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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符J型号页 > 首字符J的型号第112页 > JAN2N918UB
必要的文档和流程转换措施
符合本文件由2002年5月16日完成。
英制
MIL-PRF-19500/301F
2002年2月16日
取代
MIL-PRF-19500/301E
2000年10月4日
性能规格
半导体器件,晶体管NPN硅,低功耗
TYPE 2N918和2N918UB
JAN , JANTX , JANTXV和JANS , JANHC和JANKC
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了NPN硅,超高频晶体管的细节要求。
提供给每个设备类型四个级别的产品保证所指定的MIL -PRF- 19500和两级
还提供了未封装的器件产品的保证。
1.2物理尺寸。见图1 ( TO - 72 ) ,图2为UB和图3 ( JANHC和JANKC ) 。
1.3最大额定值。
类型
P
T
1/
T
A
= +25°C
mW
2N918
2N918UB
200
200
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
英镑
和T
J
°C
-65到+200
V DC
30
30
V DC
15
15
V DC
3.0
3.0
直流毫安
50
50
1 /线性降额, 1.14毫瓦/ ° C以上牛逼
A
= 25°C
在T 1.4主要电气特性
A
= +25°C.
极限
NF
V
CE
= 6 V DC
I
C
= 1毫安DC
F = 60MHz的
g
s
= 2.5 mmho
DB
|h
FE
|
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 4毫安DC
F = 100 MHz的
r
b
' C
c
V
CB
= 10 V DC
I
E
= -4.0毫安直流
F = 79.8兆赫
C
敖包
V
CB
= 10 V DC
I
E
= 0毫安DC
100千赫
≤f≤1
兆赫
pF
G
pe
V
CB
= 12 V DC
I
C
= 6.0毫安DC
F = 200 MHz的
ps
最低
最大
6.0
18.0
25
dB
15
1.7
6.0
有益的意见(建议,添加,删除)和任何相关的数据,可能是使用的
提高这个文件应该给:国防供应中心,哥伦布,联系人: DSCC - VAC , PO箱
3990 ,哥伦布,俄亥俄州43216-5000 ,通过使用标准化文件改进建议( DD表格1426 )
出现在本文档的末尾或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/301F
在T 1.4主要电气特性
A
= + 25°C - 续。
极限
h
FE1
V
CE
= 10 V DC
I
C
= 500
A
dc
10
h
FE2
V
CE
= 1.0 V直流
I
C
= 3.0毫安DC
20
200
h
FE3
V
CB
= 10 V DC
I
C
= 10毫安DC
20
最低
最大
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性,文档
用户应注意,它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中,无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格,标准和手册。以下规范,标准,和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明,这些文件的问题是
那些规范和标准( DoDISS )防御指数部的发行上市和
补充于此,举在招标(见6.2) 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
-
测试方法半导体器件。
-
半导体器件,一般规格。
(除非另有说明,都可以从上述规范,标准,和手册的副本
文档自动化和生产服务( DAPS ) ,大厦4D ( DPM - DODSSP ) , 700罗宾斯大道,
费城,宾夕法尼亚州19111-5094 )。
2.3优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里,这个文档的文本优先。本文件的内容,但是,取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
3.要求
3.1一般。用于采集本文所描述的产品的要求应包括本文件和
MIL-PRF-19500.
3.2资格。根据本说明书提供的设备应是由生产的产品
授权资格的活动适用的合格制造商的名单上列出制造商( QML )
之前签订合同(见4.2和6.3 ) 。
2
MIL-PRF-19500/301F
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
.178
.195
4.52
4.95
.170
.210
4.32
5.33
.209
.230
5.31
5.84
.100 TP
2.54 TP
.016
.021
.406
.533
.500
.750 12.70 19.05
.016
.019
.41
.48
.050
1 .27
.250
6.35
.100
2.54
.040
1.02
.028
.048
.71
1.22
.036
.046
.91
1.17
.007
.18
45 ° TP
笔记
TO-72
5
5
7,8
7,8
7,8
5
注意事项:
1.尺寸为英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.除了R(半径)最大, TH应当承担的0.011 (0.28 mm)的最小长度。
4.尺寸TL的最大HD测量。
5.车身轮廓内通过HD ,CD ,和Q限定区域可选
6.信息在仪表平面0.054 +.001 -.000英寸( 1.37 +0.03 -0.00毫米)以下座位平面应在
在最大的物质条件( MMC ),相对于选项卡MMC实际位置(TP )的0.007英寸( 0.18毫米)半径。
该设备可以通过直接方法或通过在图2所示的测量仪和测量方法进行测量。
7.尺寸卢适用于L之间
1
和L
2
。尺寸LD适用于L之间
2
和LL最低。直径
不受控制以L
1
超越LL最低。
8.所有四条引线。
9.尺寸R (半径)适用于标签的两个内角。
10.根据ANSI Y14.5M ,直径相当于
Φx
符号。
11.铅1 =发射器,导致2 =基地,导致3 =集热器,导致4 =情况下(电连接) 。
图1.物理尺寸为2N918 , ( T0-72 ) 。
3
MIL-PRF-19500/301F
UB
Symbo
l
A
A1
B1
B2
B3
D
D1
D2
D3
E
E3
L1
L2
.046
.017
.016
.016
.016
.085
.071
.035
.085
.115
.022
.022
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最大
.056
.035
.024
.024
.024
.108
.079
.039
.108
.128
.128
.038
.038
0.97
0.43
0.41
0.41
0.41
2.41
1.81
0.89
2.41
2.82
0.56
0.56
最大
1.42
0.89
0.61
0.61
0.61
2.74
2.01
0.99
2.74
3.25
3.25
0.96
0.96
注意事项:
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
图2.物理尺寸2N918UB ,表面贴装。
4
MIL-PRF-19500/301F
E
B
芯片尺寸--------- 0.016 X 0.016英寸, ( 0.406毫米X 0.406毫米) 。
模具厚度--- 0.008 ± 0.0016英寸, ( 0.203毫米X 0.406毫米) 。
基垫-------- 0.0027 X 0.0027英寸, ( 0.069毫米X 0.069毫米) 。
发射极焊盘----- 0.0027 X 0.0027英寸, ( 0.069毫米X 0.069毫米) 。
回到金属-----金, 6500 ± 1950年昂
顶部的金属------
铝, 17500 ± 2500盎
背面------
集热器
玻璃熔封---
SIO
2
, 7500 ± 1500盎
图3. JANHC和JANKC ( A版)模具尺寸。
5
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
戈特路商业园,恩尼斯,公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百零一分之一万九千五百
器件
水平
2N918
2N918UB
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25°C
(1)
操作&存储结温范围
注意:
1 )减额线性1.14mW / ° C以上牛逼
A
> 25℃
电气特性
(T
A
= + 25℃ ,除非另有说明)
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 3mAdc
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30V直流
V
CB
= 25VDC
V
CB
= 25VDC ;牛逼
A
= +150°C
发射基截止电流
V
EB
= 3.0VDC
V
EB
= 2.5VDC
正向电流传输比
I
C
= 0.5mAdc ,V
CE
= 10V直流
I
C
= 3.0mAdc ,V
CE
= 1.0VDC
I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 10V直流
I
C
= 3.0mAdc ,V
CE
= 1.0VDC ;牛逼
A
= -55°C
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10mAdc ,我
B
= 1.0mAdc
基射极电压
I
C
= 10mAdc ,我
B
= 1.0mAdc
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
V
( BR ) CEO
15
1.0
10
1.0
10
10
10
20
20
10
0.4
1.0
VDC
VDC
200
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
符号
分钟。
马克斯。
单位
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
&放大器;牛逼
英镑
价值
15
30
3.0
50
200
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
°C
TO-72
2N918
I
CBO
3针
2N918UB
I
EBO
T4 - LDS -0010第3版( 101342 )
第1页4
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
戈特路商业园,恩尼斯,公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
动态特性
参数/测试条件
小信号短路的幅度 - 正向电流传输比
I
C
= 4mAdc ,V
CE
= 10V直流, F = 100MHz的
输出电容
V
CB
=为0 Vdc ,我
E
= 0时,在100kHz
f
1.0MHz
V
CB
= 10Vdc的,我
E
= 0时,在100kHz
f
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 0.5VDC ,我
C
= 0时,在100kHz
f
1.0MHz
噪声图(1)
V
CE
= 6V ,我
C
= 1.0毫安, F = 60MHz的
g
s
= 2.5mmho
小信号功率增益( 1 )
V
CB
= 12V,我
C
= 6.0毫安中,f = 200MHz的
集电极 - 基极时间常数( 1 )
V
CB
= 10V ,我
E
= -4.0mA , F = 79.8MHz
振荡器输出功率( 1 )
V
CB
= 1.5V ,我
C
= 8.0毫安,女
500MHz
收藏家EF网络效率
V
CB
= 15V ,我
C
= 8.0毫安,女> 500MHz的
注意事项:
( 1 )欲了解更多详细信息,请参MIL -PRF-三百〇一分之一万九千五
符号
|h
fe
|
C
obo1
C
obo2
C
IBO
分钟。
6.0
马克斯。
18
3.0
1.7
2.0
单位
pF
pF
NF
6.0
dB
G
pe
R
b'CC
P
o
n
15
25
30
25
dB
ps
mW
%
T4 - LDS -0010第3版( 101342 )
第2页4
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
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联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
包装尺寸
尺寸
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
.028
.036
.250
.100
.040
.048
.046
.007
45 ° TP
.71
.91
英寸
最大
.178
.195
.170
.209
.016
.500
.016
.210
.230
.021
.750
.019
.050
6.35
2.54
1.02
1.22
1.17
.18
5
MILLIMETERS
最大
4.52
4.95
4.32
5.31
.406
12.70
.406
5.33
5.84
.533
19.05
.483
1 .27
5
7,8
7,8
7,8
5
.100 TP
2.54 TP
注意事项:
1.尺寸为英寸。
2.
毫米给出的只是一般信息。
3.
除了R(半径)最大, TH依法追究为0.011英寸(0.28毫米)的最小长度。
4.
TL尺寸从最大的高清测量。
车身轮廓内通过HD ,CD ,和Q限定区域可选
5.
6.
信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸( 1.37 0.025 -0.00毫米),应在0.007英寸
在最大的物质条件( MMC ),相对于选项卡MMC实际位置(TP )的( 0.18毫米)半径。
维的LU应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径
7.
不受控制的在L1和超越LL最低。
8.
所有四个线索。
尺寸R (半径)适用于标签的两个内角。
9.
10.
根据ASME Y14.5M ,直径相当于
φx
符号。
11.
导致1 =发射器,导致2 =基地,导致3 =集热器,导致4 =情况下(电连接) 。
图1 。
外形尺寸为2N918 ( TO- 72 ) 。
T4 - LDS -0010第3版( 101342 )
第3页4
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
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戈特路商业园,恩尼斯,公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
包装尺寸
符号
BH
BL
BW
CL
CW
LL
1
LL
2
尺寸
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
.046
.056
1.17
1.42
.115
.085
.128
.108
.128
.108
.022
.017
.038
.035
0.56
0.4.
2.92
2.16
3.25
2.74
3.25
2.74
0.97
0.89
尺寸
符号
LS
1
LS
2
LW
r
r1
r2
英寸
最大
.036
.040
.071
.016
.079
.024
.008
.012
.022
MILLIMETERS
最大
0.91
1.02
1.80
0.41
2.01
0.61
.203
.305
.559
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
尺寸为英寸。
毫米给出的只是一般信息。
包装上影线区域表示金属化区域。
盖材质:可伐。
垫1 =相应的垫片, 2 =发射器,键盘3 =收集器,垫4 =屏蔽连接到盖。
根据ASME Y14.5M ,直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N918UB ,表面贴装。
T4 - LDS -0010第3版( 101342 )
第4页4
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