技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-一百八十二分之一万九千五百
器件
2N720A
2N1893
2N1893S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 10
)
集电极电流
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CER
I
C
P
T
T
J
,
T
SRG
所有器件
80
120
7.0
100
500
2N720A 2N1893 ，S
0.5
0.8
1.8
3.0
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
W
0
的TO- 18 （TO- 206AA ） *
2N720A
C
热特性
特征
符号2N720A 2N1893 ，S
热阻，结到外壳
97
58
R
θ
JC
1 ）减额线性2.86毫瓦/
0
下2N720A ， 4.57毫瓦/
0
下2N1893 ， S T
A
＆ GT ; 25
0
C
2 ）线性降额10.3毫瓦/
0
下2N720A ， 17.2毫瓦/
0
下2N1893 ， S T
C
＆ GT ; 25
0
C
0
单位
C / W
TO-5*
2N1893 ， 2N1893S
*请参阅附录A包
概要
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
首席执行官
V
（ BR ）
CER
I
CBO
分钟。
马克斯。
单位
VDC
VDC
10
10
10
10
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC ，R
BE
= 10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 120伏
V
CB
= 90伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
V
EB
= 5.0伏
80
100
I
EBO
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N720A ; 2N1893 ; 2N1893S JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
基射极电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
h
FE
20
35
40
120
5.0
1.3
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz的
小信号短路正向电流传输比
V
CE
= 5.0伏，我
C
= 1.0 MADC
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC ， F = 1.0千赫
小信号短路输入阻抗
V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC
小信号输出短路导纳
V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
3.0
h
fe
h
ib
h
ob
C
敖包
2
35
45
4.0
10
100
8.0
0.5
15
P
F
开关特性
开启时间+关闭时间
（请参阅/ 182的19500 MIL -PRF -图3 ）
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
t
上+
t
关闭
30
ηs
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
文档和流程转换措施
要遵守本文件应
由2001年9月21日完成。
INCH POUND
MIL-PRF-19500/182F
2001年6月21日
取代
MIL-PRF-19500/182E
1999年7月29日
性能规格
半导体器件，晶体管NPN硅，低功耗
类型2N720A ， 2N720AUB ， 2N1893 ， 2N1893S ， JAN ， JANTX ， JANTXV ，
JANHC2N720A和JANKC2N720A
本规范由所有部门批准使用
国防部和机构。
1.范围
1.1适用范围。该规范涵盖了NPN硅，低功耗晶体管的细节要求。三个层次
产品保证提供给每个设备类型如MIL -PRF- 19500规定。两个级别的产品
提供了用于模具的保证。
1.2物理尺寸。参见图1 （类似的TO- 18） ，图2 （类似T0-5 ） ，图3 （UB包） ，并
图4 （ JANHC ， JANKC模具布局） 。
1.3最大额定值。
TYPE
P
T1
(1)
T
C
= +25°C
W
2N720A
2N720AUB
2N1893
2N1893S
1.8
1.16
3.0
3.0
P
T2
(2)
T
A
= +25°C
W
0.5
0.5
0.8
0.8
V DC
120
120
120
120
V DC
7
7
7
7
V DC
80
80
80
80
直流毫安
500
500
500
500
V DC
100
100
100
100
°C
-65到+200
-65到+200
-65到+200
-65到+200
C / W
325
325
175
175
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
C
V
CER
T
J
和T
英镑
R
ja
（ 1 ）线性降额10.3毫瓦/ ℃的类型2N720A ， 6.63毫瓦/°C的类型2N720AUB和17.2毫瓦/ ℃的类型
2N1893和2N1893S对于T
C
> + 25°C 。
（ 2 ）线性降容在3.08毫瓦/ ℃的类型2N720A ， 2N720AUB牛逼
A
> + 37.5 ° C和5.7毫瓦/ ℃的类型
2N1893和2N1893S对于T
A
> + 60℃。
有益的意见（建议，添加，删除）和任何相关的数据，可能是使用的
提高这个文件应该给：国防供应中心，哥伦布联系人： DSCC - VAC ，
邮政信箱3990 ，哥伦布，俄亥俄州43216-5000 ，通过标准化文档改进建议
（ DD表格1426 ）出现在本文的结尾，或通过信函。
美国超导公司N / A
分配表A.获准公开发行;分布是无限的。
FSC 5961
1.4主要电气特性。
范围
h
FE1
(1)
V
ce
= 10 V DC
I
C
= 0.1毫安DC
民
最大
20
h
FE2
(1)
V
ce
= 10 V DC
I
C
= 10毫安DC
35
h
FE3
(1)
V
ce
= 10 V DC
I
C
= 150毫安DC
40
120
h
fe
F = 20MHz的
V
ce
= 10 V DC
I
C
= 50毫安DC
3.0
10
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50毫安DC
I
B
= 5.0毫安DC
V DC
1.2
（1 ）脉冲（见4.5.1 ） 。
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足援引第3和第4的这一切规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成部
本文在此规定的范围内。除非另有说明，这些文件的问题是那些
在规格和标准防御指数部（ DoDISS ）和补充的发行上市
于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL -PRF- 19500 - 半导体器件，一般规格。
标准
国防部
MIL -STD- 750 - 试验方法半导体器件。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2.3 。优先顺序。在本文档的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
这里，这个文档的文本优先。本文件的内容，但是，取代适用法律
并规定除非特定豁免已获得。
MIL-PRF-19500/182F
符号
英寸
民
最大
.195
2.10
.230
MILLIMETERS
民
4.52
4.31
5.31
最大
4.95
5.33
5.84
笔记
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
TL
TW
r
α
.178
1.70
.209
.100 TP
.016
.500
.016
.021
.750
.019
.050
.250
.028
.036
.048
.046
.010
45 ° TP
2.54 TP
0.41
12.70
0.41
0.53
19.05
0.48
1.27
6.35
0.71
.91
1.22
1.17
.025
45 ° TP
4
5, 6
5, 6
5, 6
5, 6
5, 6
2, 3
2
8
4
注意事项：
1.尺寸以英寸。度量等价的
给出的只是一般信息。
2.除了R（半径）最大， TW应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。
3.尺寸TL的最大HD测量。
4.信息的计平面0.054 +.001 -.001英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米）以下座位平面应在
在最大的物质条件（ MMC ），相对于标签的实际位置（TP ）的0.007英寸（0.18 MM）半径
MMC。该设备可以通过直接方法或通过在示出的测量仪和测量方法测定
MIL-HDBK-6100.
5.尺寸卢适用于L之间
1
和L
2
。尺寸LD适用于L之间
2
和LL最低。直径
不受控制以L
1
超越LL最低。
6.所有3线索。
7.集电极应电连接到所述壳体。
8.尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
9.根据ANSI Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
10.铅数量1 =发射器;导数2 =基地;导数3 =收藏家。
图1.物理尺寸设备类型2N720A （ TO- 18 ） 。
3
MIL-PRF-19500/182F
符号
尺寸
英寸
毫米
民
最大
民
最大
.240
.260
6.10
6.60
0.200 TP
5.08 TP
.016
.021
0.41
0.53
请参阅注释
.016
.250
.355
.305
.009
.100
.019
.050
.370
.335
.041
0.41
6.35
8.51
7.75
0.23
2.54
0.48
1.27
9.40
8.51
1.04
笔记
CH
LC
LD
LL
LU
L
1
L
2
HD
CD
h
P
Q
r
TL
TW
α
6
7, 8
7, 8, 11,
12
7, 8
7, 8
7, 8
.050
.010
.029
.045
.028
.034
45 ° TP
1.27
0.25
0.74
1.14
0.71
0.86
45 ° TP
5
4
10
3
2
6
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
3.除了R（半径）最大， TW应当承担的0.011英寸（0.28毫米）的最小长度。
4. TL从最大的高清测量。
5.车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
6.信息在仪表平面0.054 +.001 ， -.000英寸（ 1.37 0.03 ， -0.000毫米）以下座位平面应在
实际位置（TP ）的最大材料条件下， 0.007英寸（0.18 MM）半径（ MMC）相对于标签
在MMC 。该设备可以通过直接方法或通过所述的测量仪和测量方法测定
在绘图仪上的数字2 。
7.尺寸卢适用于L之间
1
和L
2
。尺寸LD适用于L之间
2
和LL最低。直径
不受控制以L
1
超越LL最低。
8.所有三根引线。
9.集热器应内部连接到的情况。
10.尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
11.对于晶体管类型2N1893 ， LL尺寸应为1.500英寸（38.1 mm）最小。
12.对于晶体管类型2N1893S ，尺寸LL为0.5英寸（ 12.7毫米）最小，并且0.75英寸（ 19.00毫米）
最大。
13.根据ANSI Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
14.铅数量1 =发射器;导数2 =基地;导数3 =收藏家。
图2.物理尺寸设备类型2N1893 ， 2N1893S （ -5 ） 。
4
MIL-PRF-19500/182F
符号
A
A1
B1
B2
B3
D
D1
D2
D3
E
E3
L1
L2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.046
0.056
0.97
1.42
0.017
0.035
0.43
0.89
0.016
0.024
0.41
0.61
0.016
0.024
0.41
0.61
0.016
0.024
0.41
0.61
0.085
0.108
2.41
2.74
0.071
0.079
1.81
2.01
0.035
0.039
0.89
0.99
0.085
0.108
2.41
2.74
0.115
0.128
2.82
3.25
0.128
3.25
0.022
0.038
0.56
0.96
0.022
0.038
0.56
0.96
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.公制等值给出的只是一般信息。
图3.物理尺寸，表面贴装（ 2N720AUB ） 。
5
QQ：2880707522 复制
