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PD - 91550C
功率MOSFET
表面贴装( SMD - 1 )
产品概述
产品型号
IRFN340
IRFN340
JANTX2N7221U
JANTXV2N7221U
REF : MIL -PRF- 596分之19500
400V N沟道
HEXFET
MOSFET技术
R
DS ( ON)
0.55
I
D
10A
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低的重
sistance结合高跨导。
HEXFET
晶体管还具有所有的行之有效的研华的
MOSFET的每日新闻,诸如电压控制,速度非常快开关
荷兰国际集团,易于并联的电气和温度参数
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源,电机控制,逆变器,砍砸器,
音频放大器,高能量脉冲电路,而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
SMD-1
产品特点:
n
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
表面贴装
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V , TC = 25°C
ID @ VGS = 10V , TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
10
6.0
40
125
1.0
±20
650
10
12.5
4.0
-55到150
300( 5秒)
2.6 (典型值)
W
W / ℃,
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
1
1/28/02
IRFN340
电气特性
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS ( TH)
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
400
2.0
4.9
典型值最大值单位
0.46
4.0
1400
3500
2300
0.55
0.70
4.0
25
250
100
-100
65
10
40.5
25
92
79
58
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ,ID = 1.0毫安
参考至25℃ , n = 1.0毫安
VGS = 10V ,ID = 6.0A
VGS = 10V ,ID = 10A
VDS = VGS ,ID = 250μA
VDS > 15V , IDS = 6.0A
VDS = 320V , VGS = 0V
VDS = 320V ,
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ,ID = 10A
VDS = 200V
VDD = 200V , ID = 10A ,
VGS = 10V , RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
西塞
OSS
RSS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nA
nC
ns
nH
从排水的中心测量
片源垫的中心。
pF
VGS = 0V , VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
10
40
1.5
600
5.6
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃, IS = 10A ,V GS = 0V
TJ = 25°C , IF = 10A , di / dt的
100A/s
VDD
30V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
4.0
1.0
° C / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
注:对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFN340
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFN340
13A & B
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFN340
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
5
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    -
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