文档和流程转换
必要的措施以符合本次修订
由1999年10月30日完成
英制
MIL-PRF-19500/547B
1999年7月30日
取代
MIL-S-19500/547A
1988年1月20日
性能规格表
半导体器件，场效应管， N沟道，
硅类型2N6660和2N6661
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
该规范被批准用于所有Depart-使用
ments和国防部的机构。
1.范围
1.1适用范围。本说明书中涉及的性能要求为一个N沟道增强模式，低阈值逻辑电平，
高频，高开关速度的MOSFET ，功率晶体管。提供给每个封装的四个级别产品保证
在MIL -PRF- 19500规定的设备类型。
1.2物理尺寸。见图1 （ TO- 205AD ） 。
1.3最大额定值。除非另有说明， TA = + 25 ℃。
TYPE
PT 1 /
PT
TC = + 25°C TA = + 25°C
W
2N6660
2N6661
6.25
6.25
mW
725
725
VDS
VDGR
3/
V DC
60
90
V DC
60
90
V DC
±
20
±
20
VGS
ID1 2 /
ID2 2 /
TC = + 25°C TC = + 100°C
直流
0.99
0.86
直流
0.62
0.54
IS
IDM
TJ和
TSTG
°C
-65到+150
直流
-0.99
-0.86
A（ PK）
3
3
1 /线性降额0.05 W / ℃， TC > + 25°C
2 /减免上述TC = 25
°C
根据下式
其中，P （额定） = 150 - （ TC -25 ） （ 0.05 ）瓦;
K =最大
DS （ ON）
在TJ = + 150°C 。
3/ R
GS
≤
1兆欧。
I
D
=
P
(
评级
)
K
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能会使用改进本文档
应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人： DSCC - VAC ， 3990东宽街，哥伦布，俄亥俄州
43216-5000 ，通过使用寻址标准化文献改进建议（DD表格1426 ）出现在此结束
文档或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/547B
1.4主要电气特性，在TC = + 25°C 。
TYPE
闵V（ BR ） DSS
VGS = 0 V
ID = 10
A
dc
VGS(th)1
VDS
≥
VGS
ID = 1.0毫安DC
最大IDSS1
VGS = 0 V
最大RDS（ON） 1 /
VGS = 10 V DC
R
θ
JC
最大
VDS = 80％
of
额定VDS
V DC
V DC
最小最大
0.8
0.8
2.0
2.0
A
dc
TJ = + 25°C
在ID1
TJ = + 150°C
在ID2
° C / W
欧姆
欧姆
2N6660
2N6661
1 /脉冲（见4.5.1 ） 。
60
90
1.0
1.0
3.0
4.0
6.33
8.44
20
20
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节不包括
本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。虽然尽力了
已作出保证这个列表的完整性，文档的用户应注意，它们必须符合所有规定的要求
引用文件中的第3和第4本说明书中的，无论它们是否被列出。
2.1.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成本文档的一部分
在本文中所指定的范围。除非另有说明，这些文件的问题是那些在该部的发行上市
规格及（ DODISS ）补充防御指数标准和于此，引用在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
军事
MIL-STD-750
- 试验方法半导体器件。
- 半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，可从防自动以上的规格，标准和手册的副本
印刷服务，建筑4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 。 ）
2.2优先顺序。在本说明书的文本和本文引用的参考文献，该文之间冲突的情况下
规范为准。本文件的内容，但是，取代除非特定的适用法律和法规
豁免已获得。
3.要求
3.1相关规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500和本文规定。
3.2缩写，符号和定义。缩写，符号，以及本文所用的定义应以符合MIL- PRF-被指定
19500.
3.3接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应在被指定为
MIL-PRF- 19500和图1 （TO- 205AD ）本文中。
2
MIL-PRF-19500/547B
LTR
英寸
民
CD
CH
HD
TW
TL
LD
LL
LC
LU
L1
L2
P
Q
R
α
0.250
0.100
0.305
0.240
0.335
0.028
0.029
0.016
0.500
尺寸
MILLIMETERS
民
7.75
6.10
8.51
0.71
0.74
0.41
12.70
最大
8.51
6.60
9.40
0.86
1.14
0.53
19.05
笔记
最大
0.335
0.260
0.370
0.034
0.045
0.021
0.750
2
3
7,8
7,8
6
7,8
7,8
7,8
5
0.200 TP
0.016
0.019
0.050
5.08 TP
0.41
0.48
1.27
6.35
2.54
0.050
0.010
45 TP
1.27
0.25
45 TP
4
9
6
注意事项：
1.尺寸以英寸。公制等值给出的只是一般信息。
2.除了半径（r ）最大， TW应当承担的0.011 （ 0.028毫米）的最小长度。
3.尺寸TL的最大HD测量。
4.外形在该区域不被控制。
5.尺寸CD变化不应大于0.010 （0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
6.信息在仪表平面0.054 + 0.001 ， - 0.000 （ 1.37 0.03 ， -0.00毫米）低于飞机座位应在0.007 （0.18 MM）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。
7.卢应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL
最低限度。
8.所有三根引线。
9.半径（R）适用于标签的两个内角。
10.
漏极电连接的情况。
图1.物理尺寸（ TO- 205AD ）继续进行。
4
MIL-PRF-19500/547B
3.3.1铅完成。铅涂层应焊符合MIL -PRF- 19500 ， MIL -STD -750 ，以及在此。凡选择
铅表层的，应当将取得的文件（见6.2）中指定。
3.3.2内部结构。多芯片施工不得。
3.4标记。标志应符合MIL -PRF- 19500 。
3.5静电放电保护。包括在本说明书中，设备需要静电保护。
3.5.1处理。 MOS器件必须具有一定的预防措施来处理，以避免因静电荷的积累。
下面的处理方法，应遵循：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
设备应长凳上用导电处理设备进行处理。
地面测试设备，工具和人员操作设备。
不处理的引线装置。
存储设备中的导电泡棉或载体。
避免在MOS地区使用的塑料，橡胶，或丝绸。
保持在50％以上，如果实际的相对湿度。
此时应，测试和故障排除过程中，申请不超过最大额定电压为任何铅。
门必须终止源，R
≤
100千，每当偏压被施加漏极到源极。
3.6电气性能特性。除非另有规定，电气性能特点
在1.3 ， 1.4和表一规定
3.7电气试验的要求。电气试验要求应在表我这里指定的子组。
3.8资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性上市授权产品
适用的合格制造商之前签订合同名单（见4.2和6.3 ） 。
4.验证
4.1分类检查。此规定的检验要求分类如下：
一。资质检查（见4.2） 。
B 。筛选（见4.3 ） 。
。一致性检查（见4.4 ） 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500和在此。备选流允许
对符合MIL -PRF- 19500的图4的资格检查。
4.2.1 E组的检查。 E组检验应符合MIL -PRF- 19500 ，并在此进行。
5
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