PD - 90884B
抗辐射
功率MOSFET
S URFACE安装（SMD - 1 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHN7054
100K拉德（SI ）
IRHN3054
300K拉德（SI ）
IRHN4054
600K拉德（SI ）
IRHN8054
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.027
0.027
0.027
0.027
I
D
35A
35A
35A
35A
IRHN7054
JANSR2N7394U
60V的N通道
REF ： MIL -PRF-六百零三分之一万九千五百
RAD硬HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7394U
JANSF2N7394U
JANSG2N7394U
JANSH2N7394U
SMD-1
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
表面贴装
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
35
30
283
150
1.2
±20
500
35
15
3.5
-55到150
300 （ 5秒）
2.6 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
8/9/01
IRHN7054
预辐照
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
60
2.0
12
电气特性
参数
典型值最大值单位
0.053
4.0
0.027
0.030
4.0
25
250
100
-100
200
60
75
27
100
75
75
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 30A
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 30A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
4100
2000
560
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
35
283
1.4
280
2.2
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
thJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
6.6
测试条件
0.83
° C / W
焊接到一个1英寸见方的包层印刷电路板
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHN7054
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
民
60
2.0
100K拉德（SI ）
最大
300 - 1000K拉德（SI ）
民
最大
单位
单位
V
nA
A
V
测试条件
BV
DSS
V
/5 JD
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Source"
通态电阻（ SMD - 1 ）
二极管正向Voltage"
4.0
100
-100
25
0.027
0.027
1.4
60
1.25
4.5
100
-100
50
0.04
0.04
1.4
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=30A
V
GS
= 12V，我
D
=30A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
1.部件号IRHN7054 （ JANSR2N7394U ）
2.产品编号IRHN3054 ， IRHN4054和IRHN8054 （ JANSH2N7394U ， JANSF2N7394U ， JANSG2N7394U ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
I
Br
LET
能量范围
V
DS （ V）
@
V
GS
=0V@
V
GS
=-5V@
V
GS
=-10V@
V
GS
=-15V @
V
GS
=-20V
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
（兆电子伏）
(m)
59.9
345
32.8
60
60
45
40
30
36.8
305
39
40
35
30
25
20
80
60
VDS
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
BR
I
所示的。单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
PD-90884D
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 1 ）
产品概述
产品型号
IRHN7054
IRHN3054
IRHN4054
IRHN8054
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
500K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
IRHN7054
JANSR2N7394U
60V的N通道
REF ： MIL -PRF-六百零三分之一万九千五百
抗辐射HEXFET
技术
R
DS （ ON）
I
D
QPL型号
0.027Ω 35A JANSR2N7394U
0.027Ω 35A JANSF2N7394U
0.027Ω 35A JANSG2N7394U
0.040Ω 35A JANSH2N7394U
SMD-1
国际整流器公司的抗辐射
技术提供高性能功率
MOSFET的空间应用。该技术
拥有超过十年的成熟的性能和
可靠性在卫星应用。这些器件具有
被定性为总剂量和单
事件效应（ SEE） 。低导通电阻的组合
和低门电荷降低的功率损耗
切换应用，如DC -DC转换器
和马达控制。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，快速切换，易于并联和
电参数的温度稳定性。
TM
HEXFET
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
表面贴装
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ T C = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
2.6 （典型值）
35
30
283
150
1.2
±20
500
35
15
3.5
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
05/15/06
IRHN7054 ， JANSR2N7394U
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
—
2.0
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.053
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.027
0.030
4.0
—
25
250
100
-100
200
60
75
27
100
75
75
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 30A
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 30A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4100
2000
560
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
283
1.4
280
2.2
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
6.6
测试条件
0.83
—
° C / W
焊接到一个1英寸见方的包层印刷电路板
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHN7054 ， JANSR2N7394U
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 1 ）
二极管的正向电压
高达500K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=30A
V
GS
= 12V，我
D
=30A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
民
60
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.027
0.027
1.4
民
60
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.04
0.04
1.4
1.部件号IRHN7054 （ JANSR2N7394U ） ， IRHN3054 （ JANSF2N7394U ）和IRHN4054 （ JANSG2N7394U ）
2.产品编号IRHN8054 （ JANSH2N7394U ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
36.8
59.9
能源
（兆电子伏）
305
345
70
60
50
VDS
40
30
20
10
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
BR
I
范围
V
DS
(V)
(m)
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V @
V
GS
=-10V @
V
GS
=-15V
39
60
60
45
40
32.8
40
35
30
25
@
V
GS
=-20V
30
20
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
