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JDV2S10S
东芝二极管硅外延平面型
JDV2S10S
VCO的UHF波段收音机
高电容比：C
0.5V
/C
2.5V
=
2.5 （典型值）。
低串联电阻值：R
s
=
0.35
（典型值）。
此装置适用于在一个小尺寸的调谐器的使用。
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
10
150
55~150
单位
V
°C
°C
电气特性
（大
=
25°C)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
0.5V
C
2.5V
C
0.5V
/C
2.5V
r
s
I
R
=
1
A
V
R
=
10 V
V
R
=
0.5 V，F
=
1兆赫
V
R
=
2.5 V，F
=
1兆赫
V
R
=
1 V，F
=
470兆赫
测试条件
重量： 0.0011克
民
10
7.3
2.75
2.4
典型值。
2.5
0.35
最大
3
8.4
3.4
0.5
单位
V
nA
pF
注：信号电平，当电容测量： V
SIG
=
500毫伏有效值
记号
F
000707EAA2
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2001-01-09
1/2
JDV2S10S
C
V
– V
R
100
f
=
1兆赫
50
Ta
=
25°C
0.5
0.6
r
s
– V
R
f
=
470兆赫
Ta
=
25°C
（PF ）
30
()
串联电阻
1
2
3
4
5
6
C
V
电容
10
r
s
5
3
1
0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
反向电压
VR
(V)
反向电压
VR
(V)
000707EAA2
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-01-09
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