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MINI- MELF -SMD
应用
1N4454UR-1
硅开关二极管
适用于一般用途的应用,
其中,性能,空间和
开关速度是重要的。
LL -三十五分之三十四MINI MELF
表面贴装封装DO- 213AA
特点
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀
对于无故障的可焊性
也进来DO- 35玻璃封装
全UR批准MIL-S-一百四十四分之一万九千五
提供高达JANTXV水平
"S"级筛选可用于电源控制制图
0.10"REF
2.54 mmREF
两个端盖
0.016-.022"
0.41-0.55 mm
0.13-0.146"
3.30-3.70 mm
DIA 。
.063-.067"
1.6-1.7mm
最大额定值
峰值反向电压@ 5μA & 0.1μA @ -55
o
C
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流(T
PEAK
= 1秒)。
功率耗散T
L
= 50
o
C,L = 8"分之3从主体
工作温度范围
存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
正向电压@ I
F
= 10毫安
击穿电压@ I
R
= 10毫安
反向漏电流@ V
R
= 50 V
反向漏电流@ V
R
= 50 V , T = 150
o
C
电容@ V
R
= 0 V , F = 1mHz的
反向恢复时间(注1 ) / (注2 )
正向恢复电压(注3 )
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
Op
T
St
符号
V
F
PIV
I
R
I
R
C
T
t
rr
V
fr
价值
75 (分钟)
200
300
1.0
500
200
-65到+200
范围
1.0(max)
75 (分钟)
0.1 (最大)
100 (最大)
2.0 (最大)
2.0 / 4.0 (最大)
3.0 (最大)
单位
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
o
C
C
单位
A
A
pF
纳秒
注1 :每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安,R
L
= 100欧姆, C = 3 PF 。
注2 :每个方法4031 -A与我
F
= 10毫安,R
L
= 100欧姆, Vr为6 V ,恢复到1.0毫安。
注3 :每个方法4026与我
F
= 100毫安,R
L
= 50欧姆,峰值方波, 100纳秒脉冲宽度, tr<30纳秒,这个repe-
天信率= 5 - 100千赫。 *除非另有说明
6湖街 - 劳伦斯, MA 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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