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硅开关二极管
应用
1N4454,
1N4454-1
DO- 35玻璃封装
适用于一般用途的应用，
当性能和交换
速度是重要的。
DO- 35玻璃封装
L的DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
特点
六西格玛质量
冶金结合
1.0"
长
BKC的σ键电镀
25.4 mm
m m
（分）
对于无故障的可焊性
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S-一百四十四分之一万九千五百
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用于电源控制制图
0.120-.200"
3.05-5.08-
DIA 。
0.06-0.09"
15 - . 8m m
. 322
最大额定值
峰值反向电压@ 5μA & 0.1μA @ -55
o
C
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流（T
PEAK
= 1秒）。
功率耗散T
L
= 50
o
C，L = 8"分之3从主体
工作温度范围
存储温度范围
电气特性@ 25
o
C*
正向电压@ I
F
= 10毫安
击穿电压@ I
R
= 5 A
反向漏电流@ V
R
= 50 V
反向漏电流@ V
R
= 50 V ， T = 150
o
C
电容@ V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
反向恢复时间（注1 ） / （注2 ）
正向恢复电压（注3 ）
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
Op
T
St
符号
V
F
PIV
I
R
I
R
C
T
t
rr
V
fr
价值
75 （分钟）
200
300
1.0
500
200
-65到+200
范围
1.0(max)
75 （分钟）
0.1 （最大）
100 （最大）
2.0 （最大）
2.0 / 4.0 （最大）
3.0 （最大）
单位
伏
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
o
C
C
单位
伏
伏
A
A
pF
纳秒
伏
注1 ：每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10毫安，R
L
= 100欧姆， C = 3 PF 。
注2 ：每个方法4031 -A与我
F
= 10毫安，R
L
= 100欧姆， Vr为6 V ，恢复到1.0毫安。
注3 ：每个方法4026与我
F
= 100毫安，R
L
= 50欧姆，峰值方波， 100纳秒脉冲宽度， tr<30纳秒，这个repe-
天信率= 5 - 100千赫。
*除非另有说明
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
DO- 35降额（ 175℃ TJ ）
DO- 35功率降额曲线
500
耗散功率（毫瓦）
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
温度（ 8"分之3自体）C
6湖街 - 劳伦斯， MA 01841
电话： 978-681-0392 - 传真： 978-681-9135
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封装
单价/备注
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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