PD - 90554E
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品型号
IRFM250
IRFM250
JANTX2N7225
JANTXV2N7225
REF ： MIL -PRF- 592分之19500
200V N沟道
HEXFET
MOSFET技术
R
DS （ ON）
0.100
I
D
27.4A
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低的重
sistance结合高跨导。
HEXFET
晶体管还具有所有的行之有效的研华的
MOSFET的每日新闻，诸如电压控制，速度非常快开关
荷兰国际集团，易于并联的电气和温度参数
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
27.4
17
110
150
1.2
±20
500
27.4
15.0
5.0
-55到150
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
1/9/01
IRFM250
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.0
9.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.28
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
3500
700
110
12
—
—
0.100
0.105
4.0
—
25
250
100
-100
115
22
60
35
190
170
130
—
—
—
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 17A
VGS = 10V ，ID = 27.4A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 17A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 27.4A
VDS = 100V
VDD = 50V ， ID = 44A ，
VGS = 10V ， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
西塞
OSS
RSS
疾病预防控制中心
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏到外壳电容
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
27.4
110
1.9
950
9.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 27.4A ， VGS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 27.4A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.83
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
资质等级：
JAN ， JANTX ，并
JANTXV
柔顺
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
描述
这家开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高
可靠性的应用。这些器件还低调ü表面贴装可
封装。 Microsemi的还提供了许多其他的晶体管产品，以满足更高和更低
额定功率与在这两个通孔或地表各种开关速度的要求
安装包。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
TO- 254AA封装
特点
JEDEC注册的2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228数列。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF- 592分之19500 。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
符合RoHS标准设计。
也可用于：
U（ SMD - 1
TO- 267AB ）封装
（表面贴装）
2N7224U & 2N7228U
应用/优势
低调的设计。
军事和其它高可靠性应用。
最大额定值
@ T
A
= + 25°C ，除非另有说明
参数/测试条件
操作&存储结温范围
热阻结到外壳
总功耗
@ T
A
= +25 °C
(1)
@ T
C
= +25 °C
栅源电压，直流
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +25 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +100 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(3)
断态电流（峰值总值）
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
源出电流
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
注意事项：
1.
2.
符号
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
P
T
V
GS
I
D1
价值
-55到+150
0.83
4
150
± 20
34.0
27.4
14.0
12.0
21
17
9
8
136
110
56
48
34.0
27.4
14.0
12.0
单位
o
°C
C / W
W
V
A
I
D2
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
I
DM
A（ PK）
I
S
A
线性降额1.2 W / C对于T
C
> +25 C 。
下面的公式导出的最大理论的ID限制。 ID被封装和内部限制
电线，并且还可以通过销直径的限制：
3.
I
DM
= 4 ×1
D1
作为计算附注2 。
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第1页9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
机械及包装
案例：陶瓷和黄金在镀镍钢。
端子：镀金镀镍钨/铜。
标记：产品型号，日期代码和极性符号。
重量6.5克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
空白=商业
2N7224
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
符号
的di / dt
I
F
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
符号定义&
德网络nition
率二极管电流的变化，而在反向恢复模式，记录最大值。
正向电流
栅极驱动阻抗
漏极供电电压
漏源电压，直流
栅源电压，直流
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第2 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数/测试条件
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
栅源电压（阈值）
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= +125°C
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= -55°C
栅电流
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V ，T
J
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V ，T
J
= +125 °C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0的脉冲
静态漏源导通电阻
T
J
= +125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 12.0的脉冲
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
200
400
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
V
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
V
nA
I
DSS1
25
A
I
DSS2
0.25
mA
r
DS(on)1
0.070
0.100
0.315
0.415
0.081
0.105
0.415
0.515
r
DS(on)2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
r
DS(on)3
0.11
0.17
0.68
0.90
1.8
1.9
1.7
1.7
V
SD
V
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第3 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明（续）
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
门源费
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
栅漏电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
Q
G（ ON）的
125
115
110
120
22
22
18
19
65
60
65
70
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
冲洗时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
打开-O FF延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
下降时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 34.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 27.4 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 14.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 12.0 A
符号
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
分钟。
马克斯。
单位
t
D（上）
35
ns
t
r
190
ns
t
D（关闭）
170
ns
t
f
130
ns
t
rr
500
950
1200
1600
ns
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第4页第9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
图的
热响应（Z
θJC
)
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图1
热阻抗曲线
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第5 9
QQ：2880707522 复制
