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1N5907和1N5908
1500 W低电压瞬变
电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
这对单向的低电压的瞬态电压抑制器( TVS )
为1N5907和1N5908 JEDEC注册有不同的设备
包有1500相同的高峰值脉冲功率等级W和
极其快速的响应时间。该1N5907是一个合格的军人提供
如本文中的特色部分中描述的版本。它们最常用于
保护免受电感式开关瞬变的环境,诱导
RF的影响,或在水平激增发现诱导二次雷电影响
IEC61000-4-5本文中所描述。它们也可用于保护非常成功
当低电压,需要机载航空电子设备和电气系统。自
其响应时间几乎是瞬间的,它们也可以免受ESD保护
和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 。
两个不透气的密封和模塑类型可用。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-13
(DO-202AA)
案例1
特点
单向TVS系列通孔安装
抑制瞬变高达1500瓦特@ 10/1000微秒(图1)
在小于100微微秒
低工作电压(V
WM
)的5 V
气密密封, 1N5907和塑料DO- 13金属封装
“案例1” 1N5908
JAN / TX /热力膨胀阀适用于每MIL- 1N5907军事资质
PRF - 500分之19500加入JAN , JANTX ,或JANTXV前缀,如
JANTXV1N5907
表面贴装也可作为SMCJ5.0相当于包
或SMCG5.0在单独的数据表(咨询工厂其他
表面贴装选项)
应用/优势
保护开关瞬态和感应RF
保护TTL , ECL , DTL , MOS ,微星等
集成电路需要5.0 V或更低的功耗
耗材
保护免受ESD和EFT符合IEC 61000-4-2和
IEC 61000-4-4
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
42欧姆源阻抗: 1级通4
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
12欧姆源阻抗: 1级通4
每IEC61000-4-5次级雷击保护,
2欧姆源阻抗: 2级& 3
1N5907固有的辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
1500瓦为10/1000
s
在铅温度(T
L
) 25
o
C(见图。
1 ,2和4)为0.01 %或更少的重复率*
操作&存储温度: -65
o
到+175
o
下1N5907
-65
o
+150
o
下1N5908
热阻(交界处领导) : 50
o
对于1N5907 C / W或
22
o
为1N5908在从主体0.375英寸( 10mm)的C / W的
热阻(结到环境) : 110
o
对于C / W
1N5907或82
o
对于1N5908安装在FR4印刷电路板时, C / W
为4 mm
2
铜垫(1盎司)和跟踪宽1毫米,长25毫米
DC功耗* ( 1N5907 ) : 1瓦在T
L
<125
o
C 3/8” (10
毫米)从主体,或1瓦特在T
A
≤+65
o
安装FR4 PC上。当C
主板所描述的热阻结到环境
DC功耗* ( 1N5908 ) : 5瓦在T
L
<+40
o
C 3/8” (10
毫米)从主体,或1.52瓦特在T
A
= +25
o
安装在FR4当C
PC板所描述的热阻结到环境
正向浪涌电流: 200 A为8.3ms的在T正弦半波
A
=
+25
o
C
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
CASE ( 1N5907 ) : DO - 13 ( DO- 202AA )焊接
气密密封的金属和玻璃的
案例( 1N5908 ) : “情况1 ”太虚自由转会成型
热固性环氧机构会议UL94V- 0
表面处理:外部金属表面锡铅( Sn-
以Pb计)镀每MIL -STD- 750方法
2026
极性:极性指示的二极管符号或
阴极带(阴极连接情况下1N5907 )
标记:部件号和极性符号
重量:2.3克。 (约)
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 296 (加
“ TR ”后缀的部件号)
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5907 1N5908直通
*
TVS器件通常不用于直流功耗,相反,却等于或小于其额定隔绝电压操作
(V
WM
)除了瞬变简要驱动设备进入雪崩击穿(V
BR
到V
C
区域)。
版权
2002
2003年11月6日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
1N5907和1N5908
1500 W低电压瞬变
电压抑制器
斯科茨代尔区划
电气特性@ 25
o
C
JEDEC
TYPE
反向
STANDOFF
电压
V
WM
(注1 )
WWW .
Microsemi的
.C
OM
最低
击穿
电压
V
( BR )
@ 1毫安
最大
待机
当前
I
D
@ V
WM
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP1
(图3)的
峰值脉冲
当前
I
PP1
(图3)的
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP2
(图3)的
峰值脉冲
当前
I
PP2
(图3)的
最大
夹紧
电压
V
C
@ I
PP3
(图3)的
峰值脉冲
当前
I
PP3
(图3)的
安培
120
120
安培
安培
A
1N5907*
5.0
6.0
300
7.6
30
8.0
60
8.5
1N5908
5.0
6.0
300
7.6
30
8.0
60
8.5
*军工资质类型,每MIL -PRF-五百分之一万九千五一个JAN , JANTX ,或JANTXV前缀也可以。
注1 :
一个TVS是根据反“断态电压”V通常选择
WM
这应该是等于或大于直流或
连续峰值工作voltge水平。
符号
V
WM
V
( BR )
V
C
符号定义&
德网络nition
断态电压:施加反向电压,以确保非导电状态。 (见注1以上)
击穿电压:这是击穿电压器件将参展25
o
C
最大钳位电压:最大峰值电压出现在TVS当经受
峰值脉冲电流在1毫秒的时间间隔。的峰值脉冲电压的电压上升的组合
由于两个串联电阻和热上升和正温度系数(
α
V( BR )
)
峰值脉冲电流:脉冲期间的峰值电流(参见图2 )
峰值脉冲功率:如用V的乘积决定的脉冲功率
C
PP
待机电流:在断态电压电流(V
WM
)
击穿电流:用于测量击穿电压电流(V
( BR )
)
I
PP
P
PP
I
D
I
( BR )
图的
1N5907 1N5908直通
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
图2
降额曲线
版权
2002
2003年11月6日REV A
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第2页
1N5907和1N5908
1500 W低电压瞬变
电压抑制器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
测试波形
参数
TR = 10
s
TP = 1000
s
科幻gure 3
脉冲波形
图4
典型钳位电压(V
C
)
VS.峰值脉冲电流(I
PP
)
包装尺寸
1N5907 1N5908直通
5907直通1N5908
以英寸所有尺寸
mm
DO-13
(DO-202AA)
尺寸:mm
和英寸
案例1
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第3页
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