【以前的数据表指数下一页数据表临时数据表号PD- 9.424BHEXFETJANTX2N6784功率M】,IC型号JANTXV2N6784,JANTXV2N6784 PDF资料,JANTXV2N6784经销商,ic,电子元器件-51电子网

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临时数据表号PD- 9.424B

HEXFET

JANTX2N6784

功率MOSFET

JANTXV2N6784

[ REF ： MIL -PRF- 556分之19500 ]

[ GENERIC ： IRFF210 ]

N沟道

产品概述

产品型号

JANTX2N6784

JANTXV2N6784

DSS

200V

DS （ ON）

1.5

2.25A

200伏， 1.5Ω HEXFET

HEXFET技术的关键在于国际

功率MOSFET的整流先进的线晶体管

器。高效的几何结构实现了非常低的导通

态电阻结合高跨导。

HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -

MOSFET的tablish优点，如电压

控制，非常快速的切换，方便并联和

电参数的温度稳定性。他们是

非常适合用于诸如开关电源

电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频

放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴

加盟那些需要高可靠性的应用程序。

产品特点：

雪崩能量评级

动态的dv / dt额定值

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

绝对最大额定值

参数

ID @ V GS = 10V ， TC = 25℃连续漏电流

ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流

IDM

漏电流脉冲

PD @ TC = 25°C

VGS

dv / dt的

TSTG

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度

重量

JANTX2N6784 ， JANTXV2N6784

单位

2.25

1.50

9.0

0.12

±20

5.0

-55到150

300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从

案例10.5秒为单位）

0.98 （典型值）

W / K

V / ns的

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JANTX2N6784 ， JANTXV2N6784设备

指数

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电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源

导通状态电阻

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

分钟。

200

—

2.0

0.9

—

4.3

0.7

0.5

—

TYP 。 MAX 。单位

—

0.25

—

5.0

—

1.5

1.725

4.0

—

250

100

-100

6.2

1.2

5.0

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 1.5A

VGS = 10V ， I D = 2.25A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS > 15V ， IDS = 1.5A

VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V

VDS = 0.8×最高评级

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ， I D = 2.25A

VDS =最大。评分×0.5

参见图6和图13

VDD = 100V ， ID = 2.25A ，

RG = 7.5Ω ， VGS = 10V

见图10

测量从

修改MOSFET

漏极引线的6mm （ 0.25

符号显示的

英寸）从包

内部电感。

中心模具。

测量从

来源铅的6mm

（0.25 ）从包

到源焊盘。

IGSS

QGS

QGD

TD （上）

TD （关闭）

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

—

西塞

科斯

CRSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

140

8.6

—

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0 MHz的

参见图5

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

我SM

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

分钟。典型值。马克斯。单位

—

2.25

9.0

测试条件

示出了修改后的MOSFET符号

积分反向p-n结整流器。

VSD

吨RR

Q RR

T ON

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

—

1.5

350

3.0

= 25°C ， IS = 2.25A ， VGS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 2.25A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

50V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

RthJA

结到外壳

结到环境

分钟。典型值。马克斯。单位

—

8.3

175

K / W

测试条件

典型的插座安装

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JANTX2N6784 ， JANTXV2N6784设备

指数

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图。 1 - 典型的输出特性

= 25°C

图。 2 - 典型的输出特性

= 150°C

图。 3 - 典型的传输特性

图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature

图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源

电压

图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源

电压

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图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向

电压

图。 8 - 最高安全工作区

图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度

图。 10A - 开关时间测试电路

图。 10B - 开关时间波形

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图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间

图。 12A - 非钳位感应测试电路

图。 12B - 松开电感的波形

图。 13A - 栅极电荷测试电路

图。 13B - 基本栅极电荷波形

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