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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

JC549 ; JC550

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年7月08

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

通用开关和放大

在磁带录像机，高保真音响放大器低噪声级和

其他声频设备。

描述

NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。

PNP补充： JC559和JC560 。

Fig.1

1

手册， halfpage

JC549 ; JC550

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2

3

2

1

3

MAM259

简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）

和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

JC549

JC550

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

JC549

JC550

I

CM

P

合计

h

FE

f

T

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

开基

200

100

30

45

200

500

800

兆赫

V

V

mA

mW

发射极开路

30

50

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

1997年7月08

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

JC549

JC550

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

JC549

JC550

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

分钟。

JC549 ; JC550

马克斯。

30

50

30

45

5

100

200

200

500

+150

150

+150

V

V

V

V

V

单位

mA

mA

mA

mW

°C

°C

°C

价值

250

单位

K / W

1997年7月08

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

JC549B ; JC550B

JC549C ; JC550C

h

FE

直流电流增益

JC549 ; JC550

JC549B ; JC550B

JC549C ; JC550C

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和电压I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.5毫安;注1

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ;注意2

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

笔记

1. V

BESAT

降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。

2. V

BE

降低了约2毫伏/ K随温度的升高。

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

A;

V

CE

= 5 V;

参见图2和图3

分钟。

200

200

420

580

100

JC549 ; JC550

典型值。

150

270

290

520

90

200

700

900

660

2.5

11.5

马克斯。

15

5

100

800

450

800

250

600

700

770

4

4

单位

nA

A

nA

mV

mV

mV

mV

mV

mV

pF

pF

兆赫

dB

dB

1997年7月08

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

JC549 ; JC550

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

JC549B ; JC550B 。

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

JC549C ; JC550C 。

图3直流电流增益;典型值。

1997年7月08

5

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