V

D

=

"14

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

–2

–100

–2

–100

–2

–200

–15

45

15

70

100

2

100

2

100

2

200

nA

V

W

范围

-55到125°C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V

V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

c

典型值

d

最大

c

单位

"0.01

"0.1

数字控制

V

IN

= 2.4 V

输入电流

输入电压高

I

INH

V

IN

= 15 V

I

INL

V

IN

= 0 V

房间

满

房间

满

房间

满

–0.5

–1

–0.5

–1

0.0009

0.005

–0.0015

0.5

1

mA

输入电流

输入电压低

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

相声

（通道 - 通道）

t

ON

t

关闭

Q

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

+

C

秒（上）

OIRR

X

TALK

V

IN

= 5 V ，R

L

= 75

W

V

S

= 2 V ， F = 1兆赫

见开关时间测试电路

C

L

= 1000 PF， V

g

= 0 V

R

g

= 0

W

F = 140千赫

V

IN

= 5 V

V

S

= 0 V

V

D

= 0 V

房间

440

340

–10

9

25

75

90

dB

pF

1000

425

ns

pC

V

D

= V

S

= 0 V, V

IN

= 0 V

电源

正电源电流

负电源电流

I+

I–

两个通道开或关

V

IN

= 0 V和2.4 V

房间

–1

0.8

–0.23

2

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。代数公约由此最负的值是aminimum和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

www.vishay.com

4-3

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

+6

120

A:

B:

C:

D:

E:

"5

V

"10

V

"12

V

"15

V

"20

V

T

A

= 25_C

0

A

I S ， I D （PA ）

–6

I

D（上）

I

D（关闭）

还是我

S（ OFF）

漏电流与模拟电压

100

R DS（ON ）（

W

)

80

B

60

C

D

40

E

–12

–18

20

–15 –12

–9

–6

–3

0

3

6

9

12

15

V

D

- 漏极电压（ V）

–24

–15 –12

–9

–6

–3

0

3

6

9

12

15

V

类似物

- 模拟电压（ V）

输入开关阈值与V +和V-电源电压

2.5

电源电流与频率切换

2.0

V T（ V）

1.5

1.0

0.5

0

"5

V + ， V-正负电源（ V）

www.vishay.com

4-4

"10

"15

"20

6

5

I + ， I- （毫安）

4

3

2

V+ = 15 V

V– = –15 V

这两个逻辑输入

切换simutaneously

I+

1

I–

0

1k

10 k

100 k

1M

切换频率（Hz ）

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

测试电路

V

O

与交换机上的稳态输出。通过栅极电容馈通可能导致尖峰前缘和后输出波形的边沿。

+15 V

逻辑

输入

3V

50%

0V

t

关闭

V

S

90%

3V

GND

t

r

<20 NS

t

f

<20 NS

V

S

= +5 V

S

IN

V+

D

V

O

C

L

35 pF的

开关

输入

开关

产量

V–

R

L

1 KW

V

O

t

ON

–15 V

V

O

= V

S

R

L

R

L

+ r

DS （ ON）

图2中。

开关时间

+15 V

DV

O

R

g

V+

S

IN

3V

GND

V–

DV

O

=测得的电压误差，由于电荷注入

电荷注入库仑是

DQ

= C

L

x

DV

O

–15 V

D

V

O

C

L

1000 pF的

IN

X

ON

关闭

ON

V

O

V

g

网络连接gure 3 。

电荷注入

C

+15 V

C

V+

+15 V

V+

V

S

D

V

O

R

g

= 50

W

0V

S

1

IN

1

S

2

D

2

D

1

50

W

V

O

R

L

GND

–15 V

关断隔离= 20日志

V

S

V

O

X

TALK

= 20日志

C =射频旁路

V

S

V

O

V–

C

V

S

R

g

= 50

W

5V

IN

GND

V–

C

R

L

NC

0V

IN

2

图4中。

关断隔离

图5中。

通道到通道的串扰

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

www.vishay.com

4-5

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

D

2 V至6 V工作电压范围宽

D

大电流反相输出驱动最多

D

10输入通道负载

低功耗， 80 μA最大I

CC

典型的牛逼

pd

= 14 ns的

±4-mA

输出驱动器的5 V

1低输入电流

A

最大

8位并行输出存储寄存器

执行串行到并行转换带

存储

异步并行清晰

高电平有效解码器

使能输入，简化扩展

可扩展的N位应用程序

四种不同的功能模式

SN54HC259 。。。 J或W包装

SN74HC259 。。。 D，N ， NS ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

S0

S1

S2

Q0

Q1

Q2

Q3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

CC

CLR

G

D

Q7

Q6

Q5

Q4

SN54HC259 。。。 FK包装

（ TOP VIEW ）

描述/订购信息

这8位可寻址锁存器是专为

在数字通用存储应用

系统。具体用途包括工作寄存器，

串行保持寄存器，以及高电平解码器

或解复用器。他们是多功能

存储单行数据在8的功能的设备

可寻址锁存器和为1 - 8解码器

或解复用器与高电平输出。

订购信息

TA

PDIP - N

包装

25管

40管

SOIC - D

40 C 85°C

-40 ° C至85 C

SOP - NS

TSSOP - PW

CDIP - J

55 C 125°C

-55°C至125°C

CFP - 含

LCCC - FK

2500卷

250的卷轴

2000年卷

250的卷轴

25管

150管

55管

S2

Q0

NC

Q1

Q2

S1

S0

NC

V

CC

CLR

3

4

5

6

7

8

2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

G

D

NC

Q7

Q6

NC - 无内部连接

订购

产品型号

SN74HC259N

SN74HC259D

SN74HC259DR

SN74HC259DT

SN74HC259NSR

SN74HC259PWR

SN74HC259PWT

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

版权

2003年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

Q3

GND

NC

Q4

Q5

TOP- SIDE

记号

SN74HC259N

HC259

SNJ54HC259J

SNJ54HC259W

SNJ54HC259FK

1

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

描述/订购信息（续）

四种不同的操作模式是通过控制清除（ CLR）的可选择的和使能（ G）的输入。在

可寻址锁存模式中，在该数据中的终端数据被写入到锁存器中的处理。该解决锁

下面的数据输入，与留在他们以前的状态都没有得到解决锁存器。在内存模式下，所有

锁存器留在他们以前的状态，并且不受数据或地址输入。为了消除

在锁存器中输入错误数据的可能性，G应保持高电平（无效），而地址线

正在发生变化。以1 - 8的解码或解复用模式中，被寻址的输出如下所示的电平

D输入与所有其它输出低电平。在清澈模式中，所有的输出都是由地址和数据的低和不受

输入。

功能表

功能

输入

CLR

H

L

G

L

H

L

H

输出

讨论

LATCH

D

QIO

D

L

每

其他

产量

QIO

L

功能

可寻址锁存器

内存

8行解复用器

明确

锁存器的选择

选择输入

S2

L

H

S1

L

H

L

H

S0

L

H

L

H

L

H

L

H

LATCH

讨论

0

1

2

3

4

5

6

7

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图

S0

1

D

C

R

D

C

R

D

C

R

D

C

R

S2

3

D

C

R

D

C

R

G

14

D

C

R

D

13

D

C

R

CLR

15

Q

12

Q7

Q

11

Q6

Q

9

4

Q

Q0

Q

5

Q1

S1

2

Q

6

Q2

Q

7

Q3

Q4

Q

10

Q5

显示引脚数都为D， J，N ， NS ， PW ，和W包。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

逻辑图，每个内部锁存器（正逻辑）

C

D

C

TG

Q

C

TG

R

C

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V的

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0或V

I

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0或V

O

＆ GT ; V

CC

）（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

mA

连续输出电流，I

O

(V

O

= 0至V

CC

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±25

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±50

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ）：D包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

N包装，。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

PW包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 108 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

SN54HC259

民

VCC

VIH

电源电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 2 V

VIL

VI

VO

ΔT/ ΔV

低电平输入电压

输入电压

输出电压

VCC = 2 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

VCC = 4.5 V

VCC = 6 V

0

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

0

喃

5

最大

6

SN74HC259

民

2

1.5

3.15

4.2

0.5

1.35

1.8

VCC

1000

500

400

ns

V

喃

5

最大

6

单位

V

高电平输入电压

输入过渡的上升/下降时间

TA

工作自由空气的温度

55

125

40

85

°C

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN54HC259 ， SN74HC259

8位可寻址锁存器

SCLS134E - 1982年12月 - 修订2003年9月

电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VCC

2V

IOH = -20

A

VOH

VI = VIH或VIL

IOH = -4毫安

IOH = -5.2毫安

IOL = 20

A

VOL

VI = VIH或VIL

IOL = 4毫安

IOL = 5.2毫安

II

ICC

Ci

VI = VCC或0

VI = VCC或0 ，

IO = 0

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

4.5 V

6V

2 V至6 V

3

TA = 25°C

民

典型值

最大

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

1.998

4.499

5.999

4.3

5.8

0.002

0.001

0.17

0.15

±0.1

0.1

0.26

±100

8

10

SN54HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

0.1

0.4

±1000

160

10

最大

SN74HC259

民

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

0.1

0.33

±1000

80

10

nA

A

pF

V

最大

单位

时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有

说明）

VCC

2V

CLR低

tw

脉冲持续时间

G拉低

4.5 V

6V

2V

4.5 V

6V

2V

TSU

建立时间，G ↑之前的数据或地址

4.5 V

6V

2V

th

保持时间，G ↑后的数据或地址

G

4.5 V

6V

TA = 25°C

民

最大

80

16

14

80

16

14

75

15

13

5

SN54HC259

民

120

24

20

120

24

20

115

23

20

5

最大

SN74HC259

民

100

20

17

100

20

17

95

19

16

5

ns

最大

单位

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

www.DataSheet4U.com

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

单片双通道SPST CMOS模拟开关

特点

D

"15

V输入信号范围

44 - V最大电源范围

导通电阻： 45

W

TTL和CMOS兼容

好处

D

宽动态范围

D

简单接口

D

减少了外部元件

算

应用

D

伺服控制开关

可编程增益放大器

音频切换

可编程滤波器

描述

该DG200A_MIL是一款双通道，单刀单掷模拟

开关设计成提供通用交换

模拟信号。该器件非常适合用于设计

需要宽的模拟电压范围加上低

导通电阻。

该DG200A_MIL设计上的Vishay Siliconix的“改善

PLUS- 40 CMOS工艺。外延层可以防止闭锁。

每个开关进行同样在两个方向上时，

拦截高达30 V峰 - 峰值的时候了。在上

条件下，这种双向开关没有引入偏移

电压自身。

功能框图及引脚配置

双列直插式

金属罐

IN

2

NC

GND

NC

S

2

D

2

V–

1

2

3

4

5

6

7

顶视图

14

13

12

11

10

9

8

IN

1

NC

V +底

NC

S

1

D

1

NC

GND

IN

2

3

4

S

2

6

5

D

2

顶视图

V–

IN

1

V + （底物和案例）

S

1

9

8

7

D

1

10

NC

真值表

逻辑

0

1

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

开关

ON

关闭

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

www.vishay.com

4-1

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

包

DG200AAK

14引脚CERDIP

-55到125°C

10引脚金属罐

14引脚Sidebraze

DG200AAK / 883 ， JM38510 / 12301BCA ，

5962-9562901QCA

DG200AAA

DG200AAA / 883 ， JM38510 / 12301BIC

JM38510/12301BCC

产品型号

绝对最大额定值

V +至V- 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 44 V

GND到V- 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25 V

数字输入

a

, V

S

, V

D

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。（ V-） -2 V至（V +） 2 V或

30毫安，以先到为准

电流（任何终端）连续。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

电流S或D

（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65到150_C

功率耗散（包）

b

10引脚金属罐

c

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

14引脚CERDIP

d

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 825毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免11毫瓦/ _C上述75°C

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

S

V–

–

+

V+

GND

IN

X

D

V–

图1 。

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4-2

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

流掉

漏电流

通道上

漏电流

f

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V

D

=

"10

V，I

S

= -1毫安

V

S

=

"14

V, V

D

=

#14

V

D

=

"14

V, V

S

=

#14

V

S

= V

D

=

"14

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

–2

–100

–2

–100

–2

–200

–15

45

15

70

100

2

100

2

100

2

200

nA

V

W

范围

-55到125°C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V

V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

民

c

典型值

d

最大

c

单位

"0.01

"0.1

数字控制

V

IN

= 2.4 V

输入电流

输入电压高

I

INH

V

IN

= 15 V

I

INL

V

IN

= 0 V

房间

满

房间

满

房间

满

–0.5

–1

–0.5

–1

0.0009

0.005

–0.0015

0.5

1

mA

输入电流

输入电压低

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

相声

（通道 - 通道）

t

ON

t

关闭

Q

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

+

C

秒（上）

OIRR

X

TALK

V

IN

= 5 V ，R

L

= 75

W

V

S

= 2 V ， F = 1兆赫

见开关时间测试电路

C

L

= 1000 PF， V

g

= 0 V

R

g

= 0

W

F = 140千赫

V

IN

= 5 V

V

S

= 0 V

V

D

= 0 V

房间

440

340

–10

9

25

75

90

dB

pF

1000

425

ns

pC

V

D

= V

S

= 0 V, V

IN

= 0 V

电源

正电源电流

负电源电流

I+

I–

两个通道开或关

V

IN

= 0 V和2.4 V

房间

–1

0.8

–0.23

2

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。代数公约由此最负的值是aminimum和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

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4-3

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

+6

120

A:

B:

C:

D:

E:

"5

V

"10

V

"12

V

"15

V

"20

V

T

A

= 25_C

0

A

I S ， I D （PA ）

–6

I

D（上）

I

D（关闭）

还是我

S（ OFF）

漏电流与模拟电压

100

R DS（ON ）（

W

)

80

B

60

C

D

40

E

–12

–18

20

–15 –12

–9

–6

–3

0

3

6

9

12

15

V

D

- 漏极电压（ V）

–24

–15 –12

–9

–6

–3

0

3

6

9

12

15

V

类似物

- 模拟电压（ V）

输入开关阈值与V +和V-电源电压

2.5

电源电流与频率切换

2.0

V T（ V）

1.5

1.0

0.5

0

"5

V + ， V-正负电源（ V）

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4-4

"10

"15

"20

6

5

I + ， I- （毫安）

4

3

2

V+ = 15 V

V– = –15 V

这两个逻辑输入

切换simutaneously

I+

1

I–

0

1k

10 k

100 k

1M

切换频率（Hz ）

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

DG200A_MIL

Vishay Siliconix公司

测试电路

V

O

与交换机上的稳态输出。通过栅极电容馈通可能导致尖峰前缘和后输出波形的边沿。

+15 V

逻辑

输入

3V

50%

0V

t

关闭

V

S

90%

3V

GND

t

r

<20 NS

t

f

<20 NS

V

S

= +5 V

S

IN

V+

D

V

O

C

L

35 pF的

开关

输入

开关

产量

V–

R

L

1 KW

V

O

t

ON

–15 V

V

O

= V

S

R

L

R

L

+ r

DS （ ON）

图2中。

开关时间

+15 V

DV

O

R

g

V+

S

IN

3V

GND

V–

DV

O

=测得的电压误差，由于电荷注入

电荷注入库仑是

DQ

= C

L

x

DV

O

–15 V

D

V

O

C

L

1000 pF的

IN

X

ON

关闭

ON

V

O

V

g

网络连接gure 3 。

电荷注入

C

+15 V

C

V+

+15 V

V+

V

S

D

V

O

R

g

= 50

W

0V

S

1

IN

1

S

2

D

2

D

1

50

W

V

O

R

L

GND

–15 V

关断隔离= 20日志

V

S

V

O

X

TALK

= 20日志

C =射频旁路

V

S

V

O

V–

C

V

S

R

g

= 50

W

5V

IN

GND

V–

C

R

L

NC

0V

IN

2

图4中。

关断隔离

图5中。

通道到通道的串扰

文档编号： 70035

S- 02314 -REV 。 E， 05 - OCT- 00

www.vishay.com

4-5

SN54221 ， SN54LS221 ， SN74221 ， SN74LS221

双单稳态触发器

带施密特触发器输入

SDLS213B - 1983年12月 - 修订2004年11月

D

高稳定性SN54121双版本

D

和SN74121一个射击

SN54221 SN74221和演示

电气和开关特性

这几乎是一致的SN54121

和SN74121一个射击

引脚排列完全相同的SN54123 ，

SN74123 ， SN54LS123和SN74LS123

覆盖清除终止输出脉冲

最大

产量

脉冲

长度（S）

21

28

49

70

SN54221 ， SN54LS221 。。。包装

SN74221 。。。 N包装

SN74LS221 。。。 D， DB ，N或NS包装

（ TOP VIEW ）

D

1A

1B

1CLR

1Q

2Q

2C

EXT

2R

EXT

/C

EXT

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

V

CC

1R

EXT

/C

EXT

1C

EXT

1Q

2Q

2CLR

2B

2A

TYPE

SN54221

SN74221

SN54LS221

SN74LS221

SN54LS221 。。。 FK包装

（ TOP VIEW ）

描述/订购信息

在' 221和' LS221设备是双

多谐振荡器与性能特点

实际上等同于那些在' 121的设备。

每多谐振荡器有负transition-

触发输入端和正 - 过渡触发

输入，其中任一个可作为一个禁止

输入。

1CLR

1Q

NC

2Q

2C

EXT

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1B

1A

NC

V

CC

1R

EXT

/C

EXT

1C

EXT

1Q

NC

2Q

2CLR

NC - 无内部连接

订购信息

TA

PDIP - N

0 ° C至70℃

SOIC - D

SOP - NS

SSOP - DB

CDIP - J

LCCC - FK

包装

管

磁带和卷轴

管

订购

产品型号

SN74221N

SN74LS221N

SN74LS221D

SN74LS221DR

SN74LS221NSR

SN74LS221DBR

SNJ54221J

55 C 125°C

-55°C至125°C

SNJ54LS221J

SNJ54LS221FK

LS221

74LS221

LS221

SNJ54221J

SNJ54LS221J

SNJ54LS221FK

TOP- SIDE

记号

SN74221N

SN74LS221N

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

版权

2004年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2R

EXT

/C

EXT

GND

NC

2A

2B

1

SDLS213B - 1983年12月 - 修订2004年11月

SN54221 ， SN54LS221 ， SN74221 ， SN74LS221

双单稳态触发器

带施密特触发器输入

描述/订购信息（续）

触发发生在一个特定的电压电平，并且不直接相关的输入的转换时间脉冲

脉搏。施密特触发输入电路（ TTL滞后）的B输入允许无抖动，从与输入触发

转换速率为1 V / S的速度慢，提供电路具有优良的抗噪声能力，通常为1.2 V.高

免疫力V

CC

噪音，通常为1.5 V，也可以通过内部锁存电路提供。

一次烧成，则输出是独立的A和B输入的进一步转换，并且是定时的功能。

组件，或输出脉冲可以由上位明确终止。输入脉冲可以是任何长度的

相对于输出脉冲。输出脉冲的长度可以从35纳秒通过选择而改变至最大

适当的定时元件。有R

EXT

= 2 kΩ的和C

EXT

= 0时，为30纳秒的输出脉冲通常被实现

可以用来作为一个直流触发复位信号。输出上升时间和下降时间是TTL电平兼容，独立

的脉冲长度。典型的触发和结算序列分别作为的开关特性的一部分

波形。

脉冲宽度的稳定性是通过内部补偿实现，实际上是独立的V

CC

和

温度。在大多数应用中，脉冲稳定性仅由外部定时元件的精度的限制。

无抖动的操作被保持在整个温度和Ⅴ

CC

范围超过六十年的时间

电容（ 10 pF到10

F)

和定时电阻的一个以上的十年（2千欧到30千欧的SN54221 ，

2 kΩ至40 kΩ的为SN74221 ， 2 kΩ至70 kΩ的为SN54LS221和2 kΩ到100 kΩ的为SN74LS221 ）。

在这些范围内，脉冲宽度被定义为以下关系：吨

w

（出） = C

EXT

R

EXT

In2

≈

0.7 C

EXT

R

EXT

。在

电路中的脉冲截止不是关键的，定时电容高达1000

F

和定时电阻低至1.4千欧

都可以使用。另外，无抖动的输出脉冲宽度的范围被若V扩展

CC

被裁定为5 V和自由的空气

温度为25 ℃。占空比高达90 ％，在使用最大推荐R当达到

T

。更高

工作循环可用，如果是允许一定量的脉冲宽度的抖动。

在输出脉冲的宽度，以设备的方差从设备典型地小于

±0.5%

对于给定的外部时机

组件。该分布为' 221的一个例子示于图3中的变化在输出脉冲宽度

相对于电源电压和温度为' 221顷示于图4和5 ，分别。

引脚分配这些设备的那些相同的SN54123 / SN74123或SN54LS123 / SN74LS123

使' 221或' LS221装置可以代替不使用重新触发的那些产品在系统

仅仅改变R的值

EXT

和/或C-

EXT

;然而，电容器的极性必须改变。

功能表

（每单稳态多谐振荡器）

输入

CLR

L

X

H

↑

A

X

H

X

L

↓

L

B

X

L

↑

H

输出

Q

L

Q

H

脉冲输出模式中测试

AC开关，在25℃ ，其中REXT = 2 kΩ，并将

CEXT = 80 pF的。

该条件为真，仅当输出

由两个与非门构成的锁存

已经习惯于逻辑1状态

之前， CLR会很高。这是插销

通过采取调节高或

B低，而CLR是无效的（高）。

2

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SN54221 ， SN54LS221 ， SN74221 ， SN74LS221

双单稳态触发器

带施密特触发器输入

SDLS213B - 1983年12月 - 修订2004年11月

时序元件连接

VCC

REXT

要CEXT

终奌站

要的REXT / CEXT

终奌站

注意：由于提供给内部电路，所述的Rext / CEXT终端从不低于建议电容终端更积极。

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3

SDLS213B - 1983年12月 - 修订2004年11月

SN54221 ， SN54LS221 ， SN74221 ， SN74LS221

双单稳态触发器

带施密特触发器输入

输入和输出的原理图

SN54/74221

等效每个输入

VCC

REQ

100

喃

典型所有输出

VCC

输入

产量

A输入： REQ = 4 kΩ的NOM

B， CLR输入： REQ = 2 kΩ的NOM

SN54/74LS221

等效每个输入

VCC

REQ

输入

典型所有输出

VCC

120

喃

产量

A输入： REQ = 25 kΩ的NOM

B输入： REQ = 15.4 kΩ的NOM

CLR ： REQ = 12.5 kΩ的NOM

4

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SN54221 ， SN54LS221 ， SN74221 ， SN74LS221

双单稳态触发器

带施密特触发器输入

SDLS213B - 1983年12月 - 修订2004年11月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ）： “ LS221 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7 V

’221 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5 V

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ）：D包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 73 ° C / W

DB包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 82 ° C / W

N包装，。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 67 ° C / W

NS包。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 64 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出钳位电流额定值观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注3 ）

SN54221

民

VCC

IOH

IOL

ΔV / ΔT

电源电压

高电平输出电流

低电平输出电流

B输入

上升或下降的输入脉冲率

A输入

1*

4.5

喃

5

最大

5.5

800

16

1

民

4.75

SN74221

喃

5

最大

5.25

800

16

单位

V

A

mA

V / S

V / μs的

TA

工作自由空气的温度

55

125

0

70

°C

关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，这个参数是不是生产测试。

注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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5

a

特点

预调整至0.25％最多4个象限误差（ AD534L ）

所有输入（ X，Y和Z ）差分，高阻抗

[(X

1

– X

2

) (Y

1

– Y

2

） / 10 V] + Z

2

传输功能

规模因子可调节，可提供高达X100增益

低噪音设计： 90 V RMS， 10 Hz至10 kHz的

低成本，单芯片结构

卓越的长期稳定性

应用

高质量的模拟信号处理

差动比和百分比计算中

三角和代数函数综合

宽带，高振幅RMS至DC转换

精确的电压控制振荡器和滤波器

可在芯片表

产品说明

X1

X2

内部调整

精密IC乘法器

AD534

销刀豆网络gurations

的TO- 100 （H- 10A）

包

的TO- 116 （D- 14）

包

X1

1

X2

2

SF

14

+V

S

13

NC

+V

S

OUT

AD534

顶视图

（不按比例）

NC

3

SF

4

AD534

12

OUT

Y1

Y2

–V

S

Z2

Z1

顶视图

11

Z1

（不按比例）

10

Z2

NC

5

Y1

6

Y2

7

9

8

NC

–V

S

NC =无连接

LCC （ E- 20A ）

包

NC

+V

S

NC

X2

3

X1

该AD534是一款单芯片激光调整四象限多

具有精度规格先前找到钳除法

只有昂贵的混合式或模块化产品。最多

乘法错误

±

0.25 ％，保证了AD534L

无需任何外部调整。出色的电源抑制，低

温度系数和芯片上的长期稳定性

薄膜电阻和嵌入式齐纳二极管基准保持精度

即使在使用的不利条件。它是第一乘法器，以

提供所有输入全差分，高阻抗的操作，

包括Z -输入功能，该功能极大地增加了其flex-

ibility和易用性。定标系数被预调整至

10.00 V标准值;通过外部电阻器的装置，这

可以减小到值低至3V。

应用宽光谱和几个可用性

等级赞扬这个乘数作为第一选择，对所有新

设计。该AD534J （ ± 1 ％最大误差）， AD534K （最大± 0.5 ％）

和AD534L （ ± 0.25 ％最大）工作在指定的

0 ° C至+ 70 °C温度范围。该AD534S （ ± 1 ％ max）和

AD534T （ ± 0.5 ％最大）的规定工作在扩展级温度

TURE范围， -55 ° C至+ 125°C 。所有的成绩都在她 - 提供

metically密封TO- 100金属罐和TO- 116陶瓷DIP

包。 AD534J ， K，S和T芯片也可提供。

提供增益，低噪音

2

1

20 19

NC 4

NC 5

SF 6

NC 7

NC 8

18个

AD534

顶视图

（不按比例）

17 NC

16 Z1

15 NC

14 Z2

9

Y1

10

Y2

11 12 13

–V

S

NC

NC =无连接

诸如那些用来产生正弦和正切。的效用

此功能被增强的AD534的固有的低噪声：

90

V,

均方根（取决于增益）， 10倍低于

以前的单片乘法器。漂移和馈通还

大大降低了早期的设计。

前所未有的灵活性

该AD534是第一个通用乘法器能够

提供增益可达X100 ，经常省去

独立的仪表放大器来预处理输入。

该AD534可以非常有效地作为一个可变增益

差分输入放大器具有高共模抑制比。

增益选项在所有模式下可用，并会发现

简化了许多功能，拟合算法的实现

精确的校准和差分的Z输入提供一定程度的

灵活发现没有其他当前可用的倍增器。

标准MDSSR功能（乘，除，平方，

平方根）很容易，而限制到实施

通过早期的设计施加特定的输入/输出极性有

被淘汰。信号可以累加到输出端，以

或没有增益和带正或负感。

许多基于隐函数合成的新模式具有

已经成为可能，通常只需要外部无源

组件。该输出可以是电流的形式，如

需要，促进这种操作的整合。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1999

AD534–SPECIFICATIONS

（ @ T = + 25℃ ，

A

V

S

= 15 V ，R

≥

2 k )

最大

民

AD534K

典型值

最大

民

AD534L

典型值

最大

单位

模型

民

倍增器性能

传输功能

总误差

1

(–10 V

≤

X，Y

≤

+10 V)

T

A

=最小值到最大值

总误差与温度的关系

标度因数误差

（ SF = 10.000 V标称）

2

的温度系数

定标电压

电源抑制（ ± 15 V

±

1 V)

非线性， X（ X = 20 V P-P ， Y = 10 V）

非线性， Y（ Y = 20 V P-P ， X = 10 V）

穿心

3

，X （Y调零，

X = 20 V P-P 50赫兹）

穿心

3

，Y （X调零，

Y = 20 V P-P 50赫兹）

输出失调电压

输出失调电压漂移

动态

小信号带宽（V

OUT

= 0.1 RMS）

1 ％的幅度误差（C

负载

= 1000 pF的）

压摆率（V

OUT

20 p-p)

稳定时间（至1 ％，

V

OUT

= 20 V)

噪音

噪声频谱密度SF = 10 V

SF = 3 V

4

宽带噪声F = 10 Hz至5 MHz的

宽带噪声

F = 10赫兹到10千赫兹

产量

输出电压摆幅

输出阻抗（F

≤

1千赫）

输出短路电流

(R

L

= 0, T

A

=最小值到最大值）

放大器的开环增益（ F = 50赫兹）

输入放大器（X ， Y和Z）

5

信号电压范围（差异。或CM

经营的Diff ）。

失调电压X，Y

失调电压漂移X，Y

失调电压

失调电压漂移

CMRR

偏置电流

失调电流

微分电阻

除法性能

传递函数（X

1

> X

2

)

总误差

1

（ X = 10 V ， -10 V

≤

Z

≤

+10 V)

（ X = 1 V ， -1 V

≤

Z

≤

+1 V)

(0.1 V

≤

X

≤

10 V, –10 V

≤

Z

≤

10 V)

广场展演

传输功能

总误差（ -10 V

≤

X

≤

10 V)

SQUARE- ROOTER性能

传递函数（Z

1

≤

Z

2

)

总误差

1

(1 V

≤

Z

≤

10 V)

电源规格

电源电压

额定性能

操作

电源电流

静

封装选项

的TO- 100 （H- 10A）

的TO- 116 （D- 14）

芯片

N

OTES

1

AD534J

典型值

(

X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

+

Z

2

10

V

(

X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

+

Z

2

10

V

(

X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

+

Z

2

10

V

±1.5

±0.022

±0.25

±0.02

±0.01

±0.4

±0.2

±0.3

±0.01

±5

200

1

50

20

2

0.8

0.4

1

90

11

0.1

30

70

±10

±12

±5

100

±5

200

80

0.8

0.1

10

(

Z

2

Z

1

)

+

Y

1

(

X

1

X

2

)

1.0

±

1.0

±

0.015

±

0.1

±

0.01

±

0.01

±

0.2

±

0.1

±

0.15

0.5

±

0.5

±

0.008

±

0.1

±

0.005

±

0.01

±

0.10

±

0.005

±

0.05

±

0.003

±

2

100

1

50

20

2

0.8

0.4

1

90

11

0.25

%

%/°C

%

%/°C

%

mV

μV/°C

兆赫

千赫

V / μs的

s

μV / √Hz的

毫伏/有效值

μV / rms的

V

mA

dB

V

mV

μV/°C

mV

μV/°C

dB

A

M

0.3

0.1

0.3

0.1

15

0.12

0.1

0.12

0.1

10

30

±

0.01

±

2

100

1

50

20

2

0.8

0.4

1

90

11

0.1

30

70

±

10

±

12

±

2

50

±

2

100

90

0.8

0.1

10

(

Z

2

Z

1

)

+

Y

1

(

X

1

X

2

)

0.1

30

70

±

10

±

12

±

2

50

±

2

100

90

0.8

0.05

10

(

Z

2

Z

1

)

+

Y

1

(

X

1

X

2

)

20

30

70

2.0

10

15

70

2.0

10

±

10

2.0

0.2

60

10

V

10

V

10

V

±0.75

±2.0

±2.5

(

X

1

X

2

)

2

+

Z

2

10

V

±

0.35

±

1.0

±

1.0

(

X

1

X

2

)

2

+

Z

2

10

V

±

0.2

±

0.8

±

0.8

(

X

1

X

2

)

2

+

Z

2

10

V

%

±0.6

10

V

(

Z

2

Z

1

)

+

X

2

±

0.3

10

V

(

Z

2

Z

1

)

+

X

2

±

0.2

10

V

(

Z

2

Z

1

)

+

X

2

%

±1.0

±15

18

4

AD534JH

AD534JD

6

±

0.5

±

15

18

4

AD534KH

AD534KD

AD534K芯片

6

±

0.25

±

15

18

4

6

AD534LH

AD534LD

%

±8

±

8

±

8

V

mA

图中给出的满量程的百分比，

±

10伏（即， 0.01 ％）=（ 1毫伏）。

2

可使用-V之间的外部电阻被降低到3V

S

和SF 。

3

不可约分量，由于非线性：不包括偏移的效果。

4

使用外部电阻调整为SF = 3 V.

5

请参阅功能框图部分定义。

规格若有变更，恕不诺蒂奇

e.

如图规格

粗体

是在最后的电气测试上的所有生产经营单位

测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的分，

最大规格有保证，但只有那些黑体字所示的测试

所有生产经营单位。

–2–

版本B

AD534

模型

民

倍增器性能

传输功能

总误差

1

(–10 V

≤

X，Y

≤

+10 V)

T

A

=最小值到最大值

总误差与温度的关系

标度因数误差

（ SF = 10.000 V标称）

2

的温度系数

定标电压

电源抑制（ ± 15 V

±

1 V)

非线性， X（ X = 20 V P-P ， Y = 10 V）

非线性， Y（ Y = 20 V P-P ， X = 10 V）

穿心

3

，X （Y调零，

X = 20 V P-P 50赫兹）

穿心

3

，Y （X调零，

Y = 20 V P-P 50赫兹）

输出失调电压

输出失调电压漂移

动态

小信号带宽（V

OUT

= 0.1 RMS）

1 ％的幅度误差（C

负载

= 1000 pF的）

压摆率（V

OUT

20 p-p)

稳定时间（至1 ％，

V

OUT

= 20 V)

噪音

噪声频谱密度SF = 10 V

SF = 3 V

4

宽带噪声F = 10 Hz至5 MHz的

宽带噪声

F = 10赫兹到10千赫兹

产量

输出电压摆幅

输出阻抗（F

≤

1千赫）

输出短路电流

(R

L

= 0, T

A

=最小值到最大值）

放大器的开环增益（ F = 50赫兹）

输入放大器（X ， Y和Z）

5

信号电压范围（差异。或CM

经营的Diff ）。

失调电压X，Y

失调电压漂移X，Y

失调电压

失调电压漂移

CMRR

偏置电流

失调电流

微分电阻

除法性能

传递函数（X

1

> X

2

)

总误差

1

（ X = 10 V ， -10 V

≤

Z

≤

+10 V)

（ X = 1 V ， -1 V

≤

Z

≤

+1 V)

(0.1 V

≤

X

≤

10 V, –10 V

≤

Z

≤

10 V)

广场展演

传输功能

总误差（ -10 V

≤

X

≤

10 V)

SQUARE- ROOTER性能

传递函数（Z

1

≤

Z

2

)

总误差

1

(1 V

≤

Z

≤

10 V)

电源规格

电源电压

额定性能

操作

电源电流

静

封装选项

的TO- 100 （H- 10A）

的TO- 116 （D- 14）

E-20A

芯片

N

OTES

1

AD534S

典型值

最大

民

AD534T

典型值

最大

单位

(

X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

+

Z

2

10

V

(

X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

+

Z

2

10

V

1.0

2.0

0.02

±0.25

±0.02

±0.01

±0.4

±0.2

±0.3

±0.01

±5

±1.0

±0.1

±0.01

±0.2

±0.1

±0.15

0.5

0.01

%

%/°C

%

0.005

0.3

0.1

0.3

0.1

15

300

%/°C

%

mV

μV/°C

兆赫

千赫

V / μs的

s

μV / √Hz的

毫伏/有效值

μV / rms的

V

mA

dB

V

mV

μV/°C

mV

μV/°C

dB

A

M

±

30

500

±0.01

±2

1

50

20

2

0.8

0.4

1.0

90

1

50

20

2

0.8

0.4

1.0

90

±

11

0.1

30

70

±10

±12

±5

100

±5

60

80

0.8

0.1

10

(

Z

2

Z

1

)

+

Y

1

(

X

1

X

2

)

±

11

0.1

30

70

±10

±12

±2

150

±2

70

2.0

90

0.8

0.1

10

(

Z

2

Z

1

)

+

Y

1

(

X

1

X

2

)

20

30

500

10

15

300

2.0

10

V

10

V

±0.75

±2.0

±2.5

(

X

1

X

2

)

2

+

Z

2

10

V

±0.35

±1.0

(

X

1

X

2

)

2

+

Z

2

10

V

%

±0.6

10

V

(

Z

2

Z

1

)

+

X

2

±0.3

10

V

(

Z

2

Z

1

)

+

X

2

%

±1.0

±15

22

4

AD534SH

AD534SD

AD534SE

AD534S芯片

6

±0.5

±15

22

4

AD534TH

AD534TD

AD534T芯片

6

%

±8

V

mA

图中给出的满量程的百分比，

±

10伏（即， 0.01 ％）=（ 1毫伏）。

2

可使用-V之间的外部电阻被降低到3V

S

和SF 。

3

不可约分量，由于非线性：不包括偏移的效果。

4

使用外部电阻调整为SF = 3 V.

5

请参阅功能框图部分定义。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

S

所示pecifications

粗体

是在最后的电气测试上的所有生产经营单位

测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的分，

最大规格有保证，但只有那些黑体字所示的测试

所有生产经营单位。

版本B

–3–

AD534

芯片尺寸和键合图

尺寸以英寸（毫米）所示。

联系工厂最新的尺寸。

X

1

X

2

+V

S

OUT

绝对最大额定值

AD534J ，K，L

电源电压

内部功耗

输出短路到接地

输入电压，X

1

X

2

Y

1

Y

2

Z

1

Z

2

额定工作温度范围

±

18 V

500毫瓦

不定

±

V

S

0 ° C至+ 70°C

AD534S ，T

±

22 V

*

-55℃

+125°C

-65 ° C至+ 150 ° C *

+300°C

*

SF

0.076

(1.93)

Z

1

存储温度范围

铅温度范围， 60秒焊接

*同AD534J规格。

+V

S

Y

1

Y

2

0.100 (2.54)

THE AD534可在激光 - 修剪的片形

–V

S

Z

2

50k

1k

470k

适当

输入端子

该

rmal

极特

–V

S

热阻

θ

JC

=为H- 10A 25 ° C / W

θ

JA

=为H- 10A 150 ° C / W

θ

JC

=为D-14或E -20A 25 ° C / W

θ

JA

=为D-14或E -20A 95 ° C / W

图1.可选配置微调

订购指南

模型

AD534JD

AD534KD

AD534LD

AD534JH

AD534JH/+

AD534KH

AD534KH/+

AD534LH

AD534K芯片

AD534SD

AD534SD/883B

AD534TD

AD534TD/883B

JM38510/13902BCA

JM38510/13901BCA

AD534SE

AD534SE/883B

AD534TE/883B

AD534SH

AD534SH/883B

AD534TH

AD534TH/883B

JM38510/13902BIA

JM38510/13901BIA

AD534S芯片

AD534T芯片

温度范围

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

包装说明

侧面钎焊DIP

标题

芯片

侧面钎焊DIP

LCC

标题

芯片

封装选项

D-14

H-10A

D-14

E-20A

H-10A

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD534具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

版本B

AD534

功能说明

图2是AD534的功能框图。输入是

变换由三个相同的电压 - 为差分电流

电流转换器，每个修剪的零点偏移。该产品

X和Y的电流是通过使用一个乘法器单元中产生

吉尔伯特的跨导技术。片上“埋齐纳”

提供了高度稳定的基准，这是激光修整，以

提供10的总比例因子V之间的差

XY / SF和Z被随后施加到高增益输出放大器。

这允许不同的闭环配置和dramati-

美云减小非线性，由于输入放大器，一个占主导

失真的恶性源早期的设计。的有效性

新计划可以从以下事实可以判断，根据典型

条件作为一个乘法器的Y输入的非线性，以

X在满量程（ ± 10 V ），是

±

FS的0.005 ％ ;即使在最坏的情况

点，即当x =

±6.4

伏，它是典型地仅

±

FS的非线性的信号的0.05 ％，施加到X输入，

另一方面，由多确定几乎完全

钳元素，是抛物线的形式。这个错误是一个主要

因素在确定单元，因此整体精度

密切相关的设备级。

AD534

SF

稳定

参考

和偏置

+V

S

–V

S

传输功能

X

1

X

2

Y

1

Y

2

Z

1

Z

2

+

V-1

–

(X

1

– X

2

) (Y

1

– Y

2

)

SF

用户可以通过10.00 V和3 V之间调整SF的值

与电位器连接的外部电阻串

SF和-V之间

S

。总电阻的近似值

tance为SF的给定值由下式给出的关系：

R

SF

=

5.4K

SF

10

SF

由于设备误差，应当宽容的改变

SF

;

by

±

使用电位计25％。显着地降低

偏置电流，噪声和漂移可以通过减小SF来实现。

这有增加信号增益的未经整体效果

习惯增加噪声。注意，峰值输入信号是

总是限于1.25 SF （即

±

5 V为SF = 4 V）所以整体

传递函数会显示1.25的最大增益。在per-

formance用小的输入信号，但是，通过改进

使用较低的SF因为输入的动态范围是现在

充分利用。带宽不会受使用这个选项。

电源电压

±

15 V一般都假定。不过，

令人满意的操作是可能的向下

±

8 V（参见图16）。

因为所有的输入保持恒定的峰值输入能力

±

1.25 SF一些反馈衰减，有必要

实现输出电压摆幅超过

±

12 V时使用

较高的电源电压。

操作为乘数

+

V-1

–

跨导

倍增器

元素

V

O

= A

– (Z

1

– Z

2

)

图3示出了用于乘法的基本连接。记

该电路将满足所有规格不修剪。

X输入

10V FS

12V PK

X

1

X

2

OUT

SF

Z

1

+V

S

+15V

A

高增益

产量

扩音器

OUT

+

V-1

–

0.75安泰信

输出， 12V PK

(X

1

– X

2

) (Y

1

– Y

2

)

=

+ Z

2

10V

可选的总结

INPUT ， Z， 10V PK

图2.功能框图

AD534

Z

2

Y输入

10V FS

12V PK

Y

1

Y

2

–V

S

–15V

广义传输函数的AD534由下式给出：

(

X

2

) (Y

1

Y

2

)

V

OUT

=

A

1

(

Z

1

Z

2

)

SF

哪里

A

输出放大器的=开环增益，通常

70分贝在DC

的X， Y，Z轴

=输入电压（满量程=

±

SF ，峰值=

±

1.25 SF ）

SF

=比例系数，预调整为10.00 V ，但可调

由用户向下至3V。

在大多数情况下的开环增益可以被视为无穷大，

和SF将是10V。由AD534执行操作，

然后可以在方程来描述：

图3.基本乘数连接

在某些情况下，用户可能希望减小交流馈通到一个

最小（如在一个抑制载波调制器）通过施加

外部调整电压（必需±30毫伏范围）与X或Y

输入（参见图1）。图19示出了典型的交流馈通

这种调整模式。需要注意的是在Y输入端的一个因素

比X输入端10下，并应在应用程序中使用

其中null抑制是非常关键的。

高阻抗Z

2

在AD534的终端可以被用来

综上所述附加信号到输出。在这种模式下，输出

放放大器相当于一个电压跟随器的1 MHz小

信号带宽和20 V / μs压摆率。此端子

总是被引用到从动系统的接地点，

尤其是，如果这是远程的。同样地，差分输入

应参照其各自的地潜力

实现AD534的完全准确度。

(

X

1

X

2

) (Y

1

Y

2

)

=

10

V

(

Z

1

Z

2

)

版本B

–5–

a

特点

预调整到1.0％（ AD532K ）

无需外部元件

保证1.0 ％的最大四象限误差（ AD532K ）

差动输入的（X

1

– X

2

) (Y

1

– Y

2

） / 10 V传输功能

单片式结构，低成本

应用

乘法，除法，磨边，广场生根

代数计算

功率测量

仪器仪表应用

可在芯片表

+V

S

内部调整

集成电路乘法器

AD532

销刀豆网络gurations

Y

2

Y

1

V

OS

Z

1

OUT

2

14

+V

S

13

Y

1

AD532

顶视图

（不按比例）

GND

–V

S 3

NC

4

AD532

12

Y

2

Z

X

2

顶视图

11

V

OS

（不按比例）

10

NC

5

GND

NC

6

9

8

X

2

NC

OUT

–V

S

X

1

X

1 7

NC =无连接

OUT

+V

S

NC

1

3

Z

2

20 19

Y

1

18

Y

2

17

NC

16

V

OS

15

NC

14

GND

–V

S 4

NC

5

NC

6

NC

7

NC

8

9

10 11 12 13

AD532

顶视图

（不按比例）

产品说明

该AD532是第一个预调整的单芯片单片多

钳/分。它保证了最大乘以误差

±

1.0 ％，和

±

而不需要任何10伏的输出电压

外部微调电阻器或输出运算放大器。因为

AD532的内部调整，它使用简单提供

设计工程师提供一个有吸引力的替代方案的模块化多

钳子，它的整体建设提供显著AD-

vantages在规模，可靠性和经济性。此外， AD532

可用作直接替换其他IC乘法器那

需要外部调整网络（如AD530 ）。

灵活性的操作

NC

X

1

NC =无连接

性能保证温度过高

在AD532乘以四个象限具有传递函数

重刑（X

1

– X

2

)(Y

1

– Y

2

） / 10 V ，分为两个象限

一个10 V Z / （X

1

– X

2

）的传输函数，和平方根在一个

象限具有的传递函数

±√

10 V Z.

此外

这些基本功能，差分X和Y输入提供

显著的操作灵活性，既为代数运算和

传感器仪表应用。传递函数

如XY / 10 V ，（X

2

– Y

2

)/10 V,

±

X

2

/ 10 V和10 V Z / （X

1

– X

2

),

很容易获得，而且在许多调制非常有用

和函数生成的应用程序，以及在三角

计算机载导航和制导应用，

其中，单片式结构的AD532的和小尺寸

提供了相当大的系统优势。另外，高

共模抑制比（75 dB）的差分输入使AD532

特别是很好地胜任仪表应用，因为它

可以提供是两个transducer-产品的输出信号

产生的输入信号。

该AD532J和AD532K是最大的多指定

的合股错误

±

2％和

±

满刻度分别为1％，

+ 25 ℃，额定工作为0℃至+ 70℃。该

AD532S具有最大值相乘的误差

±

满量程的1 ％

在+ 25°C ;它也是100％测试，以保证最大误差

of

±4%

在-55°C的扩展温度范围

和+ 125°C 。所有器件均可在hermetically-可用

密封TO- 100金属罐， TO- 116陶瓷DIP或LCC封装。

J，K和S级芯片也可提供。

的的ON- THE-片上微调优势

单片AD532

1.真正的修剪成比例，以提高电源抑制。

因为在整个支持无网络2.更低的功耗要求

帘布层是必需的。

3.由于标准的单芯片组装技术更可靠

可以使用，而不是更复杂的混合方法。

以忽略不计的电路4，高阻抗X和Y输入

装载。

5.差分X和Y输入，用于抑制噪声和额外

计算的灵活性。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1999

X

2

AD532–SPECIFICATIONS

模型

倍增器性能

传输功能

总误差（ -10 V

≤

X，Y

≤

+10 V)

T

A

=最小值到最大值

总误差与温度的关系

电源抑制（ ± 15 V

±

10%)

非线性， X（ X = 20 V峰峰值， Y = 10 V）

非线性， Y（ Y = 20 V峰峰值， X = 10 V）

穿心，X （Y调零，

X = 20 V峰峰值50赫兹）

穿心，Y （X调零，

Y = 20 V峰峰值50赫兹）

穿心与温度的关系

穿心 - 电源

动态

小信号带宽（V

OUT

= 0.1 RMS）

1 ％的幅度误差

压摆率（V

OUT

20 PK- PK）

稳定时间（至2 ％，

V

OUT

= 20 V)

噪音

宽带噪声F = 5 Hz至10 kHz的

宽带噪声

F = 5 Hz至5兆赫

产量

输出电压摆幅

输出阻抗（F

≤

1千赫）

输出失调电压

输出失调电压与温度的关系

输出失调电压与电源

输入放大器（X ， Y和Z）

信号电压范围（差异。或CM

工作的Diff ）

CMRR

输入偏置电流

X，Y输入

X，Y输入牛逼

民

给T

最大

Z输入

Z输入牛逼

民

给T

最大

失调电流

微分电阻

除法性能

传递函数（X

l

> X

2

)

总误差

(V

X

= –10 V, –10 V

≤

V

Z

≤

+10 V)

(V

X

= –1 V, –10 V

≤

V

Z

≤

+10 V)

广场展演

传输功能

总误差

开平方运算性能

传输功能

总误差（0V

≤

V

Z

≤

10 V)

电源规格

电源电压

额定性能

操作

电源电流

静

封装选项

的TO- 116 （D- 14）

的TO- 100 （H- 10A）

LCC （ E- 20A ）

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

（ @ +25 C，V

S

=

AD532J

典型值

最大

15 V ，R

≥

2 k

民

AD532K

典型值

V

OS

接地）

最大

民

AD532S

典型值

最大

单位

民

(X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

10

V

(X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

10

V

(X

1

–

X

2

)(Y

1

–

Y

2

)

10

V

±

1.5

±

2.5

±

0.04

±

0.05

±

0.8

±

0.3

50

30

2.0

±

0.25

1

75

45

1

0.6

3.0

2.0

±

0.7

±

1.5

±

0.03

±

0.05

±

0.5

±

0.2

30

25

1.0

±

0.25

1

75

45

1

0.6

3.0

1.0

±

0.5

±

0.01

±

0.05

±

0.5

±

0.2

100

80

30

25

1.0

±

0.25

1

75

45

1

0.6

3.0

±

10

30

±

13

1

±

2.5

±

10

50

4

15

1.5

8

±

5

±

25

±

0.1

10

4

1.0

4.0

0.04

%

%/°C

%/%

%

mV

mV的P-P /°C的

毫伏/ ％

兆赫

千赫

V / μs的

s

MV（ RMS）

V

mV

毫伏/°C的

毫伏/ ％

200

150

100

80

±

10

±

13

1

±

40

0.7

±

2.5

±

10

±

10

±

13

1

0.7

±

2.5

±

10

30

2.0

40

3

10

±

10

±

30

±

0.3

10

10 V Z / （X

1

– X

2

)

±

2

±

4

(X

1

–

X

2

)

10

V

2

50

1.5

8

±

5

±

25

±

0.1

10

10 V Z / （X

1

– X

2

)

±

1

±

3

(X

1

–

X

2

)

10

V

2

V

dB

A

M

15

10 V Z / （X

1

– X

2

)

±

1

±

3

(X

1

–

X

2

)

10

V

2

%

±

0.8

–√10

V

±

1.5

±

15

18

4

6

±

0.4

–√10

V

±

1.0

±

15

18

4

6

±

0.4

–√10

V

±

1.0

±

15

4

%

±

10

±

10

±

10

±

22

6

V

mA

AD532JD

AD532JH

AD532KD

AD532KH

AD532SD

AD532SH

AD532SE/883B

热特性

如图规格

粗体

是在最后的测试，对所有生产经营单位

电气试验。结果，从这些测试是用来计算即将离任的质量

的水平。所有的最小和最大规格有保证，但只有那些显示

in

粗体

所有生产经营单位进行了测试。

H- 10A ：

θ

JC

= 25 ° C / W ;

θ

JA

= 150 ° C / W

E- 20A ：

θ

JC

= 22 ° C / W ;

θ

JA

= 85°C / W

D-14:

θ

JC

= 22 ° C / W ;

θ

JA

= 85°C / W

–2–

版本B

AD532

订购指南

芯片尺寸和键合图

模型

AD532JD

AD532JD/+

AD532KD

AD532KD/+

AD532JH

AD532KH

AD532J芯片

AD532SD

AD532SD/883B

JM38510/13903BCA

AD532SE/883B

AD532SH

AD532SH/883B

JM38510/13903BIA

AD532S芯片

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

包

说明

侧面钎焊DIP

标题

芯片

侧面钎焊DIP

LCC

标题

芯片

包

选项

D-14

H-10A

D-14

E-20A

H-10A

联系工厂最新的尺寸。

尺寸以英寸（毫米）所示。

功能说明

为AD532的功能框图如图

1 ，与图2中的完整示意图。在乘法

和平方模式中，Z被连接到输出以关闭

围绕输出运算放大器的反馈。（在分割模式时，它是

用作输入端子）。

的X和Y输入被馈送到高阻抗差分上午

plifiers ，具有低失真和良好的共模rejec-

化。该放大器的偏移电压都在积极激光微调

在生产期间为零。的两个输入的乘积是

使用吉尔伯特的线性变压器的乘数电池解决

导技术。该电池激光微调，以获得

V

OUT

= (X

1

– X

2

)(Y

1

– Y

2

）/ 10伏。内置的运算放大器使用

以获得低的输出阻抗，并可以自包含

操作。剩余输出电压偏移可以在调零

V

OS

在关键应用。。。否则V

OS

引脚应

接地。

图1.功能框图

图2.原理图

版本B

–3–

AD532

AD532性能特点

AC穿心

乘法精度在总误差中的术语定义

+ 25°C的额定电源。指定的值是

满刻度和百分比包括X

IN

和Y

IN

非线性，

反馈和标度因数误差。对此必须加上这样的

应用程序相关的误差项为电源抑制，

共模抑制和温度系数（虽然

规定工作温度最坏的情况下错误的AD532S ）。

预计总误差为个人康波的均方根和

堂费，因为它们是不相关的。

在鸿沟模式精度只有一个稍微复杂一些。对

实现分工，乘法器单元必须在连接

输出的运算放大器的反馈，如图13所示。在此

结构中，乘法器单元而变化的闭环增益

在一个反比关系到分母电压的运算放大器

年龄。因此，作为分母变小，输出偏移，频带 -

宽度与其他乘法器单元错误受到不利的影响。该

除法错误和漂移然后

m

×

10 V / X

1

– X

2

），其中

m

代表乘数满量程误差和漂移，和（X

1

–X

2

）是

分母的绝对值。

非线性

AC馈通是乘数的零suppres-的措施

锡永。与一个输入为零时，乘法器输出应

零而不管信号施加到另一输入端。馈

通过作为频率为AD532的函数示于

图5.据测定为满足条件V

X

= 0, V

Y

= 20 V

（ P-P ）和V

Y

= 0, V

X

= 20 V（峰 - 峰值）在给定的频率

范围内。它主要由所述第二谐波，并且测

sured毫伏峰对峰的。

非线性容易在百分之谐波失真测量。

图3和图4定性输出的失真为曲线

输入信号电平及频率的分别的功能，用

在正负10伏直流电举行一个输入。图4中的正弦

波幅为20 V（ P-P ）。

图5.穿心与频率的关系

共模抑制

在AD532具有差分X和Y输入，以提高其

灵活性作为计算乘法器/除法器。共模

拒绝为两个输入作为频率的函数示于

图6.据测定了X

1

= X

2

= 20 V （ P-P ），（Y

1

– Y

2

) =

+ 10V DC和Y

1

= Y

2

= 20 V（峰 - 峰值），（Ⅹ

1

– X

2

） = 10 V直流。

图6. CMRR与频率的关系

图3.百分比失真与输入信号

图4.百分比失真与频率的关系

图7.频率响应，乘法

–4–

版本B

AD532

动态特性

噪声特性

在AD532中的多闭环频率响应

钳模式通常表现出的1 MHz的3 dB带宽和

6分贝/倍频程后滚降。通过所有的输入响应

基本相同，如图7所示。在分割模式，

闭环频率响应是绝对的函数

分母电压的值，如图8所示。

稳定的运行维护与容性负载1000 pF的

在所有模式下，除了平方根为这50 pF的是一个安全的

上限。高容性负载，如果一个100来驱动

电阻器串联连接以用于隔离的输出。

所有AD532s筛选上采样的基础，以确保

输出噪声都会对精度没有明显的影响。典型

校准点噪声与频率的关系示于图10 。

图10.点噪声与频率的关系

应用注意事项

利用AD532的性能和易用性，实现

通过对薄膜电阻激光微调沉积二

rectly在单片芯片上。此修整上的芯片技

NIQUE提供了在以下方面的一些显著优点

成本，可靠性和灵活性比常规的封装

修剪的安装或存放在一个现成的贴片电阻

混合基质。

图8.频率响应，分

电源注意事项

虽然AD532进行测试，并与指定的

±

15 V DC

用品，它可以从任何电源电压下工作

±

10 V

to

±

18伏特的J和K的版本，并

±

10 V至

±

22 V而S

版本。的输入和输出信号，必须减少比例

tionately以防止饱和;然而，在电源电压

下面

±

15 V时，如示于图9。由于电源灵敏度

性是不依赖于外部空网络作为AD530

和其它常规调零乘法器，电源

抑制比是从在AD532 3至40倍的改善。

首先，修整芯片上，无需

用于混合基体和另外的键合线是

电阻器和乘法器芯片之间必需的。通过切边

明的AD532芯片本身更合适的电阻，

曾经提交到外部的第二输入端子

修剪的网络（如AD530 ）已被释放，使全

差动运算同时在X和Y输入。另外，在

对于一个输入衰减器的要求来调整在Y中的增益

输入已经被淘汰，让用户充分利用

输入差分的高输入阻抗特性

放大器。因此， AD532提供了既具有更大的灵活性

代数计算和传感器仪器仪表

应用程序。

最后，提供精细微调输出电压偏移的

被列入。这个连接是可选的，但是，作为

AD532是工厂校准的总性能

在列出的规格说明。

更换其它的IC乘法器

使用的IC乘法器需要外部切边现有的设计

明的网络（如AD530 ）可以使用被简化

引脚对引脚可替换的AD532的仅仅接地

在X

2

, Y

2

和V

OS

终端。（在V

OS

终端应始终

接地时使用。）

图9.信号摆幅与供应

版本B

–5–