文档和流程转换
必要遵守这一措施
修订由2001年11月25日完成。
英制
MIL-PRF-19500/421F
2001年8月25日
取代
MIL-PRF-19500/421E
1998年4月2日
性能规格
半导体器件的Dual晶体管，规格化， NPN / PNP ，
互补，硅类型2N3838 ， 2N4854 ，和2N4854U
JAN ， JANTX ，和JANTXV
本规范由所有部门批准使用
机构和国防部。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了包含一个组合式，双晶体管的性能要求
对电隔离的互补NPN和PNP硅晶体管三极管在一个封装中。三个层次的
提供产品保证为每个设备类型的MIL -PRF- 19500规定。
1.2极性标志。这里示出的电压和限制电流和测试条件适用于NPN型三极管。
对于PNP型三极管，其值是相同的，但在极性标号应相反。
1.3物理尺寸。参见图1（6引线flatpak ），2（类似于T0-77 ）和3 （表面安装） 。
1.4最大额定值。
P
T
在T
A
= +25 C
2N3838 (2)
一
晶体管
W
0.25
总
设备
W
0.35
V
EBO
V DC
5
V
首席执行官
V DC
40
2N4854 (3)
一
晶体管
W
0.30
V
1C-2C
V DC
总
设备
W
0.60
q
P
T
在T
C
= +25 C (1)
2N3838 (4)
一
晶体管
W
0.7
总
设备
W
1.4
I
C
直流毫安
600
2N4854 (5)
一
晶体管
W
1.0
T
J
总
设备
W
2.0
T
英镑
q
V
CBO
V DC
60
导致电压的情况下
V DC
q
C
200
q
C
-55到+200
r
120
r
120
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
T
C
等级不适用于表面贴装器件（ 2N4854U ） 。
对于T
A
> +25
q
C，线性降额1.43毫瓦/
q
一个晶体管， 2.00毫瓦/
q
C都有晶体管。
对于T
A
> +25
q
C，线性降额1.71毫瓦/
q
一个晶体管， 3.43毫瓦/
q
C都有晶体管。
对于T
C
> +25
q
C，线性降额4.0毫瓦/
q
一个晶体管， 8.0毫瓦/
q
C都有晶体管。
对于T
C
> +25
q
C，线性降额5.71毫瓦/
q
一个晶体管， 11.43毫瓦/
q
C都有晶体管。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的
提高这个文件应该给：国防供应中心，哥伦布，联系人： DSCC - VAC ，
P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档改进建议（ DD
表格1426 ）出现在该文件的末尾或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/421F
1.5主要电气匹配每个部分的特征。特点，适用于所有的情况下，
概括。
h
FE5
(1)
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 150毫安DC
h
FE3
(1)
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 10毫安DC
h
FE2
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 100 A DC
V
CE （ SAT ）
(1)
I
B
= 15毫安DC
I
C
= 150毫安DC
V DC
民
最大
100
300
75
35
0.4
V
BE （ SAT ）
(1)
I
B
= 15毫安dc1.5
I
C
= 150毫安DC
V DC
0.80
1.25
P
~
h
fe
~
V
CE
= 10 V DC
I
C
能力= 20 mA DC
F = 100 MHz的
C
敖包
V
CB
= 10 V DC
I
E
= 0
100千赫F 1兆赫
d d
8
V
首席执行官
(2)
I
C
（上） = 600 mA dc直流电
I
B
（上） = 120 mA dc直流电
I
B
（关闭） = 0
V DC
40
t
（上）
参见图4
t
（关闭）
参见图5
t
on
+ t
关闭
参见图6
pF
民
最大
2
8
ns
ns
ns
45
300
18
(1)
(2)
脉冲（参见4.5.1 ） 。
参见4.5.2节。
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
那些规范和标准（ DoDISS ）防御指数部的发行上市和
补充于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化和生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里本文档的文本为准。本文档中的任何内容，但须取代适用
法律，法规，除非特别豁免已获得。
2
MIL-PRF-19500/421F
LTR
A
B
C
D
E
F
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.240
.290
6.10
7.37
.115
.160
2.92
4.06
.030
.080
0.76
2.03
.003
.006
0.08
0.15
.005
.035
0.13
0.89
.010
.019
0.25
0.48
笔记
LTR
4
4, 6
G
H
J
K
L
M
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.100 TP
2.54 TP
.050
1.27
.015
0.38
.050 TP
1.27 TP
.070
.250
1.78
6.35
.260
.650
6.60
16.51
笔记
6, 7
5
6, 7
3, 4
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
尺寸为英寸。
度量等价仅供一般参考中给出。
此维度的最高限额不适用于在运营商提供的设备。
所有六个线索。
铅尺寸是不受控制的在这个区域。
尺寸"F" ， "G"和"K"在区"H"进行测定。
在"H"信息在0.005英寸（0.13 mm）总实际位置（TP ）的最大材料
条件。
晶体管类型2N3838图1.物理尺寸（所有的质量水平） 。
3
MIL-PRF-19500/421F
尺寸
LTR
英寸
民
最大
.305
.335
.140
.260
.335
.370
.009
.125
.016
.021
.500
1.750
MILLIMETERS
民
最大
7.75
8.51
3.56
6.60
8.51
9.40
0.23
3.18
0.41
0.53
12.70
44.45
笔记
LTR
尺寸
笔记
英寸
民
最大
0.0707喃。
0.1000喃。
.016
.019
.029
.045
.028
.034
MILLIMETERS
民
最大
1.796喃。
2.540喃。
0.41
0.48
0.74
1.14
0.71
0.86
CD
CH
HD
HT
LD
LL
3, 7
7
LS1
LS2
LU
TL
TW
5
5
4, 7
6
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
尺寸为英寸。
度量等价仅供一般参考中给出。
测量之外，从飞机座位0.250英寸（ 6.35毫米）的区域。
测区域中的0.050英寸（1.27毫米），从底座平面0.250英寸（ 6.35毫米） 。
当一个衡量平面内测量0.054 +.001 ， -.000英寸（ 1.37 0.03 ， -0.00毫米）的座位下面
晶体管的平面，最大直径导线应在自己的真实的0.007英寸（0.18 MM）
相对于最大宽度的标签位置。直径较小的导线必倒的轮廓内
最大直径铅的耐受性。
测量从实际设备的最大直径。
所有六个线索。
晶体管类型2N4854图2.物理尺寸（所有的质量水平） 。
6.
7.
4
MIL-PRF-19500/421F
LTR
A
A
1
B
1
B
2
B
3
D
D
1
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.058
.100
1.47
2.54
.026
.039
0.66
0.99
.022
.028
0.56
0.71
0.072参考。
1.83参考。
.006
.022
0.15
0.56
.165
.175
4.19
4.45
.095
.105
2.41
2.67
LTR
D
2
D
3
E
E
1
L
1
L
2
L
3
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.045
.055
1.14
1.40
.175
4.45
.240
.250
6.10
6.35
.250
6.35
.060
.070
1.52
1.78
.082
.098
2.08
2.49
.003
.007
0.08
0.18
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.所有的端子接触点的共面性差，由该装置座位平面所限定，应
不超过0.006英寸（0.15毫米），用于浸焊无引线芯片载体。
图中晶体管型2N4854U 3.物理尺寸。
5
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