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JDP3C13U
东芝二极管
硅外延引脚类型
JDP3C13U
UHF VHF频段射频开关应用
单位:mm
适用于降低集的大小,从实现高密度的结果
安装由于3针小型封装。
低串联电阻值:R
s
= 2.1
(典型值)。
低电容:C
T
= 0.24 pF的(典型值)。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
T
j
T
英镑
等级
30
50
150
55
150
单位
V
mA
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
1.Anode1
2.Anode2
3.Cathode
USM
JEDEC
JEITA
东芝
SOT-323
SC-70
1-2P1B
重量: 6.3毫克(典型值)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
反向电压
反向电流
正向电压
电容
串联电阻
符号
V
R
I
R
V
F
C
T
r
s
测试条件
I
R
= 10
μA
V
R
= 30 V
I
F
=
50毫安
V
R
=
1 V,F
=
1兆赫
I
F
=
10毫安,女
=
100兆赫
30
典型值。
0.91
0.24
2.1
最大
0.1
1.0
0.44
2.8
单位
V
μA
V
pF
注意:信号电平,当电容进行测量。 V
SIG
= 100毫伏有效值
记号
引脚分配
TS
1
2010-12-07
JDP3C13U
1
C
T
– V
R
f=1MHz
Ta=25
(Ω)
1000
r
s
– I
F
f=100Mz
Ta=25℃
电容C
T
(PF )
串联电阻r
s
100
10
0.1
0.1
1
反向电压
VR
(V)
1
10
0.1
1
正向电流IF
(MA )
10
2
2010-12-07
JDP3C13U
限制产品使用
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产品,或纳入产品到他们自己的应用程序,用户还必须参考,并符合第(一)的最新版本
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与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
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设计或应用程序; (二)评估和确定的任何信息本文件所载的适用性,或图表,
图表,程序,算法,样本应用电路,或任何其他引用的文件; (三)确认所有操作
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可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
3
2010-12-07
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