文档和流程转换措施
既要符合本次修订应
由1999年10月22日完成
英制
MIL-PRF-19500/371D
1999年7月23日
取代
MIL-S-19500/371C
1995年3月27日
性能规格表
半导体器件，晶体管NPN硅，大功率
类型2N3902和2N5157
JAN和JANTX
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了硅NPN大功率晶体管的性能要求。两个级别的产品
提供了保证，为每个设备类型的MIL -PRF- 19500规定。
1.2物理尺寸。见图1 （类似TO- 3 ） ， （见3.3 ） 。
1.3最大额定值。
TYPE
PT 1 /
TA = 25
°
C
W
2N3902
2N5157
5.0
5.0
PT 2 /
TC = + 75°C
W
100
100
V DC
700
700
V DC
400
500
V DC
5.0
6.0
直流
2.0
2.0
直流
3.5
3.5
°C
-65到+200
-65到+200
° C / W
1.25
1.25
VCBO
VCEO
VEBO
IB
IC
TJ和TSTG
R
Θ
JC
1 /线性减免29毫瓦/ ° C以上TA = + 25°C 。
2 /线性降额0.8 W / ° C以上TC = + 75°C 。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能会使用改进本文档
应该给：指挥官，哥伦布国防供应中心，联系人： DSCC - VAC ， 3990东宽街，哥伦布，俄亥俄州
43216-5000 ，通过使用寻址标准化文献改进建议（DD表格1426 ）出现在此结束
文档或字母。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
MIL-PRF-19500/371D
LTR
英寸
民
CD
CH
HR
HR1
HT
LD
LL
L1
MHD
讯息处理系统
PS
PS1
s
1
.250
.495
.131
.060
.038
.312
.151
1.177
.420
.205
.655
尺寸
MILLIMETERS
民
6.35
12.57
3.33
1.52
0.97
7.92
3.84
29.90
10.67
5.21
16.64
最大
22.22
8.33
13.34
4.78
3.43
1.09
12.70
1.27
4.09
30.40
11.18
5.72
17.15
最大
.875
.328
.525
.188
.135
.043
.500
.050
.161
1.197
.440
.225
.675
笔记
3,6
3
6
4
注意事项：
1.尺寸以英寸。导致1是发射器，导致2为基础，案例收集器。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.这些尺寸应该在点上测得的0.050英寸（1.27 MM） +.005英寸（0.13月） - 0.000英寸（0.00为毫米）
飞机座位。当不使用计，测量将在底座面制成。
4.两个地方。
5.头的座位平面应在0.001英寸（ 0.03毫米）凹平面到0.004英寸（ 0.10毫米）凸内侧的0.930
寸（ 23.62毫米）上的报头的中心和平面内0.001英寸（ 0.03毫米）凹到0.006英寸直径的圆（0.15
毫米）的整体凸的。
6.铅直径不得在L1超过两次LD 。
7.
按照ANSI Y14.5M ，直径相当于
φ
X符号。
图1.物理尺寸。
2
MIL-PRF-19500/371D
1.4主要电气特性。
hFE1 1 /
VCE
= 5.0 V直流
IC
= 0.5 A DC
hFE2 1 /
VCE
= 5.0 V直流
IC
= 1.0 DC
VBE(SAT)1
IC
= 1.0 DC
IB
= 0.1 A DC
V DC
民
最大
1 /脉冲（见4.5.1 ） 。
25
30
90
1.5
0.8
250
VCE(SAT)1
IC
= 1.0 DC
IB
= 0.1 A DC
V DC
科博
VCB = 10 V DC
IE = 0
100千赫
≤
f
≤
1兆赫
pF
2.5
25
0.8
1.7
| HFE |
VCE = 10 V DC
IC = 0.2 A DC
F = 1 MHz的
s
s
开关
吨
花花公子
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。本节不包括
本说明书中引用的其他部分或推荐的其他信息或实例文档。虽然尽力了
已作出保证这个列表的完整性，文档的用户应注意，它们必须符合所有规定的要求
引用在第3和第4本说明书中，无论它们是否被列出的文档。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成本文档的一部分
在本文中所指定的范围。除非另有说明，这些文件的问题是那些在该部的发行上市
规格及（ DODISS ）补充防御指数标准和于此，引用在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL -PRF- 19500 - 半导体器件，一般规格。
标准
军事
MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。
（除非另有说明，可从防自动以上的规格，标准和手册的副本
印刷服务， 700罗宾斯大道，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ，费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）
2.3优先顺序。在本文档的文本和本文中所引用的参考文献之间存在冲突的情况下（除
相关的相关规范或规格表） ，该文档的文本为准。本文档中的任何内容，
然而，取代适用的法律法规，除非特别豁免已获得。
3
MIL-PRF-19500/371D
3.要求
3.1相关规范。个别项目要求应符合MIL -PRF- 19500和本文规定。
3.2缩写，符号和定义。缩写，符号，以及本文所用的定义应以符合MIL- PRF-被指定
19500.
3.3接口要求和物理尺寸。接口要求和物理尺寸应在被指定为
MIL-PRF- 19500和图1在本文中。
3.3.1铅完成。铅涂层应焊符合MIL -PRF- 19500 ， MIL -STD -750 ，以及在此。凡选择
铅表层的，应当将取得的文件（见6.2）中指定。
3.4标记。标志应符合MIL -PRF- 19500 。
3.5电气性能特性。除非另有规定，电气性能特点
在1.3 ， 1.4和表一规定
3.6电气试验的要求。电气试验要求应在表我这里指定的子组。
3.7资格。根据本说明书提供的设备应是由合格的活性上市授权产品
之前签订合同适用的合格厂商名单（见4.2和6.4 ） 。
4.验证
4.1分类检查。此规定的检验要求分类如下：
一。资质检查（见4.2） 。
B 。筛选（见4.3 ）
。一致性检查（见4.4 ） 。
4.2资格检查。资质检验应符合MIL -PRF- 19500 。
4
MIL-PRF-19500/371D
4.3筛选（ JANTX级别） 。筛选应符合MIL -PRF- 19500的表IV ，和本文规定。该
以下的测量应按表我在此提出。超出表的限制我这里的设备不应
可以接受的。
屏幕（见表四
的MIL -PRF- 19500 ）
3
10
11
12
13
参见4.3.2
VCB = 300 V
hFE2和ICEX1
参见4.3.1
ICEX1 = 100 ％的初始值或
50
成为DC，以较高者为准。
hFE2 =初始值的25％ ;
表2小组在此我
测量
只有JANTX
4.3.1电源老化条件。电源老化测试条件如下：在一般要求规定TA =室内环境
MIL -STD -750 ，第4.5段; VCB = 16-20 V直流; PT = 4.0 W.
4.3.2Thermal回应（
VBE的测量）。该
VBE测量应符合MIL -STD-进行
750 ，方法3131的选择
VBE测量和条件的资格很多每台设备应提交的
鉴定报告和热响应曲线应绘制。选择的
VBE应在生产厂家后，被视为最终
有机会来测试连续五幅。百分之百的安全工作区（ SOA）的测试可以在被执行
本文所代替热响应测试的条件是温度，时间，电流，电压，电路和步骤的适当条件
实现芯片附着诚信的排位赛活动的批准。下面的参数测量应适用于：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
IM测量................................................ 0.10毫安
V
CE
测量电压................................... 20 V （同V
H
)
I
H
集热器加热电流................................... 2 A（最小）
V
H
集电极 - 发射极电压加热.................... 20 V （最小）
t
H
加热时间................................................ ..... 10毫秒（最小值）
t
MD
测量延迟时间................................ 30
s到60
s
t
SW
采样窗口时间...................................... 10
S（最大）
5
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