PD - 90889D
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHM9150
100K拉德（SI ） 0.080Ω
IRHM93150
300K拉德（SI ） 0.080Ω
I
D
-22A
-22A
IRHM9150
JANSR2N7422
100V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF-六百六十二分之一万九千五百
RAD硬HEXFET技术
QPL型号
JANSR2N7422
JANSF2N7422
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
TM
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-22
-14
-88
150
1.2
±20
500
-22
15
-23
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
www.irf.com
1
2/18/03
IRHM9150
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
民
典型值最大值单位
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -14A
VGS = -12V ，ID = -22A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS >-15V ， IDS = -14A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -22A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -22A ，
VGS = -12V ， RG = 2.35Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
-100
—
—
ΔBV
DSS / ΔTJ击穿的温度系数 - -0.093 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
— 0.080
阻力
—
—
0.085
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
—
-4.0
克FS
正向跨导
11
—
—
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
-25
—
—
-250
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
-100
100
200
35
48
40
170
190
190
—
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4300
1100
310
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-22
-88
-3.0
300
1.5
测试条件
A
V
n
S
C
T
j
= 25°C ， IS = -22A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -22A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
—
48
0.21 —
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM9150
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-14A
V
GS
= -12V ，我
D
=-14A
V
GS
= 0V ， IS = -22A
民
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-4.0
-100
100
-25
0.080
0.080
-3.0
民
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-5.0
-100
100
-25
0.080
0.080
-3.0
1.产品型号IRHM9150 （ JANSR2N7422 ）
2.产品编号IRHM93150 （ JANSF2N7422 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LE牛逼
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
28
36.8
59.9
能源
（兆电子伏）
285
305
345
范围
(m)
@VGS=0V
Cu
Br
I
43
39
32.8
-100
-100
-60
@VGS=5V
-100
-100
—
VD S（ V）
@VGS=10V
-100
-70
—
@VGS=15V
-70
-50
—
@VGS=20V
-60
-40
—
-120
-100
-80
VDS
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
PD - 90889D
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHM9150
100K拉德（SI ） 0.080Ω
IRHM93150
300K拉德（SI ） 0.080Ω
I
D
-22A
-22A
IRHM9150
JANSR2N7422
100V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF-六百六十二分之一万九千五百
RAD硬HEXFET技术
QPL型号
JANSR2N7422
JANSF2N7422
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
TM
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-22
-14
-88
150
1.2
±20
500
-22
15
-23
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
www.irf.com
1
2/18/03
IRHM9150
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
民
典型值最大值单位
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -14A
VGS = -12V ，ID = -22A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS >-15V ， IDS = -14A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -22A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -22A ，
VGS = -12V ， RG = 2.35Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
-100
—
—
ΔBV
DSS / ΔTJ击穿的温度系数 - -0.093 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
— 0.080
阻力
—
—
0.085
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
—
-4.0
克FS
正向跨导
11
—
—
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
-25
—
—
-250
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
-100
100
200
35
48
40
170
190
190
—
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4300
1100
310
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-22
-88
-3.0
300
1.5
测试条件
A
V
n
S
C
T
j
= 25°C ， IS = -22A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -22A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
—
48
0.21 —
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM9150
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-14A
V
GS
= -12V ，我
D
=-14A
V
GS
= 0V ， IS = -22A
民
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-4.0
-100
100
-25
0.080
0.080
-3.0
民
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-5.0
-100
100
-25
0.080
0.080
-3.0
1.产品型号IRHM9150 （ JANSR2N7422 ）
2.产品编号IRHM93150 （ JANSF2N7422 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LE牛逼
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
28
36.8
59.9
能源
（兆电子伏）
285
305
345
范围
(m)
@VGS=0V
Cu
Br
I
43
39
32.8
-100
-100
-60
@VGS=5V
-100
-100
—
VD S（ V）
@VGS=10V
-100
-70
—
@VGS=15V
-70
-50
—
@VGS=20V
-60
-40
—
-120
-100
-80
VDS
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
