PD - 90653B
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET
晶体管
100Volt ， 0.18Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压
在总的稳定性和击穿电压稳定
radiaition剂量高达1×10
6
拉德（SI ） 。下
相同
前和辐照后的测试条件下，在 -
ternational整流器的抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
是必须的。这些器件还能够surviv-
荷兰国际集团瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。由于抗辐射工艺采用
国际整流器公司专利的HEXFET技术，
用户可以期望的最高质量和可靠性
在同行业中。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。它们非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量
在空间和武器环境下脉冲电路。
IRHF7130
IRHF8130
JANSR2N7261
JANSH2N7261
N沟道
产品概述
产品型号
IRHF7130
IRHF8130
MEGA抗辐射
BV
DSS
100V
100V
R
DS （ ON）
0.18
0.18
I
D
8.0A
8.0A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
8.0
5.0
32
25
0.20
±20
130
5.5
-55到150
预辐照
IRHF7130 ， IRHF8130
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98 （典型值）
www.irf.com
1
10/14/98
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
—
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
15
—
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 5.0A
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 5.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 50V ， ID = 8.0A ，
RG = 7.5Ω
0.18
0.185
4.0
V
—
S( )
25
A
250
100
-100
50
12
20
25
55
55
45
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm （ 0.25 ）
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm （ 0.25 ）
从包装到
源焊盘。
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1100
310
55
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
32
1.5
350
3.0
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = 8.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RTH- JA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
2
www.irf.com
辐射特性
抗辐射HEXFETs辐射性能
IRHF7130 ， IRHF8130 ，
JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
1，列2 ， IRHF8130 。表1中的值将是
满足这两条低剂量率检测电路的
被使用。前和辐照后的性能
进行测试和指定的使用相同的驱动器电路
为了提供一个直接的COM和测试条件
每个制造批在低剂量率的型坯进行测试。
（总剂量），符合MIL -STD- 750的环境中，测试
方法1019条件A.国际整流器具有高剂量率测试可以在一个特殊的做
12
所施加的每个请求基础12伏使用的剂量率至多为1×10拉德标准门状态
注5和V
DS
偏压条件等于80％ （Si）的/秒的（见表2 ）
每注6.设备的额定电压前置和后置非理性国际整流器抗辐射HEXFETs
设备的diation限制照射到1×10
5
拉德一直在特征重离子单粒子
（Si）的是相同的，并在表1中给出，协作效应（ SEE ）环境。单粒子效应煤焦
UMN 1 ， IRHF7130 。设备acterization的辐照后的限制被示于表3 。
照射到1×10
6
拉德（Si）的表给出
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
包括三个辐射环境。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHF7130
民
最大
—
4.0
100
-100
25
0.18
1.5
IRHF8130
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 5.0A
TC = 25°C ， IS = 8.0A ，V
GS
= 0V
民
100
1.25
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.24
1.5
V
nA
A
V
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
漏极至源极击穿电压100
栅极阈值电压
2.0
栅极 - 源极漏进
—
栅极 - 源极漏反
—
零栅极电压漏极电流
—
静态漏 - 源
—
导通状态电阻一
二极管的正向电压
—
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
—
— 80 —
—
80
V
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
— 100 —
— 100 —
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 800 —
- 160 A /微秒光电流的上升率
0.1 —
— 0.5 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
离子
Cu
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
3x 10
5
范围
(m)
~43
V
DS
BIAS
(V)
100
V
GS
BIAS
(V)
-5
www.irf.com
3
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
辐照后
图1 。
门门限的典型响应
电压比。总剂量暴露
图2 。
导通状态电阻的典型响应
与总剂量暴露
图3 。
跨导的典型响应
与总剂量暴露
图4 。
流失的典型响应源
击穿比。总剂量暴露
4
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辐照后
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
图5 。
典型的零电压门漏
电流比。总剂量暴露
图6 。
典型导通电阻比。
中子注量水平
图8A 。
V的门应力
GSS
等于12伏在
辐射
图7 。
典型的瞬态响应
的抗辐射HEXFET在
1x10
12
Rad公司（SI ） /秒曝光
图8B 。
V
DSS
应力等于
80 ％的B
VDSS
在辐射
图9 。
高剂量率
（伽马点）测试电路
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5
PD - 90653B
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET
晶体管
100Volt ， 0.18Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压
在总的稳定性和击穿电压稳定
radiaition剂量高达1×10
6
拉德（SI ） 。下
相同
前和辐照后的测试条件下，在 -
ternational整流器的抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
是必须的。这些器件还能够surviv-
荷兰国际集团瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。由于抗辐射工艺采用
国际整流器公司专利的HEXFET技术，
用户可以期望的最高质量和可靠性
在同行业中。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。它们非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量
在空间和武器环境下脉冲电路。
IRHF7130
IRHF8130
JANSR2N7261
JANSH2N7261
N沟道
产品概述
产品型号
IRHF7130
IRHF8130
MEGA抗辐射
BV
DSS
100V
100V
R
DS （ ON）
0.18
0.18
I
D
8.0A
8.0A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
8.0
5.0
32
25
0.20
±20
130
5.5
-55到150
预辐照
IRHF7130 ， IRHF8130
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
0.98 （典型值）
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1
10/14/98
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
—
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
15
—
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 5.0A
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 5.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 50V ， ID = 8.0A ，
RG = 7.5Ω
0.18
0.185
4.0
V
—
S( )
25
A
250
100
-100
50
12
20
25
55
55
45
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm （ 0.25 ）
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm （ 0.25 ）
从包装到
源焊盘。
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1100
310
55
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0
32
1.5
350
3.0
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = 8.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RTH- JA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
5.0
175
° C / W
测试条件
典型的插座安装
2
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辐射特性
抗辐射HEXFETs辐射性能
IRHF7130 ， IRHF8130 ，
JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
1，列2 ， IRHF8130 。表1中的值将是
满足这两条低剂量率检测电路的
被使用。前和辐照后的性能
进行测试和指定的使用相同的驱动器电路
为了提供一个直接的COM和测试条件
每个制造批在低剂量率的型坯进行测试。
（总剂量），符合MIL -STD- 750的环境中，测试
方法1019条件A.国际整流器具有高剂量率测试可以在一个特殊的做
12
所施加的每个请求基础12伏使用的剂量率至多为1×10拉德标准门状态
注5和V
DS
偏压条件等于80％ （Si）的/秒的（见表2 ）
每注6.设备的额定电压前置和后置非理性国际整流器抗辐射HEXFETs
设备的diation限制照射到1×10
5
拉德一直在特征重离子单粒子
（Si）的是相同的，并在表1中给出，协作效应（ SEE ）环境。单粒子效应煤焦
UMN 1 ， IRHF7130 。设备acterization的辐照后的限制被示于表3 。
照射到1×10
6
拉德（Si）的表给出
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
包括三个辐射环境。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHF7130
民
最大
—
4.0
100
-100
25
0.18
1.5
IRHF8130
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 5.0A
TC = 25°C ， IS = 8.0A ，V
GS
= 0V
民
100
1.25
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.24
1.5
V
nA
A
V
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
漏极至源极击穿电压100
栅极阈值电压
2.0
栅极 - 源极漏进
—
栅极 - 源极漏反
—
零栅极电压漏极电流
—
静态漏 - 源
—
导通状态电阻一
二极管的正向电压
—
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
—
— 80 —
—
80
V
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
— 100 —
— 100 —
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 800 —
- 160 A /微秒光电流的上升率
0.1 —
— 0.5 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
离子
Cu
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
3x 10
5
范围
(m)
~43
V
DS
BIAS
(V)
100
V
GS
BIAS
(V)
-5
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3
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
辐照后
图1 。
门门限的典型响应
电压比。总剂量暴露
图2 。
导通状态电阻的典型响应
与总剂量暴露
图3 。
跨导的典型响应
与总剂量暴露
图4 。
流失的典型响应源
击穿比。总剂量暴露
4
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辐照后
IRHF7130 ， IRHF8130 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7261设备
图5 。
典型的零电压门漏
电流比。总剂量暴露
图6 。
典型导通电阻比。
中子注量水平
图8A 。
V的门应力
GSS
等于12伏在
辐射
图7 。
典型的瞬态响应
的抗辐射HEXFET在
1x10
12
Rad公司（SI ） /秒曝光
图8B 。
V
DSS
应力等于
80 ％的B
VDSS
在辐射
图9 。
高剂量率
（伽马点）测试电路
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