U/J/SST308
系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX ü / J / SST308系列
杰出高频增益
低高频率的噪音
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J / SST ）
连续功率耗散（ U）
最大电流
栅电流（J / SST ）
栅电流（ U）
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
10mA
20mA
350mW
500mW
D
S
1
单N沟道高
频率JFET
G
pg
= 11.5分贝
NF = 2.7分贝
TO-18
底部视图
D
2
3
J系列
TO-92
底部视图
S摹
G
-55 ℃150℃
-55 135℃
S
1
1 2 3
SST系列
SOT-23
顶视图
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
G
r
DS （ ON）
e
n
NF
G
pg
g
fg
g
og
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门工作电流
漏极至源极导通电阻
等效噪声电压
噪声系数
功率增益
2
民
-25
0.7
典型值
最大
1
单位
V
pA
纳伏/赫兹÷
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= 10毫安，V
DS
= 0V
V
DG
= 9V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安，
f
= 100Hz的
-15
35
6
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
dB
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
mS
前锋
跨
输出电导
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
J/SST308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
J/SST309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
J/SST310
民
-2
24
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
U308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
U309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
U310
民
-2.5
24
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
TO-18
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
SOT-23
0.89
1.03
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.016
0.022
0.014
0.020
0.050
2
1
3
0.500
0.610
0.89
1.12
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
测得最佳输入噪声匹配。
3.
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
1.
2.
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
U/J/SST308
系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX ü / J / SST308系列
杰出高频增益
低高频率的噪音
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J / SST ）
连续功率耗散（ U）
最大电流
栅电流（J / SST ）
栅电流（ U）
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
10mA
20mA
350mW
500mW
D
S
1
单N沟道高
频率JFET
G
pg
= 11.5分贝
NF = 2.7分贝
TO-18
底部视图
D
2
3
J系列
TO-92
底部视图
S摹
G
-55 ℃150℃
-55 135℃
S
1
1 2 3
SST系列
SOT-23
顶视图
1
3
2
G
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ F）
I
G
r
DS （ ON）
e
n
NF
G
pg
g
fg
g
og
特征
栅源击穿电压
门源正向电压
门工作电流
漏极至源极导通电阻
等效噪声电压
噪声系数
功率增益
2
民
-25
0.7
典型值
最大
1
单位
V
pA
纳伏/赫兹÷
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
I
G
= 10毫安，V
DS
= 0V
V
DG
= 9V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安，
f
= 100Hz的
-15
35
6
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
f
= 105MHz
f
= 450MHz的
1.5
2.7
16
11.5
14
13
0.16
0.55
dB
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
mS
前锋
跨
输出电导
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
J/SST308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
J/SST309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
J/SST310
民
-2
24
最大
-6.5
60
5
2.5
8
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
V
GS （ OFF ）
I
DSS
C
国际空间站
C
RSS
g
fs
g
os
特征
门源截止电压
源极到漏极饱和电流
输入电容
反向传输电容
正向跨导
输出电导
3
典型值
U308
民
-1
12
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
U309
民
-1
12
最大
-4
30
5
2.5
10
250
U310
民
-2.5
24
最大
-6.5
60
5
2.5
10
250
单位
V
mA
pF
mS
S
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
4
1.9
14
110
TO-18
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
SOT-23
0.89
1.03
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
0.016
0.022
0.014
0.020
0.050
2
1
3
0.500
0.610
0.89
1.12
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
测得最佳输入噪声匹配。
3.
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
1.
2.
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
N沟道JFET
高频放大器
公司
J308 - J310 / SST308 - SST310
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
连续正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10mA
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 360MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.27mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
SOT-23
G
TO-92
工业标准件的低成本塑料包装
高功率增益
低噪音
动态范围越大大于100dB
很容易匹配到75Ω输入
VHF / UHF放大器
振荡器
调音台
引脚配置
应用
订购信息
部分
包
温度范围
J308-310
塑料TO- 92
-55
o
C至+135
o
C
SST308-310塑料SOT- 23
-55
o
C至+135
o
C
对于运营商排序筹码见U308系列。
D
S
G
S
5021
产品标识（ SOT -23 ）
SST308
Z08
SST309
SST310
Z09
Z10
J308 - J310 / SST308 - SST310
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
V
GS （ F）
g
fs
g
os
g
fg
g
og
参数
民
栅源击穿
电压
门反向电流
栅极 - 源
截止电压
饱和漏极电流
（注1 ）
栅极 - 源
正向电压
共源转发
跨
共源输出
导
共栅极正向
跨
通用门输出
导
13,000
150
8,000 17,000
250
13,000
150
-1.0
12
-25
-1.0
-1.0
-6.5
60
1.0
10,000 17,000
250
12,000
150
-1.0
12
308
典型值
最大
民
-25
-1.0
-1.0
-4.0
30
1.0
8,000
17,000
250
V
DS
= 10V
I
D
= 10毫安
（注2 ）
-2.0
24
309
典型值
最大
民
-25
-1.0
-1.0
-6.5
60
1.0
310
典型值
最大
V
nA
A
V
mA
V
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
GS
= -15V,
V
DS
= 0
T
A
= 125
o
单位
测试条件
VDS = 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, I
G
= 1毫安
S
F = 1kHz时
电气特性
（续） （T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
C
gd
C
gs
e
n
参数
栅 - 漏电容
栅极 - 源极电容
相当于短路
输入噪声电压
共源转发
跨
共栅输入
导
共源输入
导
共源输出
导
共栅功率增益
在噪声匹配
噪声系数
共栅功率增益
在噪声匹配
噪声系数
308
1.8
4.3
10
2.5
5.0
309
1.8
4.3
10
2.5
5.0
310
1.8
4.3
2.5
5.0
nV
单位
测试条件
V
DS
= 10V,
V
GS
= -10
F = 1MHz的
（注2 ）
F = 100Hz的
（注2 ）
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
pF
V
DS
= 10V,
√
10
C4 ónVXIXBG ' QXóHzé
赫兹“
I
D
= 10毫安
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
dB
V
DS
= 10V,
I
D
= 10毫安
（注2 ）
Re
（ VFS ）
Re
（ VFG ）
Re
（ VIS）
Re
（沃斯）
G
pg
NF
G
pg
NF
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
12
14
0.4
0.15
16
1.5
11
2.7
S
F = 105MHz
F = 450MHz的
注：1 。
脉冲测试PW 300μS ，占空比
≤3%.
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
摩托罗拉
半导体技术资料
JFET VHF / UHF放大器
订购此文件
由J308 / D
J308
1 DRAIN
N沟道 - 耗尽
3
门
J309
J310
摩托罗拉的首选设备
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
VDS
VGS
IGF
PD
TJ
TSTG
价值
25
25
10
350
2.8
- 65 + 125
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 29-04 ，风格5
TO-92 （TO- 226AA ）
1
2
3
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
门 - 源极击穿电压
（ IG = -1.0
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = -15伏直流， VDS = 0 ， TA = 25 ° C）
（ VGS = -15伏直流， VDS = 0 ， TA = + 125 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 10 VDC ， ID = 1.0 NADC ）
J308
J309
J310
V（ BR ） GSS
IGSS
—
—
VGS （关闭）
– 1.0
– 1.0
– 2.0
—
—
—
– 6.5
– 4.0
– 6.5
—
—
–1.0
–1.0
NADC
μAdc
VDC
– 25
—
—
VDC
基本特征
零 - 门 - 电压漏电流（ 1 ）
（ VDS = 10 VDC ， VGS = 0 ）
IDSS
J308
J309
J310
VGS （ F）
12
12
24
—
—
—
—
—
60
30
60
1.0
VDC
MADC
门源正向电压
（VDS = 0 ，IG = 1.0 MADC ）
小信号特性
共源输入电导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100兆赫）
回复（彝族）
J308
J309
J310
回复（ YOS ）
GPG
—
—
—
—
—
0.7
0.7
0.5
0.25
16
—
—
—
—
—
毫姆欧
dB
毫姆欧
共源输出电导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100兆赫）
共栅功率增益
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
3.0%.
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
J308 J309 J310
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
小信号特性（续）
共源正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100兆赫）
共栅输入电导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100兆赫）
共源正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）
J308
J309
J310
GOS
GFG
J308
J309
J310
高格
J308
J309
J310
CGD
CGS
—
—
—
—
—
150
100
150
1.8
4.3
—
—
—
2.5
5.0
pF
pF
—
—
—
13000
13000
12000
—
—
—
μmhos
回复（ YFS ）
回复（ YIG ）
政府飞行服务队
8000
10000
8000
—
—
—
—
—
20000
20000
18000
250
μmhos
μmhos
—
—
12
12
—
—
毫姆欧
毫姆欧
μmhos
共源输出电导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）
共栅正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）
共栅输出电导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）
栅 - 漏电容
（ VDS = 0 ， VGS = -10伏直流， F = 1.0兆赫）
栅极 - 源极电容
（ VDS = 0 ， VGS = -10伏直流， F = 1.0兆赫）
功能特点
噪声系数
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 450兆赫）
相当于短路输入噪声电压
（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 100赫兹）
NF
en
—
—
1.5
10
—
—
dB
nV
Hz
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
J308 J309 J310
50
来源
U310
C3
L1
C5
C7
1.0 k
VDD +
C1 = C2 = 0.8 - 10 pF的， JFD ＃ MVM010W 。
C3 = C4 = 8.35 pF的伊利＃ 539-002D 。
C5 = C6 = 5000 pF的伊利（ 2443-000 ） 。
C7 = 1000 pF的，艾伦布拉德利＃ FA5C 。
RFC = 0.33
H
米勒＃ 9230-30 。
L1 =一个回合＃ 16铜， 1/4“内径（空芯） 。
L2P =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯） 。
L2S =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯） 。
RFC
C1
C2
C4
C6
L2P
L2S
50
负载
图1. 450 MHz的共栅放大器测试电路
60
I D ，漏电流（毫安）
VDS = 10V
50
40
30
20
10
–5.0
IDSS
+ 25°C
+ 25°C
TA = - 55°C
60
50
40
+150°C
+ 25°C
– 55°C
30
20
IDSS ，饱和漏极电流（毫安）
70
70
YFS ，正向跨导（毫姆欧）
35
30
25
20
15
10
+150°C
+ 25°C
– 55°C
+150°C
VDS = 10V
F = 1.0 MHz的
TA = - 55°C
+ 25°C
+150°C 10
0
0
5.0
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–1.0
–4.0
–3.0
–2.0
ID - VGS ，栅源电压（伏）
IDSS - VGS ，栅源截止电压（伏）
VGS ，栅源电压（伏）
图2.漏电流和转让
特性与栅源电压
图3.正向跨导
与栅源电压
YFS ，正向跨导（
姆欧）
100 k
YFS
1.0 k
YOS ，输出导纳（
姆欧）
10
RDS
电容（pF）
7.0
120
R DS ，导通阻抗（欧姆）
YFS
10 k
96
100
72
CGS
4.0
48
1.0 k
YOS
VGS （OFF ） = - 2.3 V =
VGS （OFF ） = - 5.7 V =
10
CGD
1.0
0
10
24
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
ID ，漏极电流（毫安）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
VGS ，门源极电压（伏）
图4.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
图5.导通电阻和结
电容与栅源电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
J308 J309 J310
30
VDS = 10V
ID = 10毫安
TA = 25°C
3.0
|S21|, |S11|
0.85 0.45
S22
2.4
Y12 （毫姆欧）
Y11
0.79 0.39
S21
1.8
0.73 0.33
VDS = 10V
ID = 10毫安
TA = 25°C
S11
0.6
Y12
0
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.55 0.15
100
0.61 0.21
S12
200
300
500
男，频率（MHz）
700 1000
0.90
0.012 0.92
0.036 0.96
0.048 0.98
|S12|, |S22|
0.060 1.00
| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）
24
18
12
Y21
Y22
1.2
0.67 0.27
0.024 0.94
6.0
图6.共栅参数y
幅度与频率
θ
21,
θ
11
180° 50°
θ
22
170°
40°
θ
21
θ
12,
θ
22
– 20°
87°
– 20°
– 40°
– 60°
– 80°
– 100°
150°
20°
θ
12
θ
11
140°
10°
VDS = 10V
ID = 10毫安
TA = 25°C
700
– 120° 84°
– 140°
– 160° 83°
– 180°
– 200° 82°
1000
– 120°
– 100°
– 80°
85°
– 60°
86°
图7.共栅的S参数
幅度与频率
θ
11,
θ
12
– 20° 120°
θ
21
θ
21,
θ
22
0
θ
22
θ
11
– 40° 100°
– 20°
160°
30°
80°
– 40°
60°
θ
12
40°
VDS = 10V
ID = 10毫安
TA = 25°C
200
300
500
男，频率（MHz）
θ
21
θ
11
– 60°
– 80°
130°
0°
100
200
300
500
男，频率（MHz）
20°
100
700
– 100°
1000
图8.共栅参数y
相角与频率
图9. s参数相角
与频率
8.0
7.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
5.0
GPG
4.0
NF
3.0
2.0
1.0
0
4.0
6.0
8.0
10 12
14 16
18
ID ，漏极电流（毫安）
20
22
VDD = 20 V
F = 450 MHz的
BW
≈
10兆赫
图1所示电路
24
21
PG ，功率增益（分贝）
NF ，噪声系数（dB ）
18
15
12
9.0
6.0
3.0
0
24
7.0
26
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
2.0
0
50
100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
GPG
VDS = 10V
ID = 10毫安
TA = 25°C
图1所示电路
NF
6.0
18
14
10
PG ，功率增益（分贝）
22
图10.噪声系数和
功率增益与漏电流
图11.噪声系数和功率增益
与频率
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
J308 J309 J310
C1
S
G
L1
输入
RS = 50
C2
L2
C3
U310
D
C4
L3
C5
L4
C6
BW （3 dB为单位） - 36.5兆赫
ID - 10 MADC
VDS = 20伏直流
设备外壳接地
IM测试音调 - F1 = 449.5兆赫， F2 = 450.5兆赫
C1 = 1-10 pF的约翰森空气可变微调。
C2，C5 = 100pF的供给通钮电容器。
C3，C4， C6 = 0.5-6 pF的约翰森空气可变
微调。
L1 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-5 / 8 “铜条。
L2 ， L4 = Ferroxcube公司Vk200呛。
L3 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-7 / 8 “铜条。
产量
RL = 50
VS
盾
VD
图12. 450 MHz的IMD评估放大器
放大器的功率增益和IMD产物是负载阻抗的函数。用于与C4和上面所示的放大器设计
C6调整，以反映负载造成9 dB的额定功率增益漏，三阶截取点（ IP ）值
29 dBm的。调节C4，C6 ，以提供较大的负载的值将导致更高的增益，小的带宽和更低的IP值。为
例如， 13 dB的额定增益为19 dBm的截点来实现。
+40
输出功率PER TONE （ DBM）
+20
0
–20
–40
–60
–80
–100
–120
–120
U310 JFET
VDS = 20伏直流
ID - 10 MADC
F1 = 449.5兆赫
F2 = 450.5兆赫
3阶截取点
基本输出
拦截点的情节使用示例：
假设-20 dBm的带内的两个信号在放大器的输入端。
它们将产生一个第三阶IMD信号时的输出
-90 dBm的。还有，在输出端的各信号电平将是
-11 dBm时，显示为9.0放大器的增益分贝和
互调比79分贝（ IMR ）的能力。增益和
IMR值仅适用于以下比较信号电平。
0
+20
三阶IMD输出
–100
–60
–40
–20
–80
输入功率PER TONE （ DBM）
图13.双音3阶截取点
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
分立功率&信号
技术
J309
J310
MMBFJ309
MMBFJ310
G
D
G
S
TO-92
D
SOT-23
马克： 6U / 6T
S
N通道射频放大器
该器件是专为VHF / UHF放大器，振荡器和混频器
应用程序。共栅极放大器， 16分贝在100MHz和
可以实现12分贝在450兆赫。从工艺92采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DS
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
J309 / J310
350
2.8
125
357
最大
*MMBFJ309
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N通道射频放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= - 1.0
A,
V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0
V
GS
= - 15 V, V
DS
= 0, T
A
= 125°C
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 NA
J309
J310
- 25
- 1.0
- 1.0
- 4.0
- 6.5
V
nA
A
V
V
- 1.0
- 2.0
基本特征
I
DSS
V
GS （
f
)
零栅极电压漏极电流*
门源正向电压
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, I
G
= 1.0毫安
J309
J310
12
24
30
60
1.0
mA
mA
V
小信号特性
Re
(
y
IS ）
共源输入电导V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 100 MHz的
J309
J310
共源输出
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 100 MHz的
导
共栅功率增益
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 100 MHz的
共源转发
跨
共栅输入电导
共源转发
跨
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
J309
J310
V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
10,000
8000
0.7
0.5
0.25
16
12
12
毫姆欧
毫姆欧
毫姆欧
dB
毫姆欧
毫姆欧
20,000
μmhos
18,000
μmhos
150
μmhos
μmhos
μmhos
μmhos
μmhos
pF
pF
dB
Re
(
y
OS ）
G
pg
Re
(
y
FS ）
Re
(
y
IG ）
g
fs
g
os
g
fg
g
og
C
dg
C
sg
NF
e
n
共源输出
导
共栅正向电导V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
J309
J310
共栅输出电导V
DS
= 10, I
D
= 10 mA时， F = 1.0千赫
J309
J310
漏 - 栅电容
V
DS
= 0, V
GS
= - 10 ， F = 1.0 MHz的
源极 - 栅极电容
噪声系数
相当于短路输入
噪声电压
V
DS
= 0, V
GS
= - 10 ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安，
F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安，
F = 100赫兹
13,000
12,000
100
150
2.0
4.1
3.0
6.0
2.5
5.0
纳伏/赫兹÷
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N通道射频放大器
（续）
典型特征
传输特性
传输特性
传输特性
传输特性
输入导纳
正向纳
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
常见的漏源
输出电导与
漏电流
输出导纳
电容 - 电压
噪声电压与频率的关系
反向纳
J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310
N通道射频放大器
（续）
典型特征
（续）
参数相互作用
跨导主场迎战
漏电流
漏电流与电压
功耗与
环境温度
P - 功率耗散（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
TO-92
SOT-23
J309, J310
订购信息
设备
J309
J309G
J310
J310G
J310RLRP
J310RLRPG
J310ZL1
J310ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
2000单位/磁带&弹药盒
2000单位/磁带&弹药盒
1000单位/散装
1000单位/散装
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
60
I D ，漏电流（毫安）
V
DS
= 10 V
50
40
30
20
10
5.0
I
DSS
+25
°C
+25
°C
T
A
= 55°C
60
50
40
+150°C
+25
°C
55
°C
30
20
IDSS ，饱和漏极电流（毫安）
70
70
YFS ，正向跨导（毫姆欧）
35
30
25
20
15
10
+150°C
55
°C
+150°C
+25
°C
V
DS
= 10 V
F = 1.0 MHz的
T
A
= 55°C
+25
°C
+150°C 10
0
0
5.0
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.0
4.0
3.0
2.0
I
D
V
GS
，栅源电压（伏）
I
DSS
V
GS
，栅源截止电压（伏）
V
GS
，栅源电压（伏）
图1.漏电流和转让
特性与栅源电压
图2.正向跨导
与栅源电压
http://onsemi.com
3
J309, J310
YFS ，正向跨导
μ
姆欧）
(
100 k
Y
fs
100
1.0 k
YOS ，输出导纳（
μ
姆欧）
10
R
DS
电容（pF）
7.0
72
C
gs
4.0
48
120
R DS ，导通阻抗（欧姆）
Y
fs
10 k
96
1.0 k
Y
os
V
GS （ OFF ）
= 2.3 V =
V
GS （ OFF ）
= 5.7 V =
10
C
gd
1.0
0
10
24
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
I
D
，漏极电流（毫安）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
V
GS
，门源极电压（伏）
图3.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
30
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
3.0
图4.导通电阻和结
电容与栅源电压
|S
21
|, |S
11
|
0.85 0.45
S
22
|S
12
|, |S
22
|
0.060 1.00
| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）
24
2.4
Y12 （毫姆欧）
Y
11
0.79 0.39
S
21
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
S
11
0.048 0.98
18
1.8
0.73 0.33
0.036 0.96
12
Y
21
Y
22
Y
12
1.2
0.67 0.27
0.024 0.94
6.0
0.6
0.61 0.21
S
12
0.012 0.92
0
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.55 0.15
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700 1000
0.90
图5.共栅参数y
幅度与频率
q
21
,
q
11
180° 50°
q
22
170°
40°
q
21
q
12
,
q
22
2
0° 87°
20
°
40
°
60
°
80
°
100
°
150°
20°
q
12
q
11
140°
10°
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
700
120
°
84°
140
°
160
°
83°
180
°
200
°
82°
1000
85°
86°
图6.共栅的S参数
幅度与频率
q
11
,
q
12
20
°
120°
40
°
100°
60
°
80°
80
°
60°
q
12
100
°
40°
120
°
20°
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
200
300
500
男，频率（MHz）
q
11
80
°
100
°
1000
q
21
q
21
q
21
,
q
22
q
11
q
22
0
20
°
40
°
60
°
160°
30°
130°
0°
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
图7.共栅参数y
相角与频率
图8. s参数相角
与频率
http://onsemi.com
4
J309, J310
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格5 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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美国/加拿大
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
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5
J309/D
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
J308
J309
J310
产品概述
产品型号
J308
J309
J310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
SST308
SST309
SST310
U309
U310
V
GS （ OFF ）
(V)
-1到-6.5
-1至-4
-2至-6.5
-1到-6.5
-1至-4
-2至-6.5
-1至-4
± 2.5 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–25
–25
–25
–25
–25
–25
–25
–25
g
fs
MIN（ ms）的
8
10
8
8
10
8
10
10
I
DSS
敏（毫安）
12
12
24
12
12
24
12
24
特点
D
优秀的高频增益：
GPS 11.5分贝@ 450 MHz的
D
非常低噪声： 2.7分贝@ 450 MHz的
D
非常低的失真
D
高AC / DC开关关断隔离
好处
D
D
D
D
D
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
应用
D
D
D
D
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
描述
在J / SST / U308系列提供了极好的放大特性。
特别感兴趣的是其高频性能。即使在450
兆赫，该系列提供了高功率增益低噪声。
低成本的J系列TO - 226AA （ TO- 92 ）封装支持
自动化装配与磁带和卷轴选项。在SST系列
TO- 236 （ SOT -23 ）封装，提供表面贴装能力
且提供带与卷筒的选项。该U系列
密封的TO- 206AC （ TO- 52 ）封装，支持全
军方处理。 （参见用于军事和包装信息
进一步的细节。 ）
对于包装在TO -78相似的双产品，见
U430 / 431的数据表。
TO-226AA
(TO-92)
D
1
D
1
TO-236
(SOT-23)
S
3
G
TO-206AC
(TO-52)
1
S
2
S
2
G
3
顶视图
J308
J309
J310
顶视图
SST308 （ Z8 ） *
SST309 （ Z9 ） *
SST310 （ Z0 ） *
*标识代码为TO- 236
2
D
顶视图
U309
U310
3
G和案例
应用程序信息，请参阅AN104 。
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 V
栅电流：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
1
/ “案件从10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
焊接温度（
16
存储温度：
（J / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
（U前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到175_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗：
（J / SST前缀）
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
（U前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
对于j / SST308 ，J / SST309和J / SST310规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
J/SST308
J/SST309
J/SST310
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
MIN MAX MIN
最大最小
最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10毫安
V
DS
= 0 V
J
–35
–25
–1
12
–6.5
60
–1
–1
–25
–1
12
–4
30
–1
–1
–25
–2
24
–6.5
60
–1
–1
V
V
mA
nA
mA
pA
W
–0.002
–0.001
–15
35
0.7
1
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
14
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
J
V
DS
= 10 V
V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
SST
J
SST
110
4
4
1.9
1.9
6
nV/
√Hz的
2.5
2.5
2.5
pF
8
250
5
10
250
5
8
250
5
mS
mS
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
共栅功率增益
c
F = 105兆赫
g
fg
g
og
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
G
pg
NF
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
2.7
NZB
dB
mS
噪声系数
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
规格FOR U309和U310 （T
A
= 25°C除非另有说明）
范围
U309
U310
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
漏源导通电阻
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1 NA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 125_C
V
DG
= 9 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 10 mA时， V
DS
= 0 V
–35
–25
–1
12
–4
30
–25
–2.5
24
–6
60
V
V
mA
nA
mA
pA
W
–0.002
–0.001
–15
35
0.7
–
0.15
–
0.15
–
0.15
–
0.15
1
1
V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= –10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
14
110
4
1.9
6
10
250
5
2.5
10
250
5
pF
2.5
nV/
√Hz的
mS
mS
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 100赫兹
高频
共栅
正向跨导
共栅
输出电导
F = 105兆赫
g
fg
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
g
og
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
共栅功率增益
c
G
pg
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
F = 450 MHz的
F = 105兆赫
噪声系数
NF
F = 450 MHz的
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。增益（G
pg
）测得最佳输入噪声匹配。
2.7
3.5
3.5
NZB
14
13
0.16
0.55
16
11.5
1.5
14
10
2
14
10
dB
2
mS
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
100
漏电流和跨导
与门源截止电压
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
栅极漏电流
50
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
I
G
@
I
D
= 10毫安
1 nA的
I
G
- 栅极泄漏
T
A
= 125_C
200毫安
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
80
40
60
g
fs
40
I
DSS
30
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
200毫安
20
10 pA的
10毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
20
10
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0.1帕
0
3
6
9
12
15
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
300
20
共源正向跨导
与漏电流
V
GS （ OFF ）
= –3 V
g
os
- 输出电导（MS ）
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
80
240
16
T
A
= –55_C
12
60
r
DS
180
g
os
120
40
8
25_C
125_C
20
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
60
4
0
0
0.1
1
I
D
- 漏电流（mA ）
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
输出特性
15
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
9
–0.4 V
6
–0.6 V
3
–0.8 V
–1.0 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
24
30
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
18
–0.4 V
–0.8 V
–1.2 V
12
–1.6 V
6
–2.0 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
7-4
焦耳/ SST / U308系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
GS
= 0 V
16
I
D
- 漏电流（mA ）
–0.2 V
I
D
- 漏电流（mA ）
40
–0.4 V
30
–0.8 V
–1.2 V
–1.6 V
10
–2.0 V
–2.4 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
50
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
输出特性
12
–0.4 V
8
–0.6 V
–0.8 V
–1.0 V
20
4
V
DS
- 漏源电压（ V）
传输特性
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
24
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
80
100
传输特性
V
GS （关闭
)
= –3 V
V
DS
= 10 V
18
T
A
= –55_C
25_C
60
T
A
= –55_C
25_C
40
12
6
125_C
20
125_C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨导与栅源电压
30
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
24
T
A
= –55_C
25_C
18
125_C
12
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
50
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –3 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
T
A
= –55_C
30
25_C
20
125_C
10
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
6
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
–3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 70237
S- 04028 -REV 。 G， 04军， 01
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