1N5418
JAN1N5418
JANTX1N5418
JANTXV1N5418
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表125 ， REV B
HIGH CURRENT轴向引线整流器
说明： 400伏， 3.0 AMP ， 2000纳秒整流器
MAX 。额定值/电气特性
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
条件
-
T
A
= +55
o
C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
-
I
f
= 9.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
I
f
= 0.5A ，我
r
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
d = 0.375”
-
-
-
-
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
400
3.0
80
单位
VDC
安培
安培（ PK）
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
最大正向
电压（V
f
)
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
反向恢复时间
(t
rr
)
热阻（ θ
JL
)
-65
-
-
-
+175
1.5
°C
伏
-
-
1.0
20
150
20
μAMPS
纳秒
°
C / W
外形尺寸（英寸） / （毫米） ，最小/最大。
0.042 (1.07
0.037 0.94)
PKG 。 301
.180 (4.57
.115 2.92)
.260 (6.60
.130 3.30)
1.30 (33.0
0.90 22.9)
注意：
在阴极侧上的二极管体的一侧标有深色条带。
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真631 242 9798
万维网 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
1N5418
JAN1N5418
JANTX1N5418
JANTXV1N5418
SENSITRON SEMICONDUCTOR
技术参数
数据表125 ， REV B
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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1N5415 1N5420直通
无空隙气密密封FAST
回收玻璃整流器
每个合格的MIL -PRF-四百十一分之一万九千五
描述
这种“快速恢复”整流二极管系列产品是合格的军人，是理想的高可靠性应用
其中一个故障是不能容许的。这些行业公认的3.0安培额定整流器的工作高峰期
从50到600伏的反向电压是密封用无空隙玻璃建筑用
内部的“类别
1”
冶金结合。这些器件还提供表面贴装MELF
封装配置。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高
较低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括快速和超快速器件
在这两个通孔和表面贴装型封装。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
可在
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版本
资质等级：
JAN ， JANTX ， JANTXV
与JANS
特点
热门JEDEC注册1N5415 1N5420直通系列。
无空隙的密封的玻璃封装。
四层钝化。
内部的“类别
1”
冶金结合。
工作峰值反向电压50至600伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS资格提供符合MIL -PRF-四百十一分之一万九千五。
提供符合RoHS标准的版本（仅适用于商用级） 。
“B”套餐
也可用于：
“B” SQ- MELF
（D- 5B）包
（表面贴装）
1N5415US - 1N5420US
应用/优势
快速恢复3安培50至600伏的整流。
军事和其它高可靠性应用。
一般整流应用，包括桥梁，半桥，钳位二极管等
高正向浪涌电流能力。
极其坚固的结构。
低热阻。
控制雪崩与反向峰值功率的能力。
天生辐射硬如Microsemi的描述“ MicroNote
050”.
最大额定值
参数/测试条件
结温和存储温度
(1)
热阻结到铅
正向浪涌电流@ 8.3 ms半正弦波
(4)
o
平均正向电流整流
@ T
A
= +55 C
@ T
A
= +100
o
C
工作峰值反向电压
1N5415
1N5416
1N5417
1N5418
1N5419
1N5420
(5)
最大反向恢复时间
1N5415
1N5416
1N5417
1N5418
1N5419
1N5420
焊锡温度@ 10秒
请参阅下页的笔记。
符号
T
J
和T
英镑
R
θJL
I
FSM
(2, 3)
I
O
(3)
I
O
V
RWM
价值
-65到+175
22
80
3
2
50
100
200
400
500
600
150
150
150
150
250
400
260
单位
o
C
C / W
A
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
o
V
t
rr
ns
T
SP
o
C
T4 - LDS- 0231 ，修订版1（ 111902 ）
2011 Microsemi的公司
第1页5
1N5415 1N5420直通
最大额定值
注意事项：
1.
2.
3.
4.
在3/8英寸（10毫米）的车身引线长度。
o
o
o
线性降额在22毫安/ ℃， 55℃ <牛逼
A
< 100℃。
上述牛逼
A
= 100
o
C，线性降额在26.7毫安/
o
C到零在T
A
= 175
o
C.
这些环境的评级是用于PC板，其中从安装点到环境的热阻是充分控制，其中T
J（下最大）
o
不超过175 ℃。
5. I
F
= 0.5 A，I
RM
= 1 A，I
R（ REC ）
= 0.250 A.
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃钨蛞蝓。
终端：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb）的铜线。符合RoHS标准雾锡仅适用于商用级。
标志：车身油漆和零件号。
极性：负极带。
TAPE & REEL选项：按照EIA -296标准。联系工厂的数量。
重量： 750毫克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
JANS = JANS级别
空白=商业
JEDEC型号
SEE
电气特性
表
1N5415
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准（可
商业级只）
空白=不符合RoHS标准
符号
V
BR
V
RWM
I
O
V
F
I
R
t
rr
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作温度范围内的最大峰值电压
不包括所有的瞬态电压（编号JESD282 -B ） 。
平均整流输出电流：输出电流平均一个周期， 50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大反向电流：最大反向（漏）电流将流在指定的电压和
温度。
从改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
向前的方向到相反的方向，并在指定的衰减点的峰值反向电流后发生。
T4 - LDS- 0231 ，修订版1（ 111902 ）
2011 Microsemi的公司
页2的5
1N5415 1N5420直通
电气特性
最低
击穿
电压
TYPE
V
BR
@ 50
A
伏
55
110
220
440
550
660
分钟。
伏
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
马克斯。
伏
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
25
o
C
A
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
100
o
C
A
20
20
20
20
20
20
pF
550
430
250
165
140
120
前锋
电压
V
F
@ 9 A
最大
反向
当前
I
R
@ V
RWM
电容
C
V
R
@ 4 V
1N5415
1N5416
1N5417
1N5418
1N5419
1N5420
注1 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 1 A，I
R（ REC ）
= 0.250 A.
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2011 Microsemi的公司
第3 5
1N5415 1N5420直通
图的
I
F
- 电流（ μA ）
Z
θJX
(
o
C
/瓦）
PIV ％
图1
典型的反向电流与PIV
t
H
加热时间（秒）
图2
最大热阻抗
I
F
- 电流（A ）
V
F
- 电压（V ）
科幻gure 3
典型的正向电流与正向电压
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第4 5
1N5415 1N5420直通
包装尺寸
符号
BD
LD
BL
LL
尺寸
寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.110 0.180 2.79
4.57
0.036 0.042 0.91
1.07
0.130 0.260 3.30
6.60
0.90 1.30
22.9
33.0
笔记
3
4
4
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2毫米当量给出的只是一般信息。
3.尺寸BD应在最大直径进行测量。
4， BL尺寸应包括整个身体，包括领先于它的直径是蛞蝓和节
不受控制。这种不受控制的区域被定义为二极管主体的边缘和延伸之间的区
0.050英寸（1.27 MM）上线。
5.根据ASME Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
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