PD - 91806B
抗辐射
功率MOSFET
SURFCACE MOUNT （ LCC- 18 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHE7130
100K拉德（SI ）
0.18
IRHE3130
300K拉德（SI ）
0.18
IRHE4130
600K拉德（SI ）
0.18
IRHE8130
1000K拉德（SI ） 0.18Ω
I
D
8.0A
8.0A
8.0A
8.0A
IRHE7130
JANSR2N7261U
100V N沟道
REF ： MIL -PRF-六百零一分之一万九千五
RAD硬HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7261U
JANSF2N7261U
JANSG2N7261U
JANSH2N7261U
LCC-18
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
!
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
8.0
5.0
32
25
0.20
±20
130
5.5
-55到150
300 （ 5秒）
0.42 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
7/3/01
IRHE7130
预辐照
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
2.0
2.5
电气特性
参数
典型值最大值单位
0.10
6.1
0.18
0.185
4.0
25
250
100
-100
50
12
20
25
55
55
45
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 5.0A
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 5.0A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 8.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 8.0A
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从排水的中心测量
垫垫源中心
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
1100
310
55
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
8.0
32
1.5
350
3.0
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS = 8.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 8.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
thJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
19
5.0
° C / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
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预辐照
辐射特性
IRHE7130
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
民
100
2.0
100K拉德（SI ）
最大
300 - 1000K拉德（SI ）
民
最大
单位
单位
V
nA
A
V
测试条件
BV
DSS
V
/5 JD
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Source"
通态电阻（ LCC- 18 ）
二极管正向Voltage"
4.0
100
-100
25
0.18
0.18
1.5
100
1.25
4.5
100
-100
50
0.24
0.24
1.5
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=5.0A
V
GS
= 12V，我
D
=5.0A
V
GS
= 0V ， IS = 8.0A
1.部件号IRHE7130 ， （ JANSR2N7261U ）
2.产品编号IRHE8130 ，我RHE3130和IRHE4130 （ JANSF2N7261U ， JANSG2N7261U ， JANSH2N7261U ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
28
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
范围
V
DS （ V）
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V@
V
GS
=-10V@
V
GS
=-15V@
V
GS
=-20V
(m)
43
100
100
100
80
60
39
100
90
70
50
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
所示的。单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
IRHE7130
辐照后
预辐照
的导通状态电阻的门门限图2.典型的响应图1.典型反应
与总剂量暴露
电压比。总剂量暴露
图3.跨导的典型响应
与总剂量暴露
排水图4.典型的响应源
击穿比。总剂量暴露
4
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