【文档转换过程必要遵守这一措施修订由1998年3月20日完成英制MIL-PRF-19500/535B1】,IC型号JANTXV2N5003,JANTXV2N5003 PDF资料,JANTXV2N5003经销商,ic,电子元器件-51电子网

文档转换过程

必要遵守这一措施

修订由1998年3月20日完成

英制

MIL-PRF-19500/535B

1997年12月20日

取代

MIL-S-19500/535A(USAF)

1994年1月28日

性能规格表

半导体器件，晶体管PNP硅，电

类型2N5003 ， 2N5005 ， JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHC ，和JANKC

该规范被批准用于所有Depart-使用

ments和国防部的机构。

1.范围

1.1适用范围。本说明书包括在高速为PNP型，硅，功率晶体管的性能要求使用

功率开关应用。提供给每个设备类型四个级别的产品保证在MIL- PRF-规定

还提供了未封装的裸片19500两个级别的产品保证。

1.2物理尺寸。见图1 （ T6 -C ，类似T0-59 ）和图2 （ JANHC和JANKC ）。

1.3最大额定值。

= +25

V DC

100

V DC

5.5

直流

CBO

首席执行官

EBO

反向

脉冲4 /

能源

英镑

和

-65到+200

1 /线性降额11.4毫瓦/

对于T

> +25

2 /线性降额331毫瓦/

对于T

> +25

3 /该值适用于P

≤

8.3毫秒，占空比

≤

1％。

4 /该评级是基于晶体管的能力，在非夹紧感性负载的能量测试电路安全地操作

的图4 。

1.4 。在T初级电气特性

= +25

FE2

= 5 V

= 2.5A

2N5003

2N5005

= 5 V

= 500毫安DC

F = 10MHz的

2N5003

2N5005

V DC

民

最大

200

2.2

1.5

250

V DC

C / W

BE(sat)2

= 5 A DC

= 500毫安DC

CE(Sat)2

= 5 A DC

= 500毫安DC

敖包

= 10 V DC

= 0

F = 1 MHz的

范围

1 /脉冲（参见4.5.1 ）

有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的

提高这个文件应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人：

DSCC增值税， 3990东宽街，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档

改进建议（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。

美国超导公司N / A

分配表A.获准公开发行;分布是无限的。

FSC 5961

MIL-PRF-19500/535B

2.适用文件

2.1 。一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节内容

不包括本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。

虽然已尽力确保本清单的完整性，文档的用户应注意，它们必须满足

所有指定引用的第3和第4本说明书中的需求文档，无论它们是否被列出。

2.2 。政府文件。

2.2.1 。规范，标准和手册。以下规范，标准，和手册构成的一部分

本文在此指明的范围。除非另有说明，这些文件的问题都没有在这个列

发行规格和标准防御指数部（ DoDISS ）和补充于此，引用了

征集活动（见6.2）。

规范

国防部

MIL -PRF- 19500 - 半导体器件，一般规格。

标准

军事

MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。

（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本

标准化文档订购中心， 700罗宾斯大道，大厦4D ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。）

2.3 。优先顺序。在本文档的文本和本文中所引用的参考文献之间存在冲突的情况下

（除了相关的相关规范或规格表），该文档的文本为准。在没有

这个文件，但是，取代适用的法律法规，除非特别豁免已获得。

3.要求

3.1 。任职资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性授权产品

对之前签订合同适用的合格产品列表，列出（见4.2和6.3 ）。

3.2 。相关的详细规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500 ，并作为

本文规定。

3.3 。缩写，符号和定义。缩写，符号和本文所用的定义应为指定

在MIL -PRF- 19500 。

3.4 。接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应为

在图1 （ T6 -C ）（ T0-59 ）和图2 （ JANHC和JANKC ）本文规定。

3.4.1 。牵头完成。除非另有规定，铅涂层应焊符合MIL -PRF- 19500 ， MIL-

STD- 750中，并在本文中。

3.4.2 。电流密度。内导体的电流密度应符合MIL -PRF- 19500规定。

3.4.3 。建设。这些设备应的方式和使用材料使THA晶体管构建

符合MIL -PRF- 19500和此文件的适用要求。

MIL-PRF-19500/535B

LTR

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

---

.330

.370

.320

.424

.090

.575

.185

.090

.400

---

.040

.155

.250

.360

.437

.468

.437

.150

.763

.215

.110

.455

.078

.065

.189

---

8.38

9.40

8.13

10.77

2.67

14.61

4.70

2.29

10.16

---

1.02

3.94

6.35

9.14

11.10

11.80

11.10

3.81

19.40

5.46

2.79

11.56

1.98

1.65

4.80

笔记

OAH

4, 8

注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.公制等值给出的只是一般信息。

3.请参阅FED -STD- H28 ， “螺纹联邦服务标准” 。

4.相对于十六进制单位的端子的取向不加控制。

5.所有三个终端。

6.情况下可以在任何地方测量的座位平面上内螺柱0.125 （3.18毫米）。

7.端子间距只有在底座测量。

8.该尺寸适用于端子的中心线的位置。

9.终端 - 1 ，发射器;终端 - 2 ，基地;终端 - 3 ，收集器。集电极引线从壳体分离。

晶体管类型图1.物理尺寸（ JAN ， JANTX ，并JANTXV ）

2N5003and 2N5005 （ T0-59 ）。

MIL-PRF-19500/535B

LTR

英寸

民

.117

尺寸

MILLIMETERS

民

2.97

最大

3.23

最大

.127

注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.公制当量（毫米）是在括号中。

3.度量等价，给出了唯一的一般信息。

4.除另有规定外，有容乃

.005 (0.13 mm).

5.模具的物理特性;

厚度： 0.008 （0.20毫米）至0.012 （0.30 MM），有容乃

.005 (0.13 mm).

顶部金属：铝， 40000最低50000标称。

背面金属：黄金2500最低， 3000的标称。

背面：收藏家。

焊盘： B = 0.015英寸（0.38 mm ）× 0.0072 （ 0.183 ）。

E = 0.015英寸（0.38 mm ）× 0.0060 （ 0.152 ）。

英寸毫米

.005 0.13

.006 0.15

.0072 0.183

.008 0.20

.012 0.30

.015 0.38

.117 2.97

.127 3.23

图2.物理尺寸JANHCA和JANKCA死亡尺寸。

MIL-PRF-19500/535B

3.5 。标记。设备应符合MIL -PRF- 19500 。

3.6 。电气性能特性。除非本文另有规定，电气性能特性

在1.3 ， 1.4和表我在此规定。

3.7 。电气试验的要求。电气试验要求应在4.4.2规定的亚组

和4.4.3于此。

4.验证

4.1 。检查分类。此规定的检验要求分类如下：

资质检查（见4.2）。

筛选（见4.3 ）

一致性检查（见4.4 ）。

4.2 。资质检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500 。

4.2.1 。 JANHC和JANKC设备。资格JANHC和JANKC装置应符合附录G

MIL-PRF-19500.

4.3 。筛选（ JANS ， JANTX和JANTXV只有水平）。筛选应符合MIL -PRF- 19500 （附录

E，表Ⅳ），并作为本文指定。下面的测量应符合表我在此提出。设备

超出表的限度予本文所不能接受。

画面（见附录E，

表四， MIL -PRF- 19500 ）

JANS级

热阻抗（见4.3.2 ）

测量

JANTX和JANTXV水平

热阻抗（见4.3.2 ）

CES1

和H

FE2

不适用

CES1

= 100 ％甚至100 nA的为准

更大;

FE2

了20％。

CES1

和H

FE2

参见4.3.1

子组2和3中的表I所述的：

CES1

=初始值的100 ％的或

100 nA的，以较高者为准

FE2

了20％。

表2小组我这里：

CES1

=初始值的100 ％的或

100 nA的，以较高者为准

FE2

了20％。

1 /可能是随时随地9屏幕之前进行。

4.3.1 。电源老化条件。功率的老化条件如下：T已

在一般的定义=室内环境

MIL-STD- 750的要求，（见4.5） ; V

= 40 V

1 V，P

= 2.0 w（分钟）