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指数
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临时数据表号PD- 9.551B
JANTX2N6851
HEXFET
功率MOSFET
JANTXV2N6851
[ REF ： MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五]
[ GENERIC ： IRFF9230 ]
P沟道
-200伏， 0.80Ω HEXFET
HEXFET技术的关键在于国际
功率MOSFET的整流先进的线晶体管
器。高效的几何结构实现了非常低的导通
态电阻结合高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablish优点，如电压
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。他们是
非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴
加盟那些需要高可靠性的应用程序。
产品概述
产品型号
JANTX2N6851
JANTXV2N6851
BV
DSS
-200V
R
DS （ ON）
0.80
I
D
-4.0A
产品特点：
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ V GS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851
单位
-4.0
-2.4
-16
25
0.20
±20
-5.0
-55到150
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从
案例10.5秒为单位）
0.98 （典型值）
o
C
A
W
W / K
V
V / ns的
g
TO ORDER
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指数
下一页数据表
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
-200
—
—
—
-2.0
2.2
—
—
—
—
14.7
0.8
5.0
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
-0.22
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
0.80
1.68
-4.0
—
-25
-250
-100
100
34.8
7.0
17
50
100
100
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0毫安
参考至25℃ ， n = -1.0毫安
VGS = -10V ，ID = -2.4A
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS = VGS ， I D = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -2.4A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = -100V ， ID = -4.0A ，
RG = 7.5Ω ， VGS = -10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
15.0
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
700
200
40
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
-4.0
-16
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
-6.0
400
4.0
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -4.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -4.0A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
5.0
175
K / W
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
以前的数据表
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
指数
下一页数据表
图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向
电压
图。 8 - 最高安全工作区
图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度
图。 10A - 开关时间测试电路
图。 10B - 开关时间波形
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 13A - 栅极电荷测试电路
图。 13B - 基本栅极电荷波形
TO ORDER
PD - 90551D
IRFF9230
JANTX2N6851
重复性雪崩和dv / dt评分
JANTXV2N6851
HEXFET晶体管
JANS2N6851
直通孔（ TO- 205AF ）
REF ： MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
200V ， P- CHANNEL
产品概述
型号BVDSS
DS （ ON）
IRFF9230
-200V
0.80
I
D
-4.0A
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C
连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-4.0
-2.4
-16
25
0.20
±20
75
—
—
-5.0
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/20/01
IRFF9230
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
-200
—
—
—
-2.0
2.2
—
—
—
—
14.7
0.8
5.0
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.22
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
0.80
1.68
-4.0
—
-25
-250
-100
100
34.8
7.0
17
50
100
100
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -10V ，ID = -2.4A
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS = VGS ，ID = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -2.4A
VDS = -160V ， VGS = 0V
VDS = -160V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS = -100V
VDD = -100V ， ID = -4.0A ，
VGS = -10V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
700
200
40
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-20
-6.0
400
4.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = -4.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -4.0A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
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指数
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临时数据表号PD- 9.551B
JANTX2N6851
HEXFET
功率MOSFET
JANTXV2N6851
[ REF ： MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五]
[ GENERIC ： IRFF9230 ]
P沟道
-200伏， 0.80Ω HEXFET
HEXFET技术的关键在于国际
功率MOSFET的整流先进的线晶体管
器。高效的几何结构实现了非常低的导通
态电阻结合高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablish优点，如电压
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。他们是
非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴
加盟那些需要高可靠性的应用程序。
产品概述
产品型号
JANTX2N6851
JANTXV2N6851
BV
DSS
-200V
R
DS （ ON）
0.80
I
D
-4.0A
产品特点：
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ V GS = -10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851
单位
-4.0
-2.4
-16
25
0.20
±20
-5.0
-55到150
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从
案例10.5秒为单位）
0.98 （典型值）
o
C
A
W
W / K
V
V / ns的
g
TO ORDER
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指数
下一页数据表
JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
-200
—
—
—
-2.0
2.2
—
—
—
—
14.7
0.8
5.0
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
-0.22
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
0.80
1.68
-4.0
—
-25
-250
-100
100
34.8
7.0
17
50
100
100
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0毫安
参考至25℃ ， n = -1.0毫安
VGS = -10V ，ID = -2.4A
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS = VGS ， I D = -250μA
VDS > -15V ， IDS = -2.4A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ，ID = -4.0A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = -100V ， ID = -4.0A ，
RG = 7.5Ω ， VGS = -10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
15.0
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
700
200
40
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
-4.0
-16
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
-6.0
400
4.0
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -4.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -4.0A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
5.0
175
K / W
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
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JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
指数
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图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
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指数
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JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向
电压
图。 8 - 最高安全工作区
图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度
图。 10A - 开关时间测试电路
图。 10B - 开关时间波形
TO ORDER
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指数
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JANTX2N6851 ， JANTXV2N6851设备
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 13A - 栅极电荷测试电路
图。 13B - 基本栅极电荷波形
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