PD-93752C
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD- 0.5 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNJ57034 100K拉德（SI ）
IRHNJ53034 300K拉德（SI ）
IRHNJ54034
600K拉德（SI ）
IRHNJ58034 1000K拉德（SI ）
TM
IRHNJ57034
JANSR2N7480U3
60V的N通道
REF ： MIL -PRF- 703分之19500
5
技术
R
DS （ ON）
0.030
0.030
0.030
0.038
I
D
QPL型号
22A * JANSR2N7480U3
22A * JANSF2N7480U3
22A * JANSG2N7480U3
22A * JANSH2N7480U3
SMD-0.5
国际整流器公司R5技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低导通电阻和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
1.0 （典型值）
22*
21
88
75
0.6
±20
100
22
7.5
10
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
06/16/04
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
2.0
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.057
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.03
4.0
—
10
25
100
-100
45
10
15
25
100
35
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 21A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > = 15V ， IDS = 21A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 22A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 22A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1152
535
42
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
22*
88
1.2
125
322
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 22A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 22A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
6.9
1.67
—
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司网站
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD- 0.5 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
60
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.034
0.03
1.2
60
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.043
0.038
1.2
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 21A
V
GS
= 12V，我
D
= 21A
V
GS
= 0V ， IS = 22A
1.部件号IRHNJ57034 （ JANSR2N7480U3 ） ， IRHNJ53034 （ JANSF2N7480U3 ）和IRHNJ54034 （ JANSG2N7480U3 ）
2.产品编号IRHNJ58034 （ JANSH2N7480U3 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
Xe
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.3
63
86.6
能源
（兆电子伏）
285
300
2068
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
36.8
60
60
60
60
40
29
46
46
35
25
15
106
35
35
27
20
14
70
60
50
40
30
20
10
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
VDS
Br
Xe
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
预辐照
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1000
100
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1
5.0V
10
5.0V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 22A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
10
0.5
1
15
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5
7
9
11
13
15
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 12V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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预辐照
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
2500
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 22A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
C，电容（pF ）
15
1500
西塞
1000
10
科斯
500
5
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T
J
= 150
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 25
°
C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100s
10
1
1ms
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10ms
100
1000
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
PD-93752C
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD- 0.5 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNJ57034 100K拉德（SI ）
IRHNJ53034 300K拉德（SI ）
IRHNJ54034
600K拉德（SI ）
IRHNJ58034 1000K拉德（SI ）
TM
IRHNJ57034
JANSR2N7480U3
60V的N通道
REF ： MIL -PRF- 703分之19500
5
技术
R
DS （ ON）
0.030
0.030
0.030
0.038
I
D
QPL型号
22A * JANSR2N7480U3
22A * JANSF2N7480U3
22A * JANSG2N7480U3
22A * JANSH2N7480U3
SMD-0.5
国际整流器公司R5技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低导通电阻和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
1.0 （典型值）
22*
21
88
75
0.6
±20
100
22
7.5
10
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
06/16/04
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
2.0
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.057
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.03
4.0
—
10
25
100
-100
45
10
15
25
100
35
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 21A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > = 15V ， IDS = 21A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 22A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 22A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1152
535
42
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
22*
88
1.2
125
322
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 22A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 22A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
—
—
—
6.9
1.67
—
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司网站
对于脚注参考最后一页
2
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辐射特性
预辐照
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD- 0.5 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
60
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.034
0.03
1.2
60
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.043
0.038
1.2
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 21A
V
GS
= 12V，我
D
= 21A
V
GS
= 0V ， IS = 22A
1.部件号IRHNJ57034 （ JANSR2N7480U3 ） ， IRHNJ53034 （ JANSF2N7480U3 ）和IRHNJ54034 （ JANSG2N7480U3 ）
2.产品编号IRHNJ58034 （ JANSH2N7480U3 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
Xe
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.3
63
86.6
能源
（兆电子伏）
285
300
2068
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
36.8
60
60
60
60
40
29
46
46
35
25
15
106
35
35
27
20
14
70
60
50
40
30
20
10
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
VDS
Br
Xe
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
预辐照
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1000
100
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1
5.0V
10
5.0V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 22A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
10
0.5
1
15
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5
7
9
11
13
15
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 12V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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预辐照
IRHNJ57034 ， JANSR2N7480U3
2500
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 22A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
C，电容（pF ）
15
1500
西塞
1000
10
科斯
500
5
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T
J
= 150
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 25
°
C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
100s
10
1
1ms
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10ms
100
1000
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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