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由于电子转换过程中的不同格式。实际的技术内容将是相同的。
文档和流程转换
必要遵守这一措施
修订由1998年11月10日完成。
英制
MIL-PRF-19500/423D
1998年8月10日
取代
MIL-PRF-19500/423C
1997年8月29日
性能规格表
半导体器件,晶体管NPN硅开关
类型2N5581和2N5582 , JAN , JANTX ,和JANTXV
该规范被批准用于通过部门使用
空军换货,可供所有应用
部门和国防部的机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了硅NPN开关晶体管的性能要求。三个层次的产品
提供了保证,为每个设备类型的MIL -PRF- 19500规定。
1.2物理尺寸。见3.3 (类似于TO- 46 ) 。
1.3最大额定值。
PT
TA = 25
q
C
W
0.5 1/
PT
TC = 25
q
C
W
2.0
2/
VCBO
V DC
75
VCEO
V DC
50
IC
直流毫安
800
顶部
q
C
-55到+200
1 /线性降额2.86毫瓦/
q
C以上TA = 25
q
C.
2 /线性降额11.43毫瓦/
q
C以上TC = 25
q
C.
1.4主要电气特性。
hFE2
VCE = 10 V DC
IC = 1.0毫安DC
hFE4
VCE = 10 V DC
IC = 150 mA dc直流电
1/
2N5581 2N5582
40
120
100
300
2.5
5.0
_
的hFE
VCE = 20 V DC
IC能力= 20 mA DC
F = 100 MHz的
科博
开关
VCB = 10 V DC
IE = 0
100千赫
d
f
d
1兆赫
pF
ns
花花公子
ns
TON + TOFF
ns
2N5581 2N5582
最大
35
75
8
35
300
18
1 /脉冲(见4.5.1 ) 。
有益的意见(建议,添加,删除)和任何相关的数据,可能会使用改进本文档
应该给:指挥官,哥伦布国防供应中心,联系人: DSCC增值税, 3990东宽街,哥伦布,俄亥俄州
43216-5000 ,通过使用寻址标准化文献改进建议(DD表格1426 )出现在此结束
文档或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/423D
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
Q
TL
TW
r
D
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最大
最大
.178
.195
4.52
4.95
.065
.085
1.65
2.16
.209
.230
5.31
5.84
.100 TP
2.54 TP
.016
.021
0.41
0.53
.500
.750
12.70
19.05
.016
.019
0.41
0.48
---
.050
---
1.27
.250
---
6.35
---
---
.040
---
1.02
.028
.048
0.71
1.22
.036
.046
0.91
1.17
---
.007
---
0.18
45
q
TP
45
q
TP
6
7
7
7
7
7
4
4
3
10, 11
6
注意事项:
1.尺寸为英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.除了R(半径)最大, TW应当承担的0.011 (0.28 mm)的最小长度。
4.尺寸TL的最大HD测量。
5.车身轮廓内通过HD ,CD ,和Q限定区域可选
以下座位平面6.信息在仪表平面0.054 +.001 -.000英寸( 1.37 +0.03 -0.00毫米)款
是在0.007英寸(0.18 MM)的实际位置(TP ),半径最大的物质条件
( MMC ),相对于选项卡MMC 。
7.尺寸卢适用于L之间
1
和L
2
。尺寸LD适用于L之间
2
和LL
最低限度。直径是不受控制以L
1
超越LL最低。
8.所有三根引线。
9.集热器应内部连接到的情况。
10.尺寸R (半径)适用于标签的两个内角。
11.根据ANSI Y14.5M ,直径相当于
I
X符号。
12.铅1 =发射器,导致2 =基地,导致3 =收藏家。
图1.物理尺寸。
2
MIL-PRF-19500/423D
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节不包括
本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。虽然尽力了
已作出保证这个列表的完整性,文档的用户应注意,它们必须符合所有规定的要求
引用在第3和第4本说明书中,无论它们是否被列出的文档。
2.2规格,标准和手册。以下规范,标准,和手册形成本文档的一部分
在本文中所指定的范围。除非另有说明,这些文件的问题是那些在该部的发行上市
规格及( DODISS )补充防御指数标准和于此,引用在招标(见6.2) 。
规范
国防部
MIL -PRF- 19500 - 半导体器件,一般规格。
标准
军事
MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。
(除非另有说明,可从标准化的上述规范,标准,和手册的副本
文档订购中心, 700罗宾斯大道,大厦4D ,费城,宾夕法尼亚州19111-5094 。 )
2.3优先顺序。在本文档的文本和本文中所引用的参考文献之间存在冲突的情况下(除
相关的相关规范或规格表) ,该文档的文本为准。本文档中的任何内容,
然而,取代适用的法律法规,除非特别豁免已获得。
3.要求
3.1相关规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500 ,和本文规定。
3.2缩写,符号和定义。缩写,符号,以及本文所用的定义应以符合MIL- PRF-被指定
19500.
3.3接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应在被指定为
MIL -PRF- 19500 , MIL -HDBK- 6100 ,并在此。
3.3.1铅完成。铅涂层应焊在MIL -PRF- 19500 , MIL -STD -750 ,并在此定义。其中,铅的选择
表层的,应当将取得的文件(见6.2)中指定。
3.4标记。标志应符合MIL -PRF- 19500 。
3.5电气性能特性。除非另有规定,电气性能特点
在第1.3 , 1.4和表一规定
3.6电气试验的要求。电气试验要求应在第4.4.2和4.4.3中指定的子组。
3.7资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性上市授权产品
之前签订合同适用的合格产品名单(见4.2和6.4 ) 。
3
MIL-PRF-19500/423D
4.验证
4.1分类检查。此规定的检验要求分类如下:
一。资质检查(见4.2) 。
B 。筛选(见4.3 )
。一致性检查(见4.4 ) 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500 。
4.3筛选(只JANTX和JANTXV水平) 。筛选应符合MIL -PRF- 19500的表四,并按规定
在本文中。下面的测量应符合表我在此提出。超过表I所述的限制装置
不能接受。
屏幕(见表四
的MIL -PRF- 19500 )
3c
9
10
11
12
测量
JANTX和JANTXV水平
热阻抗(见4.3.2 )
不适用
48小时最低
I
CBO2
,h
FE4
参见4.3.1
80小时最低
表我这里的亚组2 ;
'
I
CBO2
= 100%
初始值或5 nA的DC中,以较大者为准;
'
h
FE4
= +15%
13
4.3.1电源老化条件。功率的老化条件如下: TA =室内环境中4.5的一般的定义
MIL- STD- 750的要求。
VCB = 10 - 30 V DC ; PT = 400毫瓦。
注:没有散热片或强制空气冷却的设备应被允许。
4.3.2热阻抗(Z
6
JX
测量)。在Z
6
JX
测量应符合MIL -STD- 750进行,
方法3131 。
一。我
M
测量电流---------------------- 5毫安。
B 。我
H
正向电流加热------------------- 200毫安(分钟) 。
C.吨
H
加热时间---------------------------------- 25 - 30毫秒。
D.吨
md
测量延迟时间---------------- 60
P
s最大。
。 V
CE
集电极 - 发射极电压--------------- 10 V直流最小
最大极限Z的
6
JX
这些试验条件下面向Z
6
JX
(最大值) = 72
q
C / W 。
4.4符合性检查。一致性检验应符合MIL -PRF- 19500 ,和本文规定。如果
另一种筛选符合MIL -PRF- 19500 ,筛选设备的样品,应当提交被执行到,并通过
不是必需的基团A1和A2检查只(表VIb族,B组,子组1的要求,将再次执行,如果B组有
已按4.4.2满意) 。
4.4.1 A组检验。 A组检验应符合MIL -PRF- 19500进行,表我这里。
4
MIL-PRF-19500/423D
4.4.2 B组的检查。 B组检验应当按照规定如下为JAN的条件下进行,
JANTX ,并JANTXV B组测试于此。电气测量(终点)和JAN , JANTX三角洲的要求,
JANTXV应是以下各步骤之后,并应按照A组,分组2和4.5.2于此。
1
1039
条件
稳态寿命:测试条件B 340小时, V
CB
= 10 -30 V直流,T
J
= 150
q
C最小。无散热片或forced-
在设备的空气冷却应允许。 N = 45的设备, C = 0
步骤1的稳态寿命试验应延长至1000小时,每个模具设计。样品应
从晶圆很多选择每十二个月晶圆生产。 B组第2步
无须不止一次为任何单个的晶片批量。 N = 45 , C = 0 。
高温寿命(非经营性) ,T = 340小时,T
A
= +200
q
C. N = 22 , C = 0
2
1039
3
1032
可用于每个步骤1 /分离样品。在B组故障的情况下,制造商可能会拉一个新样品在
无论从失败的组件很多,或从其他组件很多来自相同晶片两倍大小。如果新的“集结很多”选项
行使,失败的组件很多,应报废。
4.4.2.1 B组样本的选取。从B组检验样本选择应满足以下要求:
a.
对于JAN , JANTX ,并JANTXV样品应随机从最低3晶片选择(或每
晶圆在很多),从每个晶圆批次。
必须从检验批已提交并通过A组的亚组2 ,符合选择
检查。当最后的引线末端焊锡容易氧化电镀任何在高温下,样品的生命
试验组(B组在此为JAN , JANTX ,并JANTXV )可以最终率先完成的申请前拉。
b.
4.4.3 C组检验, C组检验应按照与亚组测试所规定的条件下进行
表VII MIL-PRF- 19500的,并且如下所述。电气测量(终点)和增量要求应符合
A组,分组2和4.5.2于此。
小组
C2
C6
2036
条件
测试条件E.
不适用
4.4.3.1 C组样本的选取。样品C组亚组应随机选择从任何检验批含
这是提交并通过A组检验为采购到同一规格意图封装类型和引脚抛光
一致性检查。使用封闭在预定包类型的单个设备类型的子组的测试应被视为
符合用于该子组的要求。
4.4.4 E组检验。 E组检验应进行资格或者只重学历进行。在表中指定的测试
二本文所必须执行的维护的资格。
检验方法4.5 。检验方法应当在适当的表格中的规定和以下。
4.5.1脉冲测量。条件脉冲测量应符合MIL -STD- 750的第4条的规定。
4.5.2三角洲要求。三角洲要求应符合以下规定:
检查
1
集电极 - 基极截止电流
3036
MIL-STD-750
条件
偏置条件D ,V
CB
= 60 V DC
符号
极限
单位
'
I
CB02
1/
'
h
FE4
1/
初始值或8 nA的100 %
DC ,以较高者为准。
2
正向电流传输比
3076
V
CE
= 10 V直流;我
C
= 150 mA dc直流电;
脉冲式见4.5.2

从最初的25 %变化
读数。
1 /设备超出本次测试的A组范围,不予受理。
5
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