2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
JANTX ， JANTXV功率MOSFET采用TO- 205封装自动对焦，
符合MIL -PRF- 557分之19500
100 V， 200 V， 400 V & 500 V ， N沟道，
增强型MOSFET功率晶体管
特点
低R
DS （ ON）
易于并联的
符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百
描述
这种密封包装的QPL产品采用了最新的先进MOSFET技术。我我即升的I 由于F R
吨s DAL UTD
军事要求小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，如
开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
PRIMARY电气特性@ T
C
= 25
°
C
产品型号
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
V
DS ，
VO牛逼
ls
100
200
400
500
R
DS （ ON）
.8
1
.0
4
1.00
1.50
I
,
A M P s
D
80
.
55
.
30
.
25
.
S·C ^ h ê M ATIC
机械概要
引脚连接
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
（案例）
7 03 R0
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6796
80
.
50
.
32
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
43
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 5 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 8 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 8 V V
的s
= 0V
0 ,
V
S
= 8 V V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
0 ,
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 8A
0 ,
V
S
= 50 V
见注4
V
D D
= 3 V I
D
= 5 0 A R
G
=7.5
0 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.8
1
.195
40
.
25
250
100
-100
28.5
63
.
16.6
30
75
40
45
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
15
.
300
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 8.0A
3
， VG S = 0 V
3
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 8 0号< 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
5 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 2 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 8 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6798
55
.
35
.
22
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
20
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 3 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 160 V, V
的s
= 0V
V
S
= 160 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
0 ,
.
V
S
= 100 V
见注4
V
D D
= 7 V I
D
= 3 5 A R
G
=7.5
7 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.0
4
.2
4
40
.
25
250
100
-100
42.1
53
.
28.1
30
50
50
40
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
500
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 5 5 A
3
， VG S = 0 V
3
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 5 5 A ID < 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
R
thJC
结到外壳
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 5 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6800
30
.
20
.
14
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
05
.1
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
400
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 2 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 3 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 320 V, V
的s
= 0V
V
S
= 320 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 3.0A
0 ,
V
S
= 200 V
见注4
V
D D
= 1 6 V I
D
= 2 A R
G
=7.5
7 ,
,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
.
1.10
40
.
25
250
100
-100
33
58
.
16.6
30
35
55
35
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
700
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 3 A
3
， VG S = 0 V
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 3 0号
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 3 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6802
25
.
15
.
11
25
0.20
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
.5
3
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
500
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 1 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 400 V, V
的s
= 0V
V
S
= 400 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
0 ,
.
V
S
= 250 V
见注4
V
D D
2 = 5 V I
D
= 1 5 A R
G
= 7.5
2 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
.
16
.
40
.
25
250
100
-100
29.5
45
.
28.1
30
30
55
30
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
900
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 2 5 A
3
， VG S = 0 V
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 2 5 A ID
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 uH容+ 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 2 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
JANTX ， JANTXV功率MOSFET采用TO- 205封装自动对焦，
符合MIL -PRF- 557分之19500
100 V， 200 V， 400 V & 500 V ， N沟道，
增强型MOSFET功率晶体管
特点
低R
DS （ ON）
易于并联的
符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百
描述
这种密封包装的QPL产品采用了最新的先进MOSFET技术。我我即升的I 由于F R
吨s DAL UTD
军事要求小尺寸，高性能和高可靠性的要求，以及在应用中，如
开关电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲电路。
PRIMARY电气特性@ T
C
= 25
°
C
产品型号
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
V
DS ，
VO牛逼
ls
100
200
400
500
R
DS （ ON）
.8
1
.0
4
1.00
1.50
I
,
A M P s
D
80
.
55
.
30
.
25
.
S·C ^ h ê M ATIC
机械概要
引脚连接
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
（案例）
7 03 R0
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6796
80
.
50
.
32
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
43
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 5 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 8 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 8 V V
的s
= 0V
0 ,
V
S
= 8 V V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
0 ,
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 8A
0 ,
V
S
= 50 V
见注4
V
D D
= 3 V I
D
= 5 0 A R
G
=7.5
0 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.8
1
.195
40
.
25
250
100
-100
28.5
63
.
16.6
30
75
40
45
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
15
.
300
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 8.0A
3
， VG S = 0 V
3
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 8 0号< 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
5 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 2 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 8 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6798
55
.
35
.
22
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
20
.
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 3 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 160 V, V
的s
= 0V
V
S
= 160 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 5 5 A
0 ,
.
V
S
= 100 V
见注4
V
D D
= 7 V I
D
= 3 5 A R
G
=7.5
7 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.0
4
.2
4
40
.
25
250
100
-100
42.1
53
.
28.1
30
50
50
40
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
500
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 5 5 A
3
， VG S = 0 V
3
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 5 5 A ID < 100 A / μs的
5C
。 ， D / T
热阻
参数
R
thJC
结到外壳
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 5 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6800
30
.
20
.
14
25
02
.
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
05
.1
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
400
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 2 0 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 3 0 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 320 V, V
的s
= 0V
V
S
= 320 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 3.0A
0 ,
V
S
= 200 V
见注4
V
D D
= 1 6 V I
D
= 2 A R
G
=7.5
7 ,
,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
.
1.10
40
.
25
250
100
-100
33
58
.
16.6
30
35
55
35
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
700
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 3 A
3
， VG S = 0 V
5C
T
J
= 2 ° , I
F
= 3 0号
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 μH + 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 3 0 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
2N6796 ， JANTX2N6796 JANTXV2N6796
2N6798 ， JANTX2N6798 JANTXV2N6798
2N6800 ， JANTX2N6800 ， JANTXV2N6800
2N6802 ， JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
绝对最大额定值（
C
= 25 ° C除非另有说明
T
参数
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
D
连续漏电流
JANTXV ， JANTX ， 2N6802
25
.
15
.
11
25
0.20
± 20
2
单位
A
A
A
W
W / ℃，
V
mJ
°C
°C
I @ V
GS
= 10V ，T
C
= 100℃连续漏电流
D
I
M
D
P
D
@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
线性降额因子
V
的s
E
A S
T
J
T
S T摹
栅源电压
单脉冲雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度
.5
3
4
-55到150
300 （ 0.06案件从10秒）
电气特性@ TJ = 25°C （除非另有说明）
参数
BV
DSS
漏源
击穿电压
R
DS （ ON）
S A I D A N吨 -
TTC RI- oSuc
导通状态电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
零栅压漏
DSS
当前
I
S S
门-to -源漏进
G
I
S S
门-to -源漏反向
G
Q
G（ ON）的
导通状态的栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源极充电
Q
Gd
GT- oDan （ MLE “恰
AET里“ ILR ） HRE
t
导通延迟时间
D（上）
t
上升时间
r
t
（关闭）
打开-O FF延迟时间
D
t
佛罗里达州的Tm
人即
r
分钟。
500
-
-
-
-
-
-
20
.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
测试条件
V
的s
= 0 , I
D
= 1.0毫安，
V
V
的s
= 1 V I
D
= 1 5 A
3
0 ,
.
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
3
0 ,
.
V
DS
= V
的s
,
D
= 250 A
I
V
S
= 400 V, V
的s
= 0V
V
S
= 400 V, V
的s
= 0 , T
J
= 125°C
V
V
的s
= 20 V
V
的s
= - 0 V
2
V
的s
= 1 V I
D
= 2 5 A
0 ,
.
V
S
= 250 V
见注4
V
D D
2 = 5 V I
D
= 1 5 A R
G
= 7.5
2 ,
. ,
见注4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
.
16
.
40
.
25
250
100
-100
29.5
45
.
28.1
30
30
55
30
V
A
nA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
分钟。
二极管的正向电压
-
-
-
V
S.D。
t
反向恢复时间
-
-
-
t
r
r
热阻
参数
结到外壳
R
thJC
R
乡镇卫生院
外壳到散热器
R
thJA
结到环境
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
14
.
900
单位
V
ns
测试条件
T
J
= 2 ° , I
S
= 2 5 A
3
， VG S = 0 V
5C
.
T
J
= 2 ° , I
F
= 2 5 A ID
5C
。 D / t<100A /μs的
3
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.21
-
-
-
马克斯。
50
.
-
-
-
175
单位
测试条件
° C / W
Mutn sraefa ，
onig UFC LT
光滑，并涂油
典型的插座安装
1
.
2.
3
.
4.
Rpttv RTN ： Plewdhlmtdb mxmmjnto tmeaue
eeiie AIG美国国际教育协会是美亚ucin eprtr 。
0 ， TRIG
C
0
.
@V
D D
= 5 V S A T N T
J
= 25°， L = 1 0 uH容+ 10％ ，R
G
= 25 ，山顶我
L
= 2 5 A
P L E宽深高< 300微秒;占空比< 2 ％
我们这
见MIL -S -五百五十七分之一万九千五百
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
PD -90433C
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 205AF ）
产品概述
产品型号
IRFF430
BVDSS
500V
R
DS （ ON）
1.5
I
D
2.5A
IRFF430
JANTX2N6802
JANTXV2N6802
REF ： MIL -PRF- 557分之19500
500V N沟道
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导。
该HEXFET晶体管还具有所有的井
MOSFET的既定优势，如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便parelleling的
和温度的电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路。
TO-39
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
2.5
1.5
11
25
0.20
±20
0.35
—
—
3.5
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/22/01
IRFF430
电气特性
参数
BVDSS
ΔBV
DSS / ΔT
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
500
—
—
—
2.0
1.5
—
—
—
—
19.8
2.2
5.5
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.43
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
—
1.5
1.725
4.0
—
25
250
100
-100
29.5
4.6
19.7
30
30
55
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 1.5A
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 1.5A
VDS = 400V ， VGS = 0V
VDS = 400V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS = 250V
VDD = 250V ， ID = 2.5A ，
RG = 7.5Ω
漏极至源极击穿电压
分解温度系数
电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
我GSS
我GSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
610
135
65
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.5
11
1.4
900
7.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 2.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
thJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装。
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
以前的数据表
指数
下一页数据表
临时数据表号PD- 9.433B
HEXFET
JANTX2N6802
功率MOSFET
JANTXV2N6802
[ REF ： MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百]
[ GENERIC ： IRFF430 ]
N沟道
产品概述
产品型号
JANTX2N6802
JANTXV2N6802
BV
DSS
500V
R
DS （ ON）
1.5
I
D
2.5A
500伏， 1.5Ω HEXFET
HEXFET技术的关键在于国际
功率MOSFET的整流先进的线晶体管
器。高效的几何结构实现了非常低的导通
态电阻结合高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablish优点，如电压
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。他们是
非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴
加盟那些需要高可靠性的应用程序。
产品特点：
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ V GS = 10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802
单位
2.5
1.5
11
25
0.20
±20
3.5
-55到150
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从
案例10.5秒为单位）
0.98 （典型值）
A
W
W / K
V
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
以前的数据表
JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802设备
指数
下一页数据表
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
500
—
—
—
2.0
1.5
—
—
—
—
19.8
2.2
5.5
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.43
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
0.15
1.725
4.0
—
25
250
100
-100
29.5
4.6
19.7
30
30
55
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， I D = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 1.5A
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 1.5A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 2.5A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = 250V ， ID = 2.5A ，
RG = 7.5Ω ， VGS = 10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
15
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
610
135
65
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
2.5
11
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
1.4
900
7.0
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = 2.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 2.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
5.0
175
K / W
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
以前的数据表
JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802设备
指数
下一页数据表
图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
TO ORDER
以前的数据表
JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802设备
指数
下一页数据表
图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向
电压
图。 8 - 最高安全工作区
图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度
图。 10A - 开关时间测试电路
图。 10B - 开关时间波形
TO ORDER
以前的数据表
JANTX2N6802 ， JANTXV2N6802设备
指数
下一页数据表
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 13A - 栅极电荷测试电路
图。 13B - 基本栅极电荷波形
TO ORDER
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
资质等级：
JAN ， JANTX ， JANTXV
和JANS *
可在
广告
版本
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
描述
这家开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高
可靠性的应用。该2N6798零件号也是合格的JANS水平。这些
器件还低调U- 18 LCC表面贴装封装。 Microsemi的还
提供了许多其他的晶体管产品，以满足更高和更低的额定功率与各
在这两个通孔和表面贴装封装开关速度的要求。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
特点
JEDEC注册的2N6796 ， 2N6798 ， 2N6800和2N6802数列。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百。
* JANS资格可以用2N6798只。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
提供符合RoHS标准的版本（仅适用于商用级） 。
TO-205AF
(TO-39)
包
应用/优势
轻型顶帽设计，灵活的终端提供了多种安装灵活性。
军事和其它高可靠性应用。
也可用于：
U- 18 LCC封装
（表面贴装）
2N6796U ， 2N6798U ，
2N6800U & 2N6802U
最大额定值
@ T
A
= +25 C ，除非另有说明
参数/测试条件
操作&存储结温范围
热阻结到外壳
总功耗
@ T
A
= +25 °C
(1)
@ T
C
= +25 °C
漏源电压，直流
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
栅源电压，直流
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +25 C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +100 C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
(3)
断态电流（峰值总值）
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
源出电流
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
请参阅下页的笔记。
符号
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
P
T
价值
-55到+150
5.0
0.8
25
100
200
400
500
± 20
8.0
5.5
3.0
2.5
5.0
3.5
2.0
1.5
32
22
14
11
8.0
5.5
3.0
2.5
单位
o
°C
C / W
W
V
DS
V
GS
I
D1
V
V
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
I
D2
A
I
DM
A（ PK）
I
S
A
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第1页9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
注意事项：
1.线性降额0.2 W / ℃，对于T
C
> +25 C 。
2.下列公式得出的最大理论我
D
极限。我
D
还受限于封装和内部导线及由于可限于
销直径。
3. I
DM
= 4 ×1
D1
作为计算附注2 。
机械及包装
案例：全密封，可伐基，镍帽。
端子：锡/铅焊料浸镍板或符合RoHS标准的纯锡板（仅适用于商用级） 。
标记：产品型号，日期代码，制造商ID 。
重量：约1.064克。
SEE
包装尺寸
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PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
JANS = JANS级（ 2N6798 ）
空白=商业
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
2N6796
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准（可
商业级只）
空白=不符合RoHS标准
符号
的di / dt
I
F
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
符号定义&
德网络nition
率二极管电流的变化，而在反向恢复模式，记录最大值。
正向电流
栅极驱动阻抗
漏极供电电压
漏源电压，直流
栅源电压，直流
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第2 9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数/测试条件
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
栅源电压（阈值）
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= +125°C
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= -55°C
栅电流
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V ，T
J
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V
= 160 V
= 320 V
= 400 V
= 80 V，T
J
= +125 °C
= 160 V，T
J
= +125 °C
= 320 V，T
J
= +125 °C
= 400 V ，T
J
= +125 °C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
200
400
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
V
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
V
nA
I
DSS1
25
A
I
DSS2
0.25
mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A的脉冲
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A的脉冲
静态漏源导通电阻
T
J
= +125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A的脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 5.5的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 3.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 2.5 A的脉冲
r
DS(on)1
0.18
0.40
1.00
1.50
0.195
0.420
1.100
1.600
r
DS(on)2
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
r
DS(on)3
0.35
0.75
2.40
3.50
1.5
1.4
1.4
1.4
V
SD
V
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第3 9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明（续）
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
= 50 V
门源费
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
栅漏电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
符号
分钟。
马克斯。
单位
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
Q
G（ ON）的
28.51
42.07
34.75
33.00
6.34
5.29
5.75
4.46
16.59
28.11
16.59
28.11
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 5.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 3.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
冲洗时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
I
D
= 5.5 A，V
GS
I
D
= 3.0 A，V
GS
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 8.0 A
= 5.5 A
= 3.0 A
= 2.5 A
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
符号
分钟。
马克斯。
单位
t
D（上）
30
ns
t
r
75
50
35
30
40
50
55
55
45
40
35
30
300
500
700
900
ns
打开-O FF延迟时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 5.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 3.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
下降时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
I
D
= 5.5 A，V
GS
I
D
= 3.0 A，V
GS
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
t
D（关闭）
ns
t
f
ns
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
t
rr
ns
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第4页第9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
图的
热响应（Z
θJC
)
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图1
- 归瞬态热阻抗
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第5 9
QQ：2881677436 复制
