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PD - 93990
IRFE9220
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
表面贴装( LCC- 18 )
JANTX2N6847U
JANTXV2N6847U
[ REF : MIL -PRF-五百六十三分之一万九千五百]
200V , P- CHANNEL
产品概述
产品型号
IRFE9220
B
VDSS
-200V
R
DS ( ON)
1.5
I
D
-2.1A
的无引线芯片载体(LCC )封装,表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装, LCC会给设计师
额外的灵活性,他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小,从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源,以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点:
!
!
!
!
!
!
!
!
表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V , TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V , TC = 100 ℃的连续漏电流
我DM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 ( 5秒)
0.42(typical)
-2.1
-1.5
-8.4
14
0.11
±20
180
-
-
-5.0
-55到150
W
W / ℃,
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
10/25/00
IRFE9220
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS ( ON)
VGS ( TH)
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
-200
-2.0
1.0
典型值最大值单位
-0.22
6.1
1.5
1.725
- 4.0
-25
-250
-100
100
15
3.2
8.4
50
70
40
50
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ,ID = -1.0mA
参考至25℃ , n = -1.0mA
VGS = -10V ,ID = -1.5A
VGS = -10V ,ID = -2.1A
VDS = VGS ,ID = -250μA
VDS > -15V , IDS = -1.5A
VDS = -160V , VGS = 0V
VDS = -160V
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ,ID = -2.1A
VDS = -100V
VDD = -100V , ID = -2.1A ,
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V , VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
330
100
33
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
-2.1
-8.4
-4.8
300
3.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C , IS = -2.1A , VGS = 0V
TJ = 25°C , IF = -2.1A , di / dt的
≤-100A/s
VDD
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
9.1
° C / W
26"
& QUOT ; & QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
IRFE9220
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFE9220
13 a& B
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFE9220
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
10%
90%
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
V
DS
图10B 。
开关时间波形
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
-
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PD - 93990
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重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
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HEXFET晶体管
表面贴装( LCC- 18 )
JANTX2N6847U
JANTXV2N6847U
[ REF : MIL -PRF-五百六十三分之一万九千五百]
200V , P- CHANNEL
产品概述
产品型号
IRFE9220
B
VDSS
-200V
R
DS ( ON)
1.5
I
D
-2.1A
的无引线芯片载体(LCC )封装,表示
中的表面不断演进合理的下一步
安装技术。 Desinged是一个紧密替代
对于TO- 39封装, LCC会给设计师
额外的灵活性,他们需要增加电路板的巢穴
sity 。国际整流器公司设计的LCC封装
年龄通过以满足电力市场的具体需要
增加底部源极焊盘的大小,从而
增强的热性能和电性能。该
包装的盖被接地到所述源,以减少
RF干扰。
LCC-18
产品特点:
!
!
!
!
!
!
!
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表面贴装
占用空间小
替代TO- 39封装
密封式
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V , TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -10V , TC = 100 ℃的连续漏电流
我DM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 ( 5秒)
0.42(typical)
-2.1
-1.5
-8.4
14
0.11
±20
180
-
-
-5.0
-55到150
W
W / ℃,
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
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1
10/25/00
IRFE9220
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔTJ
RDS ( ON)
VGS ( TH)
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
-200
-2.0
1.0
典型值最大值单位
-0.22
6.1
1.5
1.725
- 4.0
-25
-250
-100
100
15
3.2
8.4
50
70
40
50
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ,ID = -1.0mA
参考至25℃ , n = -1.0mA
VGS = -10V ,ID = -1.5A
VGS = -10V ,ID = -2.1A
VDS = VGS ,ID = -250μA
VDS > -15V , IDS = -1.5A
VDS = -160V , VGS = 0V
VDS = -160V
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -10V ,ID = -2.1A
VDS = -100V
VDD = -100V , ID = -2.1A ,
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源中心
PAD
VGS = 0V , VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
330
100
33
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
-2.1
-8.4
-4.8
300
3.0
测试条件
A
V
nS
c
T
j
= 25°C , IS = -2.1A , VGS = 0V
TJ = 25°C , IF = -2.1A , di / dt的
≤-100A/s
VDD
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结到PC板
最小典型最大单位
9.1
° C / W
26"
& QUOT ; & QUOT ;
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
对于脚注参考最后一页
2
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图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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13 a& B
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
-10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
10%
90%
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
V
DS
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开关时间波形
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:陈先生
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联系人:彭小姐
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原包装原标现货,假一罚十,
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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