临时数据表号PD - 9.1719
IRFE430
重复性雪崩和dv / dt评分
JANTX2N6802U
HEXFET
晶体管
JANTXV2N6802U
[ REF ： MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百]
N沟道
500Volt ， 1.50Ω ， HEXFET
无引线芯片载体（ LCC ）封装代表
在不断进化的合乎逻辑的下一步
表面贴装技术。在LCC提供
设计师，他们需要增加额外的灵活性
电路板密度。国际整流器公司
工程化的LCC封装，以满足特定
电力市场的增加的尺寸需要
底部的源极焊盘，从而增强了
热性能和电性能。的盖子
包被接地，以减少射频源
干扰。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablished优点，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便的并联
和电参数的温度稳定性。他们
是非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器和高能量的脉冲电路，并
几乎任何应用需要高可靠性重
quired 。
产品概述
产品型号
IRFE430
BV
DSS
500V
R
DS （ ON）
1.50
I
D
2.5A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
占用空间小
表面贴装
轻量
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
表面温度
重量
300（ 5秒）
0.42 （典型值）
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U
单位
2.5
A
1.5
11
25
0.20
±20
0.31
6.2
-55到150
W
W / K
V
mJ
V / ns的
o
C
g
12/3097
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
500
—
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.59
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.8
4.3
—
—
1.50
1.725
4.0
—
25
250
100
-100
30
4.5
28
30
30
55
30
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0 V ， ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 1.5A
VGS = 10V ，ID = 2.5A
V DS = VGS ， ID = 250μA
VDS > 15V ， I DS = 1.5A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20 V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 250V ， ID = 2.5A ，
RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
从测量漏极焊盘
死了。
改进的MOSFET符号展示 -
荷兰国际集团的内部电感。
nH
从中心测量
源焊盘的端
源极连接线。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
750
240
67
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25 V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.5
11
1.4
900
2.0
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = 2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 2.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJPCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
—
—
5.0
单位
K / W
测试条件
19
焊接到铜包覆印刷电路板
笔记详细
2
通过
是最后一页
www.irf.com
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
1
1
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
1
10
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 2.5A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
2.0
T
J
= 150
°
C
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
www.irf.com
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
3
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
1600
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 2.5A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
16
1200
C，电容（pF ）
西塞
800
12
8
科斯
400
CRSS
0
1
10
100
4
0
0
5
10
15
测试电路
见图13
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
10
10us
1
100us
1
1ms
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
4
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
2.5
V
DS
V
GS
R
D
2.0
D.U.T.
+
R
G
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
1.5
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
0.5
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
临时数据表号PD - 9.1719
IRFE430
重复性雪崩和dv / dt评分
JANTX2N6802U
HEXFET
晶体管
JANTXV2N6802U
[ REF ： MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百]
N沟道
500Volt ， 1.50Ω ， HEXFET
无引线芯片载体（ LCC ）封装代表
在不断进化的合乎逻辑的下一步
表面贴装技术。在LCC提供
设计师，他们需要增加额外的灵活性
电路板密度。国际整流器公司
工程化的LCC封装，以满足特定
电力市场的增加的尺寸需要
底部的源极焊盘，从而增强了
热性能和电性能。的盖子
包被接地，以减少射频源
干扰。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablished优点，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便的并联
和电参数的温度稳定性。他们
是非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器和高能量的脉冲电路，并
几乎任何应用需要高可靠性重
quired 。
产品概述
产品型号
IRFE430
BV
DSS
500V
R
DS （ ON）
1.50
I
D
2.5A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
占用空间小
表面贴装
轻量
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
表面温度
重量
300（ 5秒）
0.42 （典型值）
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U
单位
2.5
A
1.5
11
25
0.20
±20
0.31
6.2
-55到150
W
W / K
V
mJ
V / ns的
o
C
g
12/3097
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
500
—
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.59
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.8
4.3
—
—
1.50
1.725
4.0
—
25
250
100
-100
30
4.5
28
30
30
55
30
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0 V ， ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 1.5A
VGS = 10V ，ID = 2.5A
V DS = VGS ， ID = 250μA
VDS > 15V ， I DS = 1.5A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20 V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 250V ， ID = 2.5A ，
RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
从测量漏极焊盘
死了。
改进的MOSFET符号展示 -
荷兰国际集团的内部电感。
nH
从中心测量
源焊盘的端
源极连接线。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
750
240
67
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25 V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.5
11
1.4
900
2.0
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = 2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 2.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJPCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
—
—
5.0
单位
K / W
测试条件
19
焊接到铜包覆印刷电路板
笔记详细
2
通过
是最后一页
www.irf.com
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4.5V
1
1
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
1
10
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 2.5A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
2.0
T
J
= 150
°
C
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
4.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
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图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
3
IRFE430 ， JANTX- ， JANTXV- ， 2N6802U设备
1600
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 2.5A
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
16
1200
C，电容（pF ）
西塞
800
12
8
科斯
400
CRSS
0
1
10
100
4
0
0
5
10
15
测试电路
见图13
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
10
10us
1
100us
1
1ms
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
10000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
4
图8 。
最大安全工作区
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2.5
V
DS
V
GS
R
D
2.0
D.U.T.
+
R
G
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
1.5
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
0.5
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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