J105 / J106 / J107 / JFTJ105
J105
J106
J107
JFTJ105
G
D
G
SOT-223
G
S
S
TO-92
D
注:资料来源&漏
可互换
N沟道开关
该器件是专为模拟或数字开关应用
非常低的导通电阻是强制性的。从工艺59采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
5
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
J105 - 107
625
5.0
125
357
最大
JFTJ105
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
D(关闭)
V
GS ( OFF )
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
栅源截止电压
I
G
= - 10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 100°C
V
DS
= - 5.0 V, V
GS
= - 10 V
V
DS
= 5.0 V,I
D
= 1.0
A
105
106
107
- 4.5
- 2.0
- 0.5
- 25
- 3.0
- 200
3.0
- 10
- 6.0
- 4.5
V
nA
nA
nA
V
V
V
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V,I
GS
= 0
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
105
106
107
105
106
107
500
200
100
3.0
6.0
8.0
mA
mA
mA
r
DS (
on
)
漏源导通电阻
小信号特性
C
DG (上)
C
SG (上)
C
DG (关闭)
C
SG (关闭)
排水闸门&源门开
电容
漏极 - 栅极关断电容
源极 - 栅极关断电容
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
160
35
35
pF
pF
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
特征
200
I
D
- 漏电流(mA )
I
D
- 漏电流(mA )
V
=0V
GS
-1V
常见的漏源
特征
50
V
=0V
GS
T
A
= + 25 C
0
150
40
30
- 0.1V
典型值V
= -0.7V
GS ( OFF )
-2V
- 0.2V
100
-3V
20
10
0
- 0.3V
50
-4V
-5V
T
A
= + 25 C
0
-0.4V
- 0.5V
典型值V
= -5V
GS ( OFF )
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
- 漏 - 源电压(V )
2
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源电压(V )
5
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
(续)
典型特征
(续)
参数相互作用
)
电容VS电压
2,000
f=0.1-1.0MHz
200
r
r
DS
- 漏极"ON"电阻(
V
50
20
10
5
2
1
0.1
@ VDS = 5.0V , ID =为3nA
GS ( OFF )
I
D
- 漏电流(mA )
100
DS
1,000
I
DSS
顺式( CRS) - 电容(pF)
@ VDS = 100MV , VGS = 0
C
500
200
100
(V
=5V)
EI ?????? , 5
20
10
5
C
HI
(V
,5
=0V)
r
DS
50
20
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
V
GS
- 栅极截止电压( V)
10
10
1
0
-5
-10
-15
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
-20
---归一化电阻
归漏极电阻
VS偏置电压
- 漏极"ON"电阻(
)
20
10
5
V
GS ( OFF )
@ 5V ,为10uA
r
DSB
RDS
= ---------------
V
GS
1 - ----------
V
导通电阻VS
漏电流
V
GS
= 0
V
20
10
5
= - 3.0V
GS ( OFF )
+125 C
+125 C
+25 C
+25 C
- 55 C
V
= - 5.0V
GS ( OFF )
0
0
0
0
0
GS ( OFF )
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/ V
GS ( OFF )
归一化门源电压( V)
--
0.5
1
1
2
3
5
10
20 30
I
D
- 漏电流(mA )
50
100
5
r
DSB
输出电导(U姆欧)
- 跨导(U姆欧)
输出电导VS
漏电流
V DG = 5.0V
10V
15V
20V
10V
15V
20V
5.0V
10V
15V
20V
5.0V
V
r
DS
跨VS
漏电流
V DG = 10.0V
T
A
= +25
0
T
T
A
A
= - 55 C
= +25
0
0
0
C
C
F = 1.0 赫兹
T = 125
A
GS ( OFF )
20
10
-4.0V
20
10
V
= - 1.0V
GS ( OFF )
-2.0V
5
T A = 25
-1.0V
F = 1.0 赫兹
0
5
V
C
= - 3.0V
GS ( OFF )
= - 5.0V
GS ( OFF )
V
os
-
g
1
0.1
fs
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流(mA )
5
10
1
0.1
g
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流(mA )
5
10
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
(续)
典型特征
(续)
噪声电压VS
频率
20
V
DG
= 10 V
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗( W)
)
SOT-223
0.75
Hz
恩 - 噪声电压(NV /
15
BW = 6.0 Hz的@ F = 10Hz的, 100Hz的
= 0.2F @频率> 1.0 赫兹
TO-92
10
我= 1毫安
D
0.5
5
I
D
= 10毫安
0.25
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率(K赫兹)
30
100
0
0
25
50
75
100
温度(℃)
125
150
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration :
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT :
CBVK741B019
HTB : B
数量:
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID :
PN2222N
产品规格:
D / C1 :
D9842
SPEC REV :
QA REV :
B2
FSCINT
LABEL
( FSCINT )
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT : CBVK741B019
FSID : PN222N
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
数量: 2000
产品规格:
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
( TO- 92 )批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直: PKG 92 ,
94 ( NON PROELECTRON
系列), 96
TO- 92标准
直: PKG 94
( PROELECTRON系列
BCXXX , BFXXX , BSRXXX )
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月,修订版B1
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
分立功率&信号
技术
J105
J106
J107
JFTJ105
G
D
G
S
TO-92
D
G
SOT-223
S
N沟道开关
该器件是专为模拟或数字开关应用
非常低的导通电阻是强制性的。从工艺59采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
J105 / J106 / J107
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J105 J106 J107 JFTJ105
J105 J106 // // J107 / / NDSJ105
N沟道开关
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= - 10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 100°C
V
DS
= 15 V,I
D
= 10 nA的
J105
J106
J107
- 25
- 3.0
- 200
- 10
- 6.0
- 4.5
V
nA
nA
V
V
V
- 4.5
- 2.0
- 0.5
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V,I
GS
= 0
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
J105
J106
J107
J105
J106
J107
500
200
100
3.0
6.0
8.0
mA
mA
mA
r
DS (
on
)
漏源导通电阻
小信号特性
C
DG (上)
C
SG (上)
C
DG (关闭)
C
SG (关闭)
排水闸门&源门开
电容
漏极 - 栅极关断电容
源极 - 栅极关断电容
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 10 V , F = 1.0 MHz的
160
35
35
pF
pF
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
特征
200
I
D
- 漏电流(mA )
I
D
- 漏电流(mA )
V
=0 V
GS
-1V
常见的漏源
特征
50
V
=0V
GS
- 0.1V
T
A
= + 25 C
0
150
40
30
典型值V
= -0.7V
GS ( OFF )
-2V
- 0.2V
100
-3V
20
10
0
- 0.3V
50
-4V
-5V
T
A
= + 25 C
0
-0.4V
- 0.5V
典型值V
= -5V
GS ( OFF )
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
- 漏 - 源电压(V )
2
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源电压(V )
5
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
(续)
典型特征
(续)
参数相互作用
)
电容VS电压
2,000
f=0.1-1.0MHz
200
r
r
DS
- 漏极"ON"电阻(
50
20
10
5
2
V
@ VDS = 5.0V , ID =为3nA
GS ( OFF )
I
D
- 漏电流(mA )
100
DS
1,000
I
DSS
顺式( CRS) - 电容(pF)
@ VDS = 100MV , VGS = 0
C
500
200
100
is
(V
DS
= 5V)
20
10
5
C
rs
( V
DS
= 0 V )
r
DS
50
20
1
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
V
GS
- 栅极截止电压( V)
10
10
1
0
-5
-10
-15
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
-20
---归一化电阻
归漏极电阻
VS偏置电压
)
20
10
5
V
GS ( OFF )
@ 5V ,为10uA
r
RDS
= ---------------
V
GS
1 - ----------
V
导通电阻VS
漏电流
r
DS
- 漏极"ON"电阻(
V
GS
= 0
V
20
10
5
= - 3.0V
GS ( OFF )
DSB
0
+125 C
+125 C
0
0
GS ( OFF )
+25 C
+25 C
- 55 C
V
= - 5.0V
GS ( OFF )
0
0
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/ V
GS ( OFF )
归一化门源电压( V)
--
0.5
r
DSB
1
1
2
3
5
10
20 30
I
D
- 漏电流(mA )
50
100
输出电导(U姆欧)
- 跨导(U姆欧)
输出电导VS
漏电流
V DG = 5.0V
10V
15V
20V
10V
15V
20V
5.0V
10V
15V
20V
5.0V
V
跨VS
漏电流
V DG = 10.0V
T
A
= +25
0
T
A
= - 55 C
0
C
F = 1.0 赫兹
T A = 25
0
C
0
TA = + 125
GS ( OFF )
20
10
-4.0V
20
10
V
= - 1.0V
GS ( OFF )
-2.0V
5
T A = 25
-1.0V
F = 1.0 赫兹
0
5
V
C
= - 3.0V
GS ( OFF )
= - 5.0V
GS ( OFF )
V
os
-
g
1
0.1
fs
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流(mA )
5
10
1
0.1
g
0.2 0.3 0.5
1
2
3
I
D
- 漏电流(mA )
5
10
J105 / J106 / J107 / JFTJ105
N沟道开关
(续)
典型特征
(续)
噪声电压VS
频率
Hz
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗(MW )
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度(
o
C)
125
150
20
V
DG
= 10 V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10Hz的, 100Hz的
= 0.2F @频率> 1.0 赫兹
恩 - 噪声电压(NV /
)
15
TO-92
10
我= 1毫安
D
5
I
D
= 10毫安
0
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
的F - 频率(K赫兹)
30
100