【JDV2S01S东芝二极管硅外延平面型JDV2S01SVCO的UHF频段以毫米单位高电容比：C1V/】,IC型号JDV2S01S,JDV2S01S PDF资料,JDV2S01S经销商,ic,电子元器件-51电子网

JDV2S01S

东芝二极管硅外延平面型

JDV2S01S

VCO的UHF频段

以毫米单位

高电容比：C

2.0 （典型值）。

低串联电阻值：R

0.5

（典型值）。

此装置适用于在一个小尺寸的调谐器的使用。

最大额定值

（大

25°C)

特征

反向电压

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

150

55~150

单位

°C

JEDEC

EIAJ

1-1K1A

电气特性

（大

25°C)

特征

反向电压

反向电流

电容

电容比

串联电阻

符号

10 V

1 V，F

1兆赫

4 V，F

1兆赫

1 V，F

470兆赫

测试条件

东芝

民

2.85

1.35

1.8

典型值。

3.15

1.57

0.5

最大

3.45

1.81

2.2

0.7

单位

注意：

信号时，电容测量的水平。 V

SIG

100毫伏有效值

记号

000707EAA2

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般

可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任

买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并

为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失

财产损失。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定

最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件

导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。

本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用

设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等）。这些东芝的产品

既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或

这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能

控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制

仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列

应在客户自己的风险进行。

2000-12-18

1/2

JDV2S01S

– V

1兆赫

VSIG

100毫伏有效值

0.7

0.8

– V

470兆赫

()

串联电阻

（PF ）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

电容

反向电压

(V)

反向电压

(V)

000707EAA2

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担

东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其

使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式

其他人。

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2000-12-18

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