2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
资质等级：
JAN ， JANTX ，并
JANTXV
柔顺
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 592分之19500
描述
这家开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高
可靠性的应用。这些器件还低调ü表面贴装可
封装。 Microsemi的还提供了许多其他的晶体管产品，以满足更高和更低
额定功率与在这两个通孔或地表各种开关速度的要求
安装包。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
TO- 254AA封装
特点
JEDEC注册的2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228数列。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF- 592分之19500 。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
符合RoHS标准设计。
也可用于：
U（ SMD - 1
TO- 267AB ）封装
（表面贴装）
2N7224U & 2N7228U
应用/优势
低调的设计。
军事和其它高可靠性应用。
最大额定值
@ T
A
= + 25°C ，除非另有说明
参数/测试条件
操作&存储结温范围
热阻结到外壳
总功耗
@ T
A
= +25 °C
(1)
@ T
C
= +25 °C
栅源电压，直流
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +25 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +100 C
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
(3)
断态电流（峰值总值）
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
源出电流
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
注意事项：
1.
2.
符号
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
P
T
V
GS
I
D1
价值
-55到+150
0.83
4
150
± 20
34.0
27.4
14.0
12.0
21
17
9
8
136
110
56
48
34.0
27.4
14.0
12.0
单位
o
°C
C / W
W
V
A
I
D2
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
I
DM
A（ PK）
I
S
A
线性降额1.2 W / C对于T
C
> +25 C 。
下面的公式导出的最大理论的ID限制。 ID被封装和内部限制
电线，并且还可以通过销直径的限制：
3.
I
DM
= 4 ×1
D1
作为计算附注2 。
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第1页9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
机械及包装
案例：陶瓷和黄金在镀镍钢。
端子：镀金镀镍钨/铜。
标记：产品型号，日期代码和极性符号。
重量6.5克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
空白=商业
2N7224
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
符号
的di / dt
I
F
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
符号定义&
德网络nition
率二极管电流的变化，而在反向恢复模式，记录最大值。
正向电流
栅极驱动阻抗
漏极供电电压
漏源电压，直流
栅源电压，直流
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第2 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数/测试条件
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
栅源电压（阈值）
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= +125°C
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= -55°C
栅电流
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V ，T
J
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 160 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 320 V，T
J
= +125 °C
V
GS
= 0 V, V
DS
= 400 V ，T
J
= +125 °C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0的脉冲
静态漏源导通电阻
T
J
= +125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 21.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 17.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 34.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 27.4的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 14.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 12.0的脉冲
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
200
400
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
V
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
V
nA
I
DSS1
25
A
I
DSS2
0.25
mA
r
DS(on)1
0.070
0.100
0.315
0.415
0.081
0.105
0.415
0.515
r
DS(on)2
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
r
DS(on)3
0.11
0.17
0.68
0.90
1.8
1.9
1.7
1.7
V
SD
V
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
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第3 9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明（续）
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
门源费
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
栅漏电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 34.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.4 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.0 A，V
DS
= 50 V
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
符号
分钟。
马克斯。
单位
Q
G（ ON）的
125
115
110
120
22
22
18
19
65
60
65
70
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
冲洗时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
打开-O FF延迟时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
下降时间
I
D
= 34.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 50 V
I
D
= 27.4 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 100 V
I
D
= 14.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 200 V
I
D
= 12.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 2.35
,
V
DD
= 250 V
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 34.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 27.4 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 14.0 A
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 30 V，I
F
= 12.0 A
符号
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
2N7224
2N7225
2N7227
2N7228
分钟。
马克斯。
单位
t
D（上）
35
ns
t
r
190
ns
t
D（关闭）
170
ns
t
f
130
ns
t
rr
500
950
1200
1600
ns
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
2012 Microsemi的公司
第4页第9
2N7224 ， 2N7225 ， 2N7227和2N7228
图的
热响应（Z
θJC
)
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图1
热阻抗曲线
T4 - LDS -0102 ，第3版（ 121485 ）
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第5 9
QQ：2880707522 复制
