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临时数据表号PD- 9.427B
HEXFET
JANTX2N6790
功率MOSFET
JANTXV2N6790
[ REF ： MIL -PRF-五百五十五分之一万九千五百]
[ GENERIC ： IRFF220 ]
N沟道
产品概述
产品型号
JANTX2N6790
JANTXV2N6790
BV
DSS
200V
R
DS （ ON）
0.80
I
D
3.5A
200伏， 0.80Ω HEXFET
HEXFET技术的关键在于国际
功率MOSFET的整流先进的线晶体管
器。高效的几何结构实现了非常低的导通
态电阻结合高跨导。
HEXFET晶体管还具有所有的精心上课 -
MOSFET的tablish优点，如电压
控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。他们是
非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路和虚拟轴
加盟那些需要高可靠性的应用程序。
产品特点：
s
s
s
s
s
雪崩能量评级
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ V GS = 10V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = 10V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
JANTX2N6790 ， JANTXV2N6790
单位
3.5
2.25
14
20
0.16
±20
5.0
-55到150
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从
案例10.5秒为单位）
0.98 （典型值）
A
W
W / K
V
V / ns的
o
C
g
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JANTX2N6790 ， JANTXV2N6790设备
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电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
200
—
—
—
2.0
1.5
—
—
—
—
8.0
0.9
2.3
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
0.80
0.92
4.0
—
25
250
100
-100
14.3
3.0
9.0
40
50
50
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ， I D = 2.25A
VGS = 10V ，ID = 3.5A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS > 15V ， IDS = 2.25A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 3.5A
VDS =最大。评分×0.5
参见图6和图13
VDD = 100V ， ID = 3.5A ，
RG = 7.5Ω ， VGS = 10V
见图10
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
15
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
260
100
30
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
参见图5
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
3.5
14
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
1.5
400
4.3
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = 3.5A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 3.5A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
6.25
175
K / W
测试条件
典型的插座安装
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JANTX2N6790 ， JANTXV2N6790设备
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图。 1 - 典型的输出特性
T
C
= 25°C
图。 2 - 典型的输出特性
T
C
= 150°C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 4 - 归通电阻Vs.Temperature
图。 5 - 典型的电容比。漏 - 源
电压
图。 6 - 典型栅极电荷比。栅极 - 源
电压
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图。 7 - 典型的源极到漏极二极管正向
电压
图。 8 - 最高安全工作区
图。 9 - 最大漏极电流比。外壳温度
图。 10A - 开关时间测试电路
图。 10B - 开关时间波形
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JANTX2N6790 ， JANTXV2N6790设备
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图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳比。脉冲持续时间
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
图。 13A - 栅极电荷测试电路
图。 13B - 基本栅极电荷波形
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