技术参数
双PNP硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百九十六分之一万九千五
器件
2N5795
2N5796
2N5796U
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
0
价值
60
60
5.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
TO-78*
一
(1)
部分
0.5
总功耗
@ T
A
= +25 C
P
T
T
J
,
T
英镑
两
(2)
节
0.6
W
0
操作&存储结温范围
1 ）减额线性2.86毫瓦/
0
对于T
A
≥
+25
0
C
2 ）减额线性3.43毫瓦/
0
对于T
A
≥
+25
0
C
-65到+175
C
6 pin表面
MOUNT *
*请参阅
MILPRF19500 / 496
包装外形
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
分钟。
60
马克斯。
单位
VDC
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50伏直流
V
CBO
= 60 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 3.0伏
V
EB
= 5.0伏
10
10
100
10
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
42203
第1页2
2N5795 ， 2N5796 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征（ 1 ）
正向电流传输比
I
C
= 100
μAdc ，
V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏
I
C
= 100
μAdc ，
V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
2N5795
h
FE
40
40
40
40
20
20
75
100
100
100
50
50
150
2N5796
2N5796U
h
FE
300
V
CE （ SAT ）
0.4
1.6
1.3
2.6
2.0
10
8.0
25
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
小信号正向电流传输比大小
I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 2.0伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
C
IBO
t
t
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 150 MADC ;我
B1
=
15 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 150 MADC ;我
B1
=
I
B2
=
15 MADC
1)
脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
on
50
140
ηs
ηs
关闭
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
42203
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技术参数
双PNP硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百九十六分之一万九千五
器件
2N5795
2N5796
2N5796U
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
0
价值
60
60
5.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
TO-78*
一
(1)
部分
0.5
总功耗
@ T
A
= +25 C
P
T
T
J
,
T
英镑
两
(2)
节
0.6
W
0
操作&存储结温范围
1 ）减额线性2.86毫瓦/
0
对于T
A
≥
+25
0
C
2 ）减额线性3.43毫瓦/
0
对于T
A
≥
+25
0
C
-65到+175
C
6 pin表面
MOUNT *
*请参阅
MILPRF19500 / 496
包装外形
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
分钟。
60
马克斯。
单位
VDC
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50伏直流
V
CBO
= 60 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 3.0伏
V
EB
= 5.0伏
10
10
100
10
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
42203
第1页2
2N5795 ， 2N5796 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征（ 1 ）
正向电流传输比
I
C
= 100
μAdc ，
V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏
I
C
= 100
μAdc ，
V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC
2N5795
h
FE
40
40
40
40
20
20
75
100
100
100
50
50
150
2N5796
2N5796U
h
FE
300
V
CE （ SAT ）
0.4
1.6
1.3
2.6
2.0
10
8.0
25
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
小信号正向电流传输比大小
I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 2.0伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
C
IBO
t
t
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 150 MADC ;我
B1
=
15 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 150 MADC ;我
B1
=
I
B2
=
15 MADC
1)
脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
on
50
140
ηs
ηs
关闭
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
42203
第2页2
这是过时的文件的预印本。国防部长自动打印服务文件最后可能会稍微
由于电子转换过程中的不同格式。实际的技术内容将是相同的。
文档转换过程
必要遵守这一措施
修订由1998年12月15日完成
英制
MIL-PRF-19500/496B
1998年9月15日
取代
MIL-S-19500/496A(USAF)
1993年6月1日
性能规格表
半导体器件，晶体管，双通道， PNP ，规格化，
硅，类型2N5795 2N5796 ，和2N5796U ， JAN ， JANTX和JANTXV
该规范被批准用于所有Depart-使用
ments和国防部的机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了两个电隔离，无与伦比的PNP硅晶体管的性能要求
一个双单元的高速饱和开关应用。提供给每个设备类型为三个层次的产品保证
在MIL -PRF- 19500规定。
1.2物理尺寸。见图1和图2 （类似于： - 99）。
1.3最大额定值。除非另有规定，T
A
= +25°C.
P
T
1/
I
C
V
C
BO
V
CE
O
V
EB
O
T
J
和
T
英镑
T
A
= +25°C
一款
W
设备总
W
直流毫安
V
dc
60
V DC
V DC
°C
0.5
0.6
600
60
5.0
-65
+175
1 /用于T
A
≥
25℃ ，减免线性2.86毫瓦/°C的一个部分， 3.43毫瓦/°C的总和。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用改善这种
文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人： DSCC增值税， 3990东宽街，
哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过使用标准化文件改进建议（ DD表格1426 ）出现在结尾
本文件或信件。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/496B
1.4主要电气特性。除非另有规定，T
A
= +25°C.
C
敖包
V
CB
= 10 V DC
I
E
= 0
100千赫
≤
f
≤
1兆赫
|h
fe
|
V
CE
= 20 V DC
I
C
能力= 20 mA DC
F = 100 MHz的
t
on
开关
t
关闭
ns
pF
最低
最大
2.0
10.0
ns
8.0
50
140
范围
h
FE1
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 100
A
dc
民
最大
h
FE4
1/
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 150毫安DC
民
40
100
最大
150
300
V
CE(SAT)1
1/
I
C
= 150毫安DC
I
B
= 15毫安DC
V DC
V
CE(SAT)2
1/
I
C
= 500毫安DC
I
B
= 50毫安DC
V DC
V
BE(SAT)1
1/
I
C
= 150毫安DC
I
B
= 15毫安DC
V DC
2N5795
40
2N5796
75
1 /脉冲（见4.5.1 ） 。
2.适用文件
0.4
1.6
1.3
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节不包括
本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。虽然尽力了
已作出保证这个列表的完整性，文档的用户应注意，它们必须符合所有规定的要求
引用在第3和第4本说明书中，无论它们是否被列出的文档。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成本文档的一部分
在本文中所指定的范围。除非另有说明，这些文件的问题是那些在该部的发行上市
规格及（ DODISS ）补充防御指数标准和于此，引用在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL -PRF- 19500 - 半导体器件，一般规格。
标准
军事
MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。
（除非另有说明，可从标准化的上述规范，标准，和手册的副本
文档订购中心， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。 ）
2.3优先顺序。在本文档的文本和本文中所引用的参考文献之间存在冲突的情况下（除
相关的相关规范或规格表） ，该文档的文本为准。本文档中的任何内容，
然而，取代适用的法律法规，除非特别豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/496B
符号
英寸
民
CD
CD
1
CH
LD
LC
TW
TL
LL
α
.335
.305
.150
.016
尺寸
MILLIMETERS
民
最大
8.51
.335
3.81
0.41
9.40
8.51
4.70
0.53
笔记
最大
.370
.335
.185
.021
200 BSC
.028
.029
.500
45 BSC
.034
.045
5.08 BSC
0.71
0.74
12.70
45 BSC
0.86
1.14
4
3
6
N
.100 BSC
2.54 BSC
注意事项：
1.尺寸为英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.测量从该产品的最大直径。
4.信息具有最大直径0.019英寸（ 0.483毫米）的量具计划0.054英寸（1.37 MM） + 0.001英寸（ 0.025毫米）测定 -
0.000英寸（ 0.000毫米）产物的座位平面下方应在其真实位置相对的0.007英寸（ 0.178毫米）到
最大宽度标签。
5.产物可以通过直接方法或通过压力计测定。
6.标签中心线。
图1.物理尺寸。
3
MIL-PRF-19500/496B
3.要求
3.1资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性上市授权产品
之前签订合同适用的合格产品名单（见4.2和6.3 ） 。
3.2相关规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500和本文规定。
3.3缩写，符号和定义。缩写，符号，以及本文所用的定义应在被指定
MIL-PRF-19500.
3.4接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应在被指定为
MIL-PRF- 19500和在图1和图2在本文中。
3.4.1铅完成。铅涂层应焊在MIL -STD- 750 ， MIL -PRF- 19500中定义，并在此。其中，铅的选择
表层的，应当将取得的文件（见6.2）中指定。
3.5标记。标志应符合MIL -PRF- 19500 。
3.6电气性能特性。除非另有规定，电气性能特点
在1.3 ， 1.4和表我在此规定。
3.7电气试验的要求。电气试验要求应在4.4.2和4.4.3此处指定的子组。
4.验证
4.1分类检查。此规定的检验要求分类如下：
a.
b.
c.
资质检查（见4.2） 。
筛选（见4.3 ）
一致性检查（见4.4 ） 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500和在此。
4.3筛选（只JANTX和JANTXV水平） 。筛选应符合附录E， MIL -PRF- 19500 ，并作为
本文规定。下面的测量应符合表我在此提出。超过表I的限制装置
本文所不能接受。
屏幕上（参见
附录E.
MIL-PRF-19500
3c
11
12
13
测量
JANTX和JANTXV水平
热阻抗（见4.3.2 ）
I
CBO2
和H
FE4
参见4.3.1 ， 80小时
表我这里的亚组2 ;
I
CBO2
= 100 ％的初始值或5 nA的直流;以较高者为准。
h
FE4
=
±
25％的初始值。
5
QQ：2880707522 复制
