文档和过程
需要转换措施
符合本次修订应
由1998年3月9日完成
英制
MIL-PRF-19500/557F
1997年12月9日
取代
MIL-S-19500/557E
1994年12月9日
性能规格表
半导体器件，场效应管， N沟道，硅
类型2N6796 ， 2N6796U ， 2N6798 ， 2N6798U ， 2N6800 ， 2N6800U ， 2N6802 ，和2N6802U
JAN ， JANTX ， JANTXV ， JANS ， JANHC ，和JANKC
该规范被批准用于所有Depart-使用
ments和国防部的机构。
1.范围
1.1适用范围。本说明书中包括了N沟道的性能要求，增强型，MOSFET，功率晶体管
用于在高密度功率开关应用中使用。提供给每个封装的三个级别的产品保证
在MIL -PRF- 19500规定的设备类型。提供给每个未封装的器件类型两个级别的产品保证。
1.2物理尺寸。参见图1 ，TO- 205AF （以前的TO- 39 ） ，图3 （LCC） ，并且图4为JANHC和JANKC死
尺寸。
1.3最大额定值。除非另有说明， TA = 25
C.
TYPE
3/
PT 1 /
PT
TC = 25
TA = 25
C
W
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
25
25
25
25
W
0.8
0.8
0.8
0.8
VDS
VDG
VGS
ID1 2 /
TC = 25
C
直流
8.0
5.5
3.0
2.5
ID2 2 /
TC = 100
C
直流
5.0
3.5
2.0
1.5
IS
IDM
TJ和
TSTG
V DC
100
200
400
500
V DC
100
200
400
500
V DC
直流
8.0
5.5
3.0
2.5
A（ PK）
32
22
14
11
C
-55到+150
-55到+150
-55到+150
-55到+150
20
20
20
20
1 /线性降额0.2 W /
下TC > +25
C.
TJ最大 - TC
PT =
R
JC
I
D
=
2/
( R
θ
JX ）
T
J(
最大
)
- T
C
X （注册商标
DS （ ON）
在T
J(
最大
)
对于"U"后缀设备3 /电气特性都是相同的对应non"U"后缀的设备，除非另有规定。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能会使用改进本文档
应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人： DSCC增值税， 3990东宽街，哥伦布，俄亥俄州
43216-5000 ，通过使用寻址标准化文献改进建议（DD表格1426 ）出现在此结束
文档或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/557F
LTR
CH
LC
LD
LU
HD
CD
TW
TL
LL
L1
L2
P
Q
r
a
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.160
.180
4.07
4.57
0.200 TP
5.08 TP
.016
.021
0.41
0.53
.016
.019
0.41
0.48
.335
.370
8.51
9.40
.305
.335
7.75
8.51
.028
.034
0.71
0.86
.029
.045
0.74
1.14
.500
.750
12.70
19.05
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.050
1.27
.010
0.25
45 TP
45 TP
笔记
6
7,8
7,8
2
3
7,8
7,8
7,8
5
4
9
6
注意事项：
1.尺寸为英寸。公制等值给出的只是一般信息。
2.除了半径（r ）最大， TW应当承担的0.011英寸（ 0.028毫米）的最小长度。
3.尺寸TL的最大HD测量。
4.外形在该区域不被控制。
5.尺寸CD变化不应超过0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
6.信息在仪表平面0.054 +.001 ， -.000英寸（ 1.37 0.03 ， -0.00毫米）低于飞机座位应在0.007英寸（0.18 MM）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。该装置可以通过被测量
直接方法或通过在图2所示的测量仪和测量过程。
7.卢应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和LL最小值之间。直径是不受控制的在L1和超越LL分钟。
8.所有三根引线。
9.半径（R）适用于标签的两个内角。
10.漏极电连接的情况。
11.根据ANSI Y14.5M ，直径相当于
1
X符号。
图1.物理尺寸TO- 205AF 。
2
MIL-PRF-19500/557F
LTR
1
b1
1
b2
e
e1
h
j
j1
k
k1
L
L1
S
注意事项：
1.
2.
3.
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.0595
.0605
1.511
1.537
.0325
.0335
0.826
0.851
.1995
.2005
5.067
5.093
.0995
.1005
2.527
2.553
.150名义
3.81标称
.0175
.0180
0.444
0.457
.0350
.0355
0.889
0.902
.009
.011
0.23
0.28
.125名义
3.18标称
.372
.378
9.45
9.60
.054
.055
1.37
1.40
.182
.199
4.62
5.05
44.90
45.10
44.90
45.10
笔记
2
4.
5.
尺寸为英寸。公制等值给出的只是一般信息。
所指示的范围内的标签定位器的位置将通过的标签和凸缘的尺寸来确定
该设备被选中。
衡量过程。该装置被测量应插入，直到它的底座面是.125
0.010英寸
(3.18
0.25mm）的距离测量仪的座面。 8的力
0.5盎司然后应采用并联
和对称设备的圆柱形轴。当施加力（力后肉眼观察
不需要被移除） ，该装置的底座面应落座于轨距。使用销
直插入之前在轨距是允许的。
衡量飞机。
钻角。
图2.计铅和标签的位置。
3
MIL-PRF-19500/557F
2N6796
2N6798
2N6800和2N6802
寸
.016
.018
.019
.025
.026
mm
0.41
0.46
0.48
0.64
0.66
寸
.031
.033
.034
.041
.106
mm
0.79
0.84
0.86
1.04
2.69
寸
.116
.148
.180
.181
mm
2.95
3.76
4.57
4.60
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.除另有规定外，有容乃
0.005英寸（
0.13 mm).
4.模具的物理特性是：背面的金属是铬，镍，银等。该
顶部金属是铝和背面接触的漏极。
5.模具厚度为0.0187英寸（ 0.475毫米） 。
图4. JANHCA和JANKCA死亡尺寸。
5
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
资质等级：
JAN ， JANTX ， JANTXV
和JANS *
可在
广告
版本
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
描述
这家开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高
可靠性的应用。该2N6798零件号也是合格的JANS水平。这些
器件还低调U- 18 LCC表面贴装封装。 Microsemi的还
提供了许多其他的晶体管产品，以满足更高和更低的额定功率与各
在这两个通孔和表面贴装封装开关速度的要求。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
特点
JEDEC注册的2N6796 ， 2N6798 ， 2N6800和2N6802数列。
JAN ， JANTX ，并JANTXV资格提供符合MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百。
* JANS资格可以用2N6798只。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项。 ）
提供符合RoHS标准的版本（仅适用于商用级） 。
TO-205AF
(TO-39)
包
应用/优势
轻型顶帽设计，灵活的终端提供了多种安装灵活性。
军事和其它高可靠性应用。
也可用于：
U- 18 LCC封装
（表面贴装）
2N6796U ， 2N6798U ，
2N6800U & 2N6802U
最大额定值
@ T
A
= +25 C ，除非另有说明
参数/测试条件
操作&存储结温范围
热阻结到外壳
总功耗
@ T
A
= +25 °C
(1)
@ T
C
= +25 °C
漏源电压，直流
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
栅源电压，直流
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +25 C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
(2)
漏电流， DC @ T
C
= +100 C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
(3)
断态电流（峰值总值）
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
源出电流
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
请参阅下页的笔记。
符号
T
J
＆放大器;牛逼
英镑
R
θJC
P
T
价值
-55到+150
5.0
0.8
25
100
200
400
500
± 20
8.0
5.5
3.0
2.5
5.0
3.5
2.0
1.5
32
22
14
11
8.0
5.5
3.0
2.5
单位
o
°C
C / W
W
V
DS
V
GS
I
D1
V
V
A
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
I
D2
A
I
DM
A（ PK）
I
S
A
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第1页9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
注意事项：
1.线性降额0.2 W / ℃，对于T
C
> +25 C 。
2.下列公式得出的最大理论我
D
极限。我
D
还受限于封装和内部导线及由于可限于
销直径。
3. I
DM
= 4 ×1
D1
作为计算附注2 。
机械及包装
案例：全密封，可伐基，镍帽。
端子：锡/铅焊料浸镍板或符合RoHS标准的纯锡板（仅适用于商用级） 。
标记：产品型号，日期代码，制造商ID 。
重量：约1.064克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
JANS = JANS级（ 2N6798 ）
空白=商业
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
2N6796
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准（可
商业级只）
空白=不符合RoHS标准
符号
的di / dt
I
F
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
符号定义&
德网络nition
率二极管电流的变化，而在反向恢复模式，记录最大值。
正向电流
栅极驱动阻抗
漏极供电电压
漏源电压，直流
栅源电压，直流
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第2 9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数/测试条件
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
栅源电压（阈值）
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= +125°C
V
DS
≥ V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
J
= -55°C
栅电流
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= ± 20 V, V
DS
= 0 V ，T
J
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
漏电流
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 80 V
= 160 V
= 320 V
= 400 V
= 80 V，T
J
= +125 °C
= 160 V，T
J
= +125 °C
= 320 V，T
J
= +125 °C
= 400 V ，T
J
= +125 °C
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
200
400
500
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
V
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
V
nA
I
DSS1
25
A
I
DSS2
0.25
mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A的脉冲
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A的脉冲
静态漏源导通电阻
T
J
= +125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A的脉冲
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A的脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 8.0 A的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 5.5的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 3.0的脉冲
V
GS
= 0 V，I
D
= 2.5 A的脉冲
r
DS(on)1
0.18
0.40
1.00
1.50
0.195
0.420
1.100
1.600
r
DS(on)2
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
r
DS(on)3
0.35
0.75
2.40
3.50
1.5
1.4
1.4
1.4
V
SD
V
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第3 9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
电气特性
@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明（续）
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
= 50 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
= 50 V
门源费
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
栅漏电荷
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A，V
DS
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A，V
DS
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
= 50 V
符号
分钟。
马克斯。
单位
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
Q
G（ ON）的
28.51
42.07
34.75
33.00
6.34
5.29
5.75
4.46
16.59
28.11
16.59
28.11
nC
Q
gs
nC
Q
gd
nC
开关特性
参数/测试条件
导通延迟时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 5.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 3.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
冲洗时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
I
D
= 5.5 A，V
GS
I
D
= 3.0 A，V
GS
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 7.5
,
V
DD
= 8.0 A
= 5.5 A
= 3.0 A
= 2.5 A
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
= 30 V
= 77 V
= 176 V
= 225 V
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
2N6796
2N6798
2N6800
2N6802
符号
分钟。
马克斯。
单位
t
D（上）
30
ns
t
r
75
50
35
30
40
50
55
55
45
40
35
30
300
500
700
900
ns
打开-O FF延迟时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 5.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 3.0 A，V
GS
= 10 V ，R
G
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
下降时间
I
D
= 8.0 A，V
GS
I
D
= 5.5 A，V
GS
I
D
= 3.0 A，V
GS
I
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
= 10 V ，R
G
t
D（关闭）
ns
t
f
ns
二极管的反向恢复时间
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
的di / dt = 100 A / μs的，V
DD
= 50 V，I
F
t
rr
ns
T4 - LDS -0047 ，第3版（ 121483 ）
2012 Microsemi的公司
第4页第9
2N6796, 2N6798, 2N6800, 2N6802
图的
热响应（Z
θJC
)
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图1
- 归瞬态热阻抗
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2012 Microsemi的公司
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