PD - 91396C
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA7160 100K拉德（SI ）
IRHNA3160 300K拉德（SI ）
IRHNA4160
600K拉德（SI ）
IRHNA8160 1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.04
0.04
0.04
0.04
I
D
51A
51A
51A
51A
IRHNA7160
100V N沟道
REF ： MIL -PRF- 664分之19500
抗辐射HEXFET
MOSFET技术
QPL型号
JANSR2N7432U
JANSF2N7432U
JANSG2N7432U
JANSH2N7432U
SMD - 2
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
51
32.5
204
300
2.4
±20
500
51
30
7.3
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
5/4/2000
IRHNA7160
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
—
2.0
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0 V ， ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 32.5A
VGS = 12V ，ID = 51A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 32.5A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 51A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 51A ，
RG = 2.35Ω
0.040
0.045
4.0
V
—
S( )
25
A
250
100
-100
310
53
110
35
150
150
200
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从漏测中心
垫垫源中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
5300
1600
350
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
51
204
1.8
520
6.5
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 51A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 51A ， di / dt的
≥
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJPCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
1.6
0.42
—
° C / W
测试条件
焊料1 “平方覆铜PC板
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
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2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNA7160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
600 1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=32.5A
V
GS
= 12V，我
D
=32.5A
V
GS
= 0V ， IS = 51A
民
100
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.045
0.04
1.8
民
100
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.062
0.057
1.8
1.产品型号IRHNA7160 （ JANSR2N7432U ）
2.部件号IRHNA3160 （ JANSF2N7432U ） ， IRHNA4160 （ JANSG2N7432U ）和IRHNA8160 （ JANSH2N7432U ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
离子
Cu
Br
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
V
DS （ V）
范围
(m)
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V @
V
GS
=-10V @
V
GS
=-15V @
V
GS
=-20V
43
100
100
100
80
60
39
100
90
70
50
—
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
