产品公告JANTX ， JANTXV ， 2N6989U
1996年1月
表面贴装四路NPN晶体管
键入JANTX ， JANTXV ， 2N6989U
特点
陶瓷表面贴装封装
密封式
小型封装减少电路板
所需面积
电性能类似于
2N2222A
每个资格MIL -PRF-五百五十九分之一万九千五
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
集电极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 V
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
发射极 - 基极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.0 V
集电极电流连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安
工作结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
o
C至+200
o
C
存储结温（T
英镑
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
o
C至+200
o
C
功耗（单管，无散热片） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5瓦
功率耗散T
A
= 25
o
C（四个设备驱动一样） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1.0W
(1)
隔离电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500 VDC
注意事项：
（1）减额直线8.57毫瓦/
o
C以上25
o
C.
描述
该JANTX2N6989U是一个密封
密封，陶瓷表面贴装设备，
由四个独立的硅NPN
晶体管。 20引脚的陶瓷封装
是理想的设计，电路板空间
和装置的重量是重要的设计
注意事项。
典型的筛选和大量的验收
提供13-4页上的测试。该
预烧条件为V
CB
= 30 V ，P
D
= 250
MW每个晶体管，T
A
= 25
o
C.请参阅
符合MIL -PRF-五百五十九分之一万九千五完整
要求。
当订购零件没有加工，
不使用JAN前缀。
欧思科技公司
1215 W.克罗斯比路
卡罗尔顿，德克萨斯州75006
15-20
(972)323-2200
传真(972)323-2396
键入JANTX ， JANTXV ， 2N6989U
电气特性的影响
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
开关特性
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO2
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
V
CE(SAT)3
V
BE(SAT)1
V
BE(SAT)2
V
BE(SAT)3
h
FE-
h
fe
C
敖包
C
IBO
t
on
t
关闭
R
t-t
参数
最小值最大值单位
75
50
6
10
10
10
50
75
100
100
30
35
0.3
1.0
0.45
0.6
1.2
2.0
1.4
V
V
V
V
V
V
300
325
V
V
V
nA
A
nA
I
C
= 10
A
I
C
= 10毫安
(2)
I
E
= 10
A
V
CB
= 60 V
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号短路幅度
正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
绝缘电阻
V
CB
= 60 V ，T
A
= 150
o
C
V
EB
= 4 V
V
CE
= 10 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
(2)
V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
(2)
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
(2)
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，T
A
= 55
o
C
(2)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
(2)
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
(2)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安，T
A
= 150
o
C
(2)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
(2)
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
(2)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安，T
A
= 55
o
C
(2)
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 100 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安， F = 1kHz时
基本特征
小信号特性
2.5
50
8
33
35
300
10k
pF
pF
ns
ns
M
8.0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1兆赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1兆赫
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= I
B2
= 15毫安
V
t-t
= 500 V
开关特点酒色
晶体管到晶体管隔离
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s ±50,
1-2 ％的占空比。
欧思科技公司
1215 W.克罗斯比路
卡罗尔顿，德克萨斯州75006
15-21
(972)323-2200
传真(972)323-2396
必须遵守的文件和程序的转换办法
本文件由2002年10月9日完成。
英制
MIL-PRF-19500/559E
2002年7月9日
取代
MIL-PRF-19500/559D
1998年8月10日
性能规格
半导体器件，规格化， NPN ，硅，交换，
四晶体管阵列类型2N6989 ， 2N6989U ，和2N6990 ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ，和JANS
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了NPN硅的性能要求，开关晶体管的
四个独立的芯片阵列。提供给每个设备类型四个级别的产品保证在规定的
MIL-PRF-19500.
1.2物理尺寸。参见图1 ，2，3 ，4（ 14脚双列直插式， 14引脚扁平封装）和图5 （20针
表面贴装） 。
1.3最大额定值。 （1）
TYPE
P
T
T
A
= +25°C (2)
W
*2N6989
2N6989U
*2N6990
*
2.0
1.0
1.0
V
CBO
(3)
V DC
75
75
75
V
EBO
(3)
V
首席执行官
(3)
I
C
(3)
T
OP
和T
英镑
V DC
6
6
6
V DC
50
50
50
直流毫安
800
800
800
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
（ 1 ）晶体管之间的最大电压应为
≥
500 V直流。
（ 2 ）线性降额11.43毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= + 25°C的2N6989和2N6989U 。线性降额5.71毫瓦/°C的
上述牛逼
A
= + 25°C的2N6990 。等级适用于总包。
（3）评定应用于阵列中的每个晶体管。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的
提高这个文件应该给：国防供应中心，哥伦布，联系人： DSCC - VAC ，
P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档改进建议（ DD
表格1426 ）出现在该文件的末尾或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/559E
1.4主要电气特性。特性适用于阵列中的每个晶体管。
范围
h
FE2
(1)
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 1.0毫安DC
h
FE4
(1)
V
CE
= 10 V
dc
I
C
= 150毫安
dc
100
300
|h
FE
|
V
CE
= 20 V
dc
I
C
能力= 20 mA DC
F = 100 MHz的
2.5
8.0
C
敖包
V
CB
= 10 V DC
I
E
= 0
100千赫
≤
f
≤
1
兆赫
pF
8
V
CE(sat)2
(1)
I
C
= 500毫安
dc
I
B
= 50毫安DC
V DC
民
最大
1.0
开关
t
on
看到网络连接gure
6
ns
35
V
BE(sat)2
(1)
I
C
= 500毫安DC
I
B
= 50毫安DC
V DC
2.0
t
关闭
看到网络连接gure
7
ns
300
民
最大
75
325
范围
（1 ）脉冲（见4.5.1 ） 。
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
那些规范和标准（ DoDISS ）防御指数部的发行上市和
补充于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化和生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
在此（除相关相关规范或规格表） ，该文档的文本需要
优先级。本文件的内容，但是，取代除非特定的适用法律和法规
豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/559E
尺寸
符号
英寸
民
BH
最大
.200
MILLIMETERS
民
最大
5.08
LS
笔记
符号
尺寸
笔记
英寸
民
最大
MILLIMETERS
民
最大
7, 11
.100 BSC
2.54 BSC
LW
.014
.023
0.36
0.58
10
LL
.125
.200
3.18
5.08
LW
1
LT
.030
.070
0.76
1.78
4, 10
LL
1
LO
.150
3.81
.008
.015
0.20
0.38
10
.005
0.13
8
BL
.785
19.94
6
LO
1
.098
2.49
8
BW
.220
.310
5.59
7.87
6
LO
2
α
.015
.060
0.38
1.52
5
BW
1
.290
.320
7.37
8.13
9
0°
15°
0°
15°
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.指数方面：一个切口或针一个识别标志应位于毗邻针之一，应当
位于所示的阴影区域内。制造商的标识不应被用作销1
识别标志。
4.尺寸LW的最低限度
1
可以是0.023英寸（0.58毫米），用于动态数字1， 7,8 ，和14只。
5.尺寸LO
2
须从底座平面来测量的基准平面。
6.该尺寸允许偏离中心盖，半月板和玻璃溢出。
7.基本的引脚间距为0.100中心线之间英寸（2.54毫米）。每个引脚的中心线应位于
内
±
其确切的纵向位置相对于针1和14 （见图6）的0.010英寸（0.25毫米）。
8.适用于所有四个角落（引线号1 ， 7,8 ，和14）。
9.牵头中心时，
α
为0° 。 BW
1
应在引线的中心线来测量。
10.所有的线索。
11.十二位。
12.没有有机或聚合物材料应模到包，以覆盖底部
导致。
图1.尺寸和配置型2N6989 - 续。
4
QQ：2880707522 复制
