【JDV4P08U东芝二极管硅外延平面型JDV4P08UVCO的UHF波段收音机高电容比：C1V/C4】,IC型号JDV4P08U_07,JDV4P08U_07 PDF资料,JDV4P08U

JDV4P08U

东芝二极管

硅外延平面型

JDV4P08U

VCO的UHF波段收音机

高电容比：C

= 3.0 （典型值）。

低串联电阻值：R

= 0.35

（典型值）。

该器件集成了两个二极管，它们没有共同的引脚，是

适合于高密度安装。

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

反向电压

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

125

55~125

单位

°C

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件（即工作

温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝设计相应的可靠性

半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

JEDEC

JEITA

东芝

―

1-2U1A

重0.006克（典型值）。

电气特性

（大

25°C)

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

符号

μA

10 V

1 V，F

1兆赫

4 V，F

1兆赫

1 V，F

470兆赫

测试条件

民

17.3

5.3

2.8

典型值。

18.3

6.1

3.0

0.35

最大

19.3

6.6

0.5

单位

注：信号电平，当电容测量： V

SIG

500毫伏有效值

2007-11-01

JDV4P08U

记号

2007-11-01

JDV4P08U

– V

100

1兆赫

25°C

0.4

0.5

– V

470兆赫

25°C

电容C

（PF ）

串联电阻r

(Ω)

0.3

0.2

0.1

0.3

反向电压

(V)

反向电压

(V)

- TA

(%)

1兆赫

1 V

静电容量变化率

注意：

100

C（钽）

C (25)

100 (%)

C (25)

周围温度Ta （

°C

)

2007-11-01

JDV4P08U

限制产品使用

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20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

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2007-11-01