1N5711-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五
1N5712-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-四百四十五分之一万九千五百
肖特基势垒二极管
密封式
冶金结合
1N5711
1N5711-1
1N5712-1
1N6857-1
1N6858-1
DSB2810
DSB5712
最大额定值
工作温度： -65 ° C至+ 150°C
存储温度：
-65 ° C至+ 150°C
工作电流： 5711类型
2810,5712 & 6858种
6857 TYPE
降额：
所有类型的：
： 33毫安DC @ TL = + 130 ° C，L = 3/8 “
： 75毫安DC @ TL = + 110 ° C，L = 3/8 “
： 75毫安DC @ TL = + 70 ° C，L = 3/8 “
减免为0（零）毫安+ 150°C
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
CDI
TYPE
数
最低
击穿
电压
最大
前锋
电压
最大
前锋
电压
最大反向
漏电流
V
最大
电容@
R
= 0伏
F = 1.0 MH
Z
V
BR
@ 10
A
伏
DSB2810
1N5711,-1
DSB5712
1N5712-1
1N6857-1
1N6858-1
20
70
20
20
20
70
V @ 1毫安
F
伏
0.41
0.41
0.41
0.41
0.35
0.36
V @I
F
F
毫安
1.0@35
1.0@15
1.0@35
1.0@35
0.75@35
0.65@15
我@V
R
R
伏
15
50
16
16
16
50
C
T
皮法
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
4.5
1
1
1
1
2
2
ESDS
类
nA
100
200
150
150
150
200
图1
设计数据
案例：
密封玻璃柜
每MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五和/ 445
DO- 35概要
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ： 250
C / W，最高为L = .375英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 40
C / W最高
极性：
阴极到底是带状。
注意：
有效的少子寿命（
τ
）是100微微秒
注意：
资格测试，男， JX和JS水平6857和6858型号正在进行中。
联系厂家进行资格完工日期。这两个部件号
通过CDI被介绍为“插入式”替换为5711和5712.他们
提供了更坚固的机械设计和更高的EGB类，唯一的
折衷是增加电容。
安装位置：
任。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N5711, 1N5712, 1N6857, 1N6858
DSB5712
和
DSB2810
包括-1 VERSIONS
100
IF - 正向电流（mA ）
IR - 反向电流（ NA）
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
10,000
10
1000
1.0
100
.1
10
.01
1.0
0
5.0
10
15
20
25
30
VF - 正向电压（ V）
图1 。
的I-V曲线显示典型
正向电压的变化与
温度为DSB5712和
DSB2810肖特基二极管。
VR - 反向电压（ V）
（脉冲的）
图2中。
DSB5712和DSB2810
反转的典型变化
电流（ IR ）与反向电压
（ VR ）在不同温度。
50
IF - 正向电流（mA ）
IR - 反向电流（ NA）
100,000
RD - 动态电阻（ !! ）
0
10
20
30
40
50
60
1000
10
5
10,000
1000
100
1
.5
1
10
.1
.05
10
.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1
1
.1
1.0
10
100
VF - 正向电压（ V）
网络连接gure 3 。
的I-V曲线显示典型
正向电压的变化与
温度对肖特基二极管
1N5711.
VR - 反向电压（ V）
（脉冲的）
图4中。
典型1N5711
反向电流的变化（ IR ）
与反向电压（ VR ）在
不同的温度。
IF - 正向电流（mA ）
（脉冲的）
图5中。
典型的动态
电阻（ RD ）与正向
电流（IF） 。
1N5711-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五
1N5712-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS
每MIL -PRF-四百四十五分之一万九千五百
肖特基势垒二极管
密封式
冶金结合
1N5711
1N5711-1
1N5712-1
1N6857-1
1N6858-1
DSB2810
DSB5712
最大额定值
工作温度： -65 ° C至+ 150°C
存储温度：
-65 ° C至+ 150°C
工作电流： 5711类型
2810,5712 & 6858种
6857 TYPE
降额：
所有类型的：
： 33毫安DC @ TL = + 130 ° C，L = 3/8 “
： 75毫安DC @ TL = + 110 ° C，L = 3/8 “
： 75毫安DC @ TL = + 70 ° C，L = 3/8 “
减免为0（零）毫安+ 150°C
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
CDI
TYPE
数
最低
击穿
电压
最大
前锋
电压
最大
前锋
电压
最大反向
漏电流
V
最大
电容@
R
= 0伏
F = 1.0 MH
Z
V
BR
@ 10
A
伏
DSB2810
1N5711,-1
DSB5712
1N5712-1
1N6857-1
1N6858-1
20
70
20
20
20
70
V @ 1毫安
F
伏
0.41
0.41
0.41
0.41
0.35
0.36
V @I
F
F
毫安
1.0@35
1.0@15
1.0@35
1.0@35
0.75@35
0.65@15
我@V
R
R
伏
15
50
16
16
16
50
C
T
皮法
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
4.5
1
1
1
1
2
2
ESDS
类
nA
100
200
150
150
150
200
图1
设计数据
案例：
密封玻璃柜
每MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五和/ 445
DO- 35概要
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ： 250
C / W，最高为L = .375英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 40
C / W最高
极性：
阴极到底是带状。
注意：
有效的少子寿命（
τ
）是100微微秒
注意：
资格测试，男， JX和JS水平6857和6858型号正在进行中。
联系厂家进行资格完工日期。这两个部件号
通过CDI被介绍为“插入式”替换为5711和5712.他们
提供了更坚固的机械设计和更高的EGB类，唯一的
折衷是增加电容。
安装位置：
任。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
1N5711, 1N5712, 1N6857, 1N6858
DSB5712
和
DSB2810
包括-1 VERSIONS
100
IF - 正向电流（mA ）
IR - 反向电流（ NA）
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
10,000
10
1000
1.0
100
.1
10
.01
1.0
0
5.0
10
15
20
25
30
VF - 正向电压（ V）
图1 。
的I-V曲线显示典型
正向电压的变化与
温度为DSB5712和
DSB2810肖特基二极管。
VR - 反向电压（ V）
（脉冲的）
图2中。
DSB5712和DSB2810
反转的典型变化
电流（ IR ）与反向电压
（ VR ）在不同温度。
50
IF - 正向电流（mA ）
IR - 反向电流（ NA）
100,000
RD - 动态电阻（ !! ）
0
10
20
30
40
50
60
1000
10
5
10,000
1000
100
1
.5
1
10
.1
.05
10
.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1
1
.1
1.0
10
100
VF - 正向电压（ V）
网络连接gure 3 。
的I-V曲线显示典型
正向电压的变化与
温度对肖特基二极管
1N5711.
VR - 反向电压（ V）
（脉冲的）
图4中。
典型1N5711
反向电流的变化（ IR ）
与反向电压（ VR ）在
不同的温度。
IF - 正向电流（mA ）
（脉冲的）
图5中。
典型的动态
电阻（ RD ）与正向
电流（IF） 。
1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和
1N6858-1 ; DSB2810和DSB5712
资质等级：
JAN ， JANTX ，并
JANTXV
可在
广告
版本
肖特基二极管
每个合格的MIL -PRF-四百四十四分之一万九千五百
描述
这肖特基势垒二极管冶金结合，并提供军用级资质
关于“ 1N ”为前缀的数字高可靠性应用。这个小二极管密封
密封，并粘合成一个DO -35玻璃封装。
重要提示：
有关最新信息，请访问我们的网站：
http://www.microsemi.com 。
特点
JEDEC注册1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和1N6858-1数字。
冶金结合。
也可每JAN ， JANTX ， JANTXV和商业的资格MIL -PRF- 19500上/ 444
“ 1N ”只有数字。
（见
PART NOMENCLATURE
所有可用的选项） 。
提供符合RoHS标准的版本（仅适用于商用级） 。
DO-35
(DO-204AH)
包
也可用于：
UB包
（ 3 - pin表面贴装）
1N5711UB ， 1N5712UB
（ B， CC ， CA）
DO- 213AA封装
应用/优势
低反向漏电流特性。
小尺寸高密度使用灵活的通孔引线安装（见包装图示） 。
ESD 1级敏感。
（表面贴装）
1N5711UR -1， 1N5712UR -1，
1N6857UR -1，并
1N6858UR-1
最大额定值
@ 25 C ，除非另有说明
参数/测试条件
结温和存储温度
热阻，结到铅
@铅车身长度= 0.375英寸（ 9.52毫米）
平均整流输出电流：
1N5711
(2)
DSB2810 ， DSB5712 ， 1N5712 1N6858 &
(3)
1N6857
焊锡温度@ 10秒
注意事项：
1.当T
L
= + 130 ° C和L = 0.375英寸，减免我
O
为0 ，在+ 150℃。
2.在t
L
= + 110 ° C和L = 0.375英寸，减免我
O
为0 ，在+ 150℃。
3.当T
L
= + 70 ° C和L = 0.375英寸，减免我
O
为0 ，在+ 150℃。
(1)
符号
T
J
和T
英镑
R
θJL
价值
-65到+150
250
单位
C
摄氏度/ W
I
O
33
75
150
260
mA
MSC - 劳伦斯
6湖街，
劳伦斯， MA 01841
电话： 1-800-446-1158或
(978) 620-2600
传真： （ 978 ） 689-0803
MSC - 爱尔兰
戈特路商业园，
恩尼斯有限公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044
传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
网址：
www.Microsemi.com
o
C
T4 - LDS -0040 ，第4版（ 13年6月4日）
2013 Microsemi的公司
第1页7
1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和
1N6858-1 ; DSB2810和DSB5712
机械及包装
案例：全密封玻璃封装。
端子：锡/铅电镀或符合RoHS标准雾锡（仅商业级）以上的铜包钢。每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
极性：负极由乐队表示。
标记：产品编号。
TAPE & REEL选项：按照EIA -296标准。对于批量向厂家咨询。
重量：约0.2克。
SEE
包装尺寸
在最后一页。
PART NOMENCLATURE
JAN
可靠性水平
JAN = JAN水平
JANTX = JANTX级别
JANTXV = JANTXV水平
CDS （参考JANS ） *
空白=商业级
*只适用于1N5711-1
1N5711
-1
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准（上
商业级只）
空白=不符合RoHS标准
冶金结合
JEDEC型号
（见
电气特性
表）
DSB
二极管，肖特基
系列号
（见
电气特性
表）
2810
(e3)
符合RoHS标准
E3 =符合RoHS标准
空白=不符合RoHS标准
符号
C
f
I
R
I
O
t
rr
V
（ BR ）
V
F
V
R
V
RWM
符号定义&
德网络nition
电容：在1 MHz和规定电压的频率以pF的电容。
频率
反向电流：直流电流从外部电路流入阴极端子在规定的电压V
R
.
平均整流输出电流：输出电流平均一个周期， 50 Hz或60 Hz正弦波
输入和一个180度的导通角。
从改变的时候时刻之间的时间间隔电流过零时：反向恢复时间
向前的方向到相反的方向，并在指定的衰减点的峰值反向电流后发生。
击穿电压：在击穿区的电压。
正向电压：正直流阳极 - 阴极电压的器件将呈现在指定的正向电流。
反向电压击穿区域下方的正向直流阴极 - 阳极电压。
工作峰值反向电压峰值电压不包括所有的瞬态电压（编号JESD282 -B ） 。有时也
历史上著名的PIV 。
T4 - LDS -0040 ，第4版（ 13年6月4日）
2013 Microsemi的公司
第2 7
1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和
1N6858-1 ; DSB2810和DSB5712
电气特性
@ 25 C ，除非另有说明
最低
击穿
电压
最大
前锋
电压
最大
前锋
电压
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
V（ PK）
50
16
16
50
16
16
最大
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
nA
伏
200
50
150
16
150
16
200
50
100
15
150
16
最大
电容
@ V
R
= 0
伏
F = 1.0 MHz的
C
pF
2.0
2.0
4.5
4.5
2.0
2.0
TYPE
数
1N5711-1
1N5712-1
1N6857-1
1N6858-1
DSB2810
DSB5712
V
（ BR ）
@ 10 A
伏
70
20
20
70
20
20
V
F
@ 1毫安
伏
0.41
0.41
0.35
0.36
0.41
0.41
V
F
@ I
F
V @毫安
1.0 @ 15
1.0 @ 35
0.75 @ 35
0.65 @ 15
1.0 @ 35
1.0 @ 35
T4 - LDS -0040 ，第4版（ 13年6月4日）
2013 Microsemi的公司
第3页7
1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和
1N6858-1 ; DSB2810和DSB5712
图的
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
图1
IV曲线呈现典型正向电压变化
温度为1N5712-1 ， DSB5712和DSB2810肖特基二极管
I
R
- 反向电流（ NA）
V
R
- 反向电压（ V） （脉冲）
图2
1N5712-1 ， DSB5712和DSB2810典型的反向变化
电流（I
R
）与反向电压（V
R
）在不同温度
T4 - LDS -0040 ，第4版（ 13年6月4日）
2013 Microsemi的公司
第4 7
1N5711-1 ， 1N5712-1 ， 1N6857-1和
1N6858-1 ; DSB2810和DSB5712
图的
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
科幻gure 3
I - V曲线呈现典型正向电压变化
随着温度的肖特基二极管1N5711
I
R
- 反向电流（ NA）
V
R
- 反向电压（ V） （脉冲）
图4
反向电流的典型1N5711变化（我
R
）与反向电压（V
R
)
在不同温度
T4 - LDS -0040 ，第4版（ 13年6月4日）
2013 Microsemi的公司
第5页第7
QQ：2880707522 复制
