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文档和流程转换
必要遵守这一措施
修订由1998年10月1日完成
英制
MIL-PRF-19500/433E
1998年7月1日
取代
MIL-S-19500/433D
1993年12月1日
性能规格表
半导体器件,晶体管PNP硅,大功率
TYPE 2N4399和2N5745 JAN , JANTX , JANTXV ,和JANS
该规范被批准用于所有Depart-使用
ments和国防部的机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了PNP硅,大功率晶体管的性能要求。四个层次的产品
提供了保证,为每个设备类型的MIL -PRF- 19500规定。
1.2物理尺寸。参见图1 , (于: - 3)。
1.3最大额定值。
θJC
= 0.875 ° C / W ,R
θJA
= 35 ° C / W 。
PT 1 /
TA = + 25°C
W
2N4399
2N5745
5
5
PT 2 /
TC = + 100°C
W
115
115
VCBO
VCEO
VEBO
IB
IC
TJ和TSTG
V DC
60
80
V DC
60
80
V DC
5
5
直流
7.5
7.5
直流
30
20
°C
-55到+200
-55到+200
1 /线性降额28.57毫瓦/ ° C以上TA = + 25°C 。
2 /线性降额1.15 W / ° C以上TC = + 100°C 。
1.4主要电气特性。
HFE2
1/
VCE = 2 V DC
IC = 15 A DC
hFE2
1/
VCE = 2 V DC
IC = 10 A DC
| HFE |
VCE(sat)1
1/
IC = 15 A DC
IB = 1.5 A DC
VBE(sat)1
1/
IC = 15 A DC
IB = 1.5 A DC
科博
开关
VCE = 10 V DC
IC = 1直流
F = 1 MHz的
VCB = 10 V
dc
IE = 0
100千赫
f
1兆赫
pF
花花公子
2N4399
25
最大
| 1 /脉冲(见4.5.1 ) 。
2N5745
V DC
25
4
40
2N4399
V DC
1.0
2N5745
V DC
1.5
2N4399
2N5745
s
s
1.8
2.0
1,000
1.2
2.5
有益的意见(建议,添加,删除)和任何相关的数据,可能是使用改善这种
文件应该给:指挥官,哥伦布国防供应中心,联系人: DSCC增值税, 3990东宽街,
哥伦布,俄亥俄州43216-5000 ,通过使用标准化文件改进建议( DD表格1426 )出现在结尾
本文件或信件。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/433E
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节不包括
本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。虽然尽力了
已作出保证这个列表的完整性,文档的用户应注意,它们必须符合所有规定的要求
引用在第3和第4本说明书中,无论它们是否被列出的文档。
2.2.1政府文件。
2.2.1规格,标准和手册。以下规范,标准,和手册形成本文档的一部分
在本文中所指定的范围。除非另有说明,这些文件的问题是那些在该部的发行上市
规格及( DODISS )补充防御指数标准和于此,引用在招标(见6.2) 。
规范
国防部
MIL -PRF- 19500 - 半导体器件,一般规格。
标准
军事
MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。
(除非另有说明,可从标准化的上述规范,标准,和手册的副本
文档订购中心, 700罗宾斯大道,大厦4D ,费城,宾夕法尼亚州19111-5094 。 )
2.3优先顺序。在本文档的文本和本文中所引用的参考文献之间存在冲突的情况下(除
相关的相关规范或规格表) ,该文档的文本为准。本文档中的任何内容,
然而,取代适用的法律法规,除非特别豁免已获得。
3.要求
3.1资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性上市授权产品
之前签订合同适用的合格产品名单(见4.2和6.4 ) 。
3.2相关规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500和本文规定。
3.3缩写,符号和定义。缩写,符号,以及本文所用的定义应在被指定
MIL-PRF-19500.
3.4接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应在被指定为
MIL-PRF- 19500和在图1到本文中。
3.4.1铅完成。除非另有规定,铅涂层应焊符合MIL -STD- 750 , MIL -PRF- 19500和
在本文中。
3.5标记。在MIL -PRF- 19500规定的设备应标。
3.6电气性能特性。除非另有说明,所述的电气性能特性中指定
1.3 ,1.4和表予本文。
3.7电气试验的要求。电气试验要求应在4.4.2和4.4.3此处指定的子组。
2
MIL-PRF-19500/433E
图1.物理尺寸TO- 3 。
3
MIL-PRF-19500/433E
尺寸
符号
英寸
CD
CH
HT
HR
HR
1
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
PS
PS
1
S
1
---
.270
.060
.495
.131
.038
.312
---
.151
1.177
.420
.205
.655
最大
.875
.380
.135
.525
.188
.043
.500
.050
.161
1.197
.440
.225
.675
MILLIMETERS
---
6.86
1.52
12.57
3.33
0.97
7.92
---
3.84
29.90
10.67
5.21
16.64
最大
22.23
9.65
3.43
13.34
4.78
1.09
12.70
1.27
4.09
30.40
11.18
5.72
17.15
2, 3
2, 3
2
5
笔记
注意事项:
1.
尺寸为英寸。
2.
这些尺寸应在点进行测量0.050英寸(1.27毫米)至0.055英寸(1.40为毫米)的座位平面。当
计不使用时,测量将在底座面制成。
3.
头的座位平面应在0.001英寸( 0.03毫米)凹平面到0.004英寸( 0.10毫米)凸内侧的
0.930英寸( 23.62毫米)上的报头的中心和平面内0.001英寸( 0.03毫米)凹到0.006英寸直径的圆
( 0.15毫米)凸整体。
4.
集电极应电连接到所述壳体。
5.
LD适用于L之间
1
和LL 。直径是不受控制以L
1
.
图1.物理尺寸。续。
4
MIL-PRF-19500/433E
4.验证
4.1分类和检查。此规定的检验要求分类如下:
a.
b.
c.
资质检查(见4.2) 。
筛选(见4.3 ) 。
一致性检查(见4.4 ) 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500 。
4.3筛选( JANS , JANTX ,并JANTXV只有水平) 。筛选应符合MIL -PRF- 19500 (附录E,表
IV)中,并如本文所具体指出。下面的测量应符合表我在此提出。超出该限制装置
表I在此将不接受的。
屏幕(见表四
的MIL -PRF- 19500 )
JANS级
1/
9
热响应(参见4.3.2 )
I
CEX1
和H
FE2
测量
JANTX和JANTXV水平
热响应(参见4.3.2 )
I
CEX1
11
I
CEX1
和H
FE2
I
CEX1
100%的初始值的
或5 nA的DC ,以较高者为准。
h
FE2
=初始值的15%的
I
CEX1
和H
FE2
;
I
CEX1
100%的初始值的
或100 nA的DC ,以较高者为准。
12
参见4.3.1
参见4.3.1
13
表我这里的亚组2 ;
I
CEX1
100%的初始值的
或50 nA的DC ,以较大者为准;
h
FE2
=初始值的15%的
表我这里的亚组2 ;
I
CEX1
100%的初始值的
或100 nA的DC ,以较大者为准;
h
FE2
±初始值的15% ;
1 /本试验应随时屏幕3之后进行。
4.3.1电源老化条件。功率的老化条件如下:
TJ = 187.5
±
12.5 ℃; VCE = 25 V直流;在MIL -STD- 750的总体要求确定TA =室温。
4.3.2热响应( ΔVBE测量) 。 TheΔVBE测量应依照执行
MIL- STD- 750 ,方法3131的
V
BE条件( IH和VH)和最高限额,由每家厂商得到。选择的
V
BE测量和在资格很多每台设备条件,应提交的鉴定报告和热
响应曲线将被绘制。选择的
V
BE应被视为最后的后制造商有机会来测试5
连续的地段。百分之百的安全工作区(SOA)的测试来代替热响应测试本文中进行
条件是温度,时间,电流和电压的适当条件,以实现芯片粘接的完整性被提交给
符合条件的活动。
5
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