文档和流程转换
必要遵守这一措施
应修改2001年10月31日之前完成。
英制
MIL-PRF-19500/455D
2001年7月31日
取代
MIL-PRF-19500/455C
1998年1月25日
性能规格
半导体器件，晶体管NPN硅，电源开关，
类型2N5664 ， 2N5665 ， 2N5666 ， 2N5666S ， 2N5666U3 ， 2N5667 ，和2N5667S ，
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHC ，和JANKC
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了NPN硅功率晶体管的性能要求在使用中
高速功率开关应用。提供给每个封装的四个级别产品保证
在MIL -PRF- 19500规定的设备类型。提供给每个未封装的两个级别的产品保证
在MIL -PRF- 19500规定的设备类型。
1.2物理尺寸。参见图1 （TO- 66） ，图2 （TO -5），图3 （表面安装） ，并且图4 （ JANHC ，
JANKC ） 。
1.3最大额定值。
TYPE
P
T
T
A
= +25°C
P
T
T
C
= +100°C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
T
英镑
和T
op
W
2N5664
2N5665
2N5666 ，S U3
2N5667 ，S
2.5
2.5
1.2
1.2
(1)
(1)
(3)
(3)
W
30
30
15
15
(2)
(2)
(4)
(4)
V DC
250
400
250
400
V DC
200
300
200
300
V DC
6
6
6
6
直流
5
5
5
5
直流
1
1
1
1
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
(1)
(2)
(3)
(4)
线性降额14.3毫瓦/°C，对于T
A
> + 25°C 。
线性降额300毫瓦/°C，对于T
C
> + 100℃。
线性降额6.9毫瓦/°C，对于T
A
> + 25°C 。
线性降额150毫瓦/°C，对于T
C
> + 100℃。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的
提高这个文件应该给：国防供应中心，哥伦布，联系人： DSCC - VAC ，
P.O.盒3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档改进建议（ DD
表格1426 ）出现在该文件的末尾或字母。
美国超导公司N / A
分配表。获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/455D
在T 1.4主要电气特性
A
= +25°C.
h
FE
V
CE
= 5 V
I
C
= 1 A
2N5665
2N5667 ，S
2N5664
2N5666 ，S U3
|h
fe
|
V
BE （ SAT ）
V
CE
= 5 V I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A DC
dc
(1)
F = 10MHz的
V
CE （ SAT ）
I
C
= 3] A DC
(1)
脉冲响应
t
关闭
I
C
= 1直流
2N5664
2N5666 ，S U3
V DC
s
0.25
s
1.5
2N5665
2N5667 ，S
s
2.0
范围
I
C
t
on
=1A
dc
V DC
民
最大
25
75
40
120
2.0
7.0
1.2
0.4
(1) I
B
= 0.3 A DC的2N5664 ， 2N5666 ， 2N5666S ， 2N5666U3 ;我
B
= 0.6 A DC的2N5665 ， 2N5667 ， 2N5667S 。
TYPE
R
θJC
° C / W
（最大）
2N5664, 2N5665
2N5666, 2N5667
2N5666S ， 2N5667S ， 2N5666U3
3.3
6.7
6.7
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
那些规范和标准（ DoDISS ）防御指数部的发行上市和
补充于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化和生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2
MIL-PRF-19500/455D
尺寸
LTR
英寸
MILLIMETERS
笔记
民
CD
CD
1
CH
HR
HR
1
HT
HT
1
LD
LL
L
1
MHD
讯息处理系统
.142
.958
.028
.360
.115
.050
.470
.250
最大
.620
.500
.340
.350
.145
.075
.050
.034
.500
.050
.152
.962
民
最大
15.75
3
11.94
6.35
12.70
8.64
8.89
3
6
2.92
1.27
3.68
1.91
1.27
3
3
5, 9
5, 9
4
7
.711
9.14
.863
12.70
1.27
3.62
24.33
3.86
24.43
5.33
2.72
14.99
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
PS
.190
.210
4.83
2.
度量等价仅供一般参考中给出。
PS
1
.093
.107
2.36
3.
车身轮廓是由LD定义的区域内可选
CD 。
S
1
.570
.590
14.48
4.
这些尺寸应该在点进行测量
0.050英寸（1.27毫米）至0.055英寸（1.40 MM）低于飞机座位。当不使用计，
测量将在座位平面进行。
5.
两个终端。
6.
在两端。
7.
两个洞。
8.
集电极应电连接到所述壳体。
9.
LD适用于L之间
1
和LL 。直径是不受控制以L
1
.
4
4
图中的晶体管类型2N5664和2N5665 1.物理尺寸。
3
MIL-PRF-19500/455D
尺寸
LTR
英寸
民
最大
.335
.260
.370
MILLIMETERS
民
7.75
6.10
8.51
最大
8.51
6.60
9.40
笔记
CD
CH
HD
LC
LD
LL
L
1
L
2
LU
P
Q
.305
.240
.335
0.1414喃
.016
.021
3.59喃
0.41
0.53
6
3
见注释13和14
.050
.250
.016
.100
.019
6.35
0.41
2.54
0.48
1.27
10
10
4
5
6
注意事项：
1.
尺寸为英寸。
r
.007
0.18
2.
度量等价仅供一般参考中给出。
TL
.029
.045
0.74
1.14
3.
测区域中的超越从0.250英寸（ 6.35毫米）
飞机座位。
TW
0.28
.034
0.71
0.86
4.
测区域中的0.050英寸（1.27毫米）和0.250
从底座平面英寸（ 6.35毫米） 。
5.
在这个区域的尺寸光盘上的变化不应超过0.010英寸（0.25毫米）。
6.
大纲在这个区域不被控制。
7.
当一个测量平面内测量0.054英寸+.001 ， -.000 （ 1.37毫米+.03 ， -.00 ）以下的飞机座位
晶体管，最大直径导线应在0.007英寸自己真正的位置，相对的（ 0.18毫米）到
最大宽度标签。直径较小的导线应属于最大直径导线的轮廓内
耐受性。
8.
集电极应电连接到所述壳体。
9.
测量从实际设备的最大直径。
10.
所有这三个线索
11.
在此区域中引线的直径不被控制。
12.
导致1 - 发射极;导致2 - 基本，导致3 - 集电极。
13.
晶体管类型2N5666和2N5667 ， LL是1.500英寸（38.1 mm）最小和1.75英寸（ 44.45毫米）
最大。
14.
晶体管类型2N5666S和2N5667S ， LL是0.500英寸（ 12.7毫米）的最小和0.75英寸（ 19.05
毫米）最大。
图晶体管类型2N5666 ， 2N5666S ， 2N5667和2N5667S 2.物理尺寸。
4
MIL-PRF-19500/455D
概要
1
2
3
符号
英寸
BL
BW
CH
LH
LW1
LW2
LL1
LL2
LS1
LS2
Q1
Q2
民
.395
.291
.1085
.010
.281
.090
.220
.115
.150 BSC
0.075 BSC
.030
.030
0.762
0.762
最大
.405
.301
.1205
.020
.291
.100
.230
.125
民
10.04
7.40
2.76
0.25
7.14
2.29
5.59
2.93
3.81 BSC
1.91 BSC
尺寸
MILLIMETERS
最大
10.28
7.64
3.06
0.51
7.41
2.54
5.84
3.17
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.尺寸和公差应符合ANSI Y14.5M - 1982 。
4. 1号航站楼 - 集热器，端子2 - 基，端3极 - 发射极。
图3.物理尺寸，表面贴装（ 2N5666U3版） 。
5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅功率开关晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百五十五分之一万九千五
器件
水平
2N5664
2N5665
2N5666
2N5666S
2N5666U3
2N5667
2N5667S
JAN
JANTX
JANTV
JANS
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
2N5664
2N5665
总
1/
功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +100°C
P
T
T
J
, T
英镑
2.5
30
2N5664
2N5666 ，S
200
250
6.0
1.0
5.0
2N5666 ，S
2N5667 ，S
1.2
15
-65到+200
2N5666U3
1.5
35
W
°C
2N5665
2N5667 ，S
300
400
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
TO- 66 （ TO- 213AA ）
2N5664, 2N5665
操作&存储结
温度范围
TO-5
2N5666, 2N5667
注意：
1 ）请四百五十五分之一万九千五热降额曲线。
电气特性
(T
C
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μAdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 200V直流
2N5664, 2N5666
V
CE
= 300VDC
2N5665, 2N5667
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200V直流
V
CB
= 250V直流
V
CB
= 300VDC
V
CB
= 400VDC
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
I
CBO
V
（ BR ） CER
250
400
6.0
0.2
0.2
0.1
1.0
0.1
1.0
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
TO- 39 （ TO- 205AD ）
2N5666S ， 2N5667S
V
（ BR ） EBO
VDC
I
CES
μAdc
μAdc
MADC
μAdc
MADC
U-3
2N5666U3
T4 - LDS -0062修订版1（ 081095 ）
第1页3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅功率开关晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百五十五分之一万九千五
电气特性（续）
参数/测试条件
ON CHARACTERTICS
正向电流传输比
I
C
= 0.5Adc ，V
CE
= 2.0Vdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
所有类型
40
25
40
25
15
10
5.0
120
75
符号
分钟。
马克斯。
单位
I
C
= 1.0Adc ，V
CE
= 5.0VDC
h
FE
I
C
= 3.0Adc ，V
CE
= 5.0VDC
I
C
= 5.0Adc ，V
CE
= 5.0VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.0Adc ，我
B
= 0.3Adc
I
C
= 3.0Adc ，我
B
= 0.6Adc
I
C
= 5.0Adc ，我
B
= 1.0Adc
基射极饱和电压
I
C
= 3.0Adc ，我
B
= 0.3Adc
I
C
= 3.0Adc ，我
B
= 0.6Adc
I
C
= 5.0Adc ，我
B
= 1.0Adc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
所有类型
V
CE （ SAT ）
0.4
0.4
1.0
VDC
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
所有类型
V
BE （ SAT ）
1.2
1.2
1.5
VDC
动态特性
正向电流传输比
I
C
= 0.5Adc ，V
CE
= 5.0VDC ， F = 10MHz时
输出电容
V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
C
敖包
120
pF
|h
fe
|
2.0
7.0
开关特性
参数/测试条件
开启时间
V
CC
= 100V直流;我
C
= 1.0Adc ;我
B1
= 30mAdc
打开-O FF时间
V
CC
= 100V直流;我
C
= 1.0Adc ;我
B1
= -I
B2
= 50mAdc
2N5664, 2N5666
2N5665, 2N5667
t
关闭
1.5
2.0
μs
符号
t
on
分钟。
马克斯。
0.25
单位
μs
T4 - LDS -0062修订版1（ 081095 ）
分页： 1 2 3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅功率开关晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百五十五分之一万九千五
安全工作区
DC测试
T
C
= 100 ° C， 1个周期，T
≥
1.0秒，T
r
+ t
f
= 10μs
测试1
V
CE
= 6.0VDC ，我
C
= 5.0Adc
V
CE
= 3.0VDC ，我
C
= 5.0Adc
测试2
V
CE
= 32VDC ，我
C
= 0.75Adc
V
CE
= 40VDC ，我
C
= 0.75Adc
V
CE
= 29Vdc ，我
C
= 0.4Adc
V
CE
= 37.5Vdc ，我
C
= 0.4Adc
测试3
V
CE
= 200V直流，我
C
= 29mAdc
V
CE
= 200V直流，我
C
= 19mAdc
V
CE
= 300VDC ，我
C
= 21mAdc
V
CE
= 300VDC ，我
C
= 14mAdc
2N5664
2N5666
2N5665
2N5667
2N5664
2N5665
2N5666
2N5667
2N5664 , 2N5665
2N5666, 2N5667
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%
T4 - LDS -0062修订版1（ 081095 ）
第3页3
QQ：2881677436 复制
