【PD - 91547C功率MOSFET表面贴装（ SMD - 1 ）产品概述产品型号IRFN150I】,IC型号JANTX2N7224U,JANTX2N7224U PDF资料,JANTX2N7224U经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91547C

功率MOSFET

表面贴装（ SMD - 1 ）

产品概述

产品型号

IRFN150

JANTX2N7224U

JANTXV2N7224U

REF ： MIL -PRF- 592分之19500

100V N沟道

HEXFET

MOSFET技术

DS （ ON）

0.07

34A

HEXFET

MOSFET技术的关键在于国际

IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该

高效的几何设计实现的状态非常低的重

sistance结合高跨导。

HEXFET

晶体管还具有所有的行之有效的研华的

MOSFET的每日新闻，诸如电压控制，速度非常快开关

荷兰国际集团，易于并联的电气和温度参数

稳定。它们非常适合用于诸如开关

荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，

音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎

在需要高可靠性的应用程序。该

HEXFET

晶体管的完全隔离封装消除了

需要用于设备之间的附加绝缘材料

和散热器。这提高了热效率和

降低了漏极电容。

SMD-1

产品特点：

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

电气隔离

表面贴装

动态的dv / dt额定值

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

包安装表面温度

重量

136

150

1.2

±20

150

5.5

-55到150

300（ 5秒）

2.6 （典型值）

W / ℃，

单位

V / ns的

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1/28/02

IRFN150

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔT 温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

政府飞行服务队

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

100

—

2.0

9.0

—

典型值最大值单位

—

0.13

—

4.0

3700

1100

200

—

0.07

0.081

4.0

—

250

100

-100

125

190

170

130

—

V /°C的

S( )

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 10V ，ID = 21A

VGS = 10V ，ID = 34A

VDS = VGS ，ID = 250μA

VDS > 15V ， IDS = 21A

VDS = 80V ， VGS = 0V

VDS = 80V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 10V ，ID = 34A

VDS = 50V

VDD = 50V ， ID = 34A ，

VGS = 10V ， RG = 2.35Ω

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

西塞

OSS

RSS

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

从排水的中心测量

垫垫源中心

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

吨RR

Q RR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

136

1.8

500

2.9

测试条件

= 25 ℃， IS = 34A ，V GS = 0V

TJ = 25°C ， IF = 34A ， di / dt的

≤

100A/s

VDD

≤

30V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

RthJ -PCB

结到外壳

结至PC板

最小典型最大单位

—

3.0

0.83

—

° C / W

测试条件

焊接到铜包覆印刷电路板

注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。

对于脚注参考最后一页

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IRFN150

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRFN150

13A & B

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRFN150

D.U.T.

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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