PD - 91666B
IRFE130
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
JANTX2N6796U
HEXFET晶体管
JANTXV2N6796U
表面贴装（ LCC- 18 ）
[ REF ： MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百]
100V N沟道
产品概述
产品型号
IRFE130
B
VDSS
100V
R
DS （ ON）
0.18
I
D
8.0A
的无引线芯片载体（LCC ）封装，表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装， LCC会给设计师
额外的灵活性，他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小，从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源，以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
8.0
5.0
32
25
0.17
±20
134
-
-
8.3
-55到150
300 （ 5秒）
0.42(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
1/17/01
IRFE130
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
—
—
—
2.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.18
0.207
4.0
—
25
250
100
-100
29
6.5
17
30
75
40
45
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 5.0A
VGS = 10V ，ID = 8.0A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 5.0A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 8.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 8.0A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
660
260
51
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
32
1.5
300
970
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C ， IS = 8.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.0A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
° C / W
19"
＆ QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFE130
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
顶部
100
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
T
J
= 25
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.5
8.0 A
I
D
= 7.4A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0.0
-60 -40 -20 0
V = 10V
GS
20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
，结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
PD - 91666B
IRFE130
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
JANTX2N6796U
HEXFET晶体管
JANTXV2N6796U
表面贴装（ LCC- 18 ）
[ REF ： MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百]
100V N沟道
产品概述
产品型号
IRFE130
B
VDSS
100V
R
DS （ ON）
0.18
I
D
8.0A
的无引线芯片载体（LCC ）封装，表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装， LCC会给设计师
额外的灵活性，他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小，从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源，以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
8.0
5.0
32
25
0.17
±20
134
-
-
8.3
-55到150
300 （ 5秒）
0.42(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
1/17/01
IRFE130
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
—
—
—
2.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.18
0.207
4.0
—
25
250
100
-100
29
6.5
17
30
75
40
45
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 5.0A
VGS = 10V ，ID = 8.0A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 5.0A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 8.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 8.0A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
660
260
51
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
32
1.5
300
970
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C ， IS = 8.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.0A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
° C / W
19"
＆ QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFE130
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
顶部
100
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
T
J
= 25
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.5
8.0 A
I
D
= 7.4A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0.0
-60 -40 -20 0
V = 10V
GS
20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
，结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
