J210, J211, J212
线性集成系统
低噪声N沟道J- FET
通用扩增fi er
TO-92
特点
高增益g
fs
= 7000
姆欧最小值( J211 , J212 )
高输入阻抗I
GSS
=为100pA最大
低输入电容C
国际空间站
= 5pF的典型
绝对最大额定值
@ 25 ℃(除非另有说明)
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压
栅电流
器件总功耗@ 25 ° C环境
(减免3.27毫瓦/ ° C)
工作温度范围
G
S
塑料
TO-92
D
G
S
-25V
10mA
360mW
-55 ° C至+ 135°C的
G
S
D
底部视图
电气特性@ 25
°
℃(除非另有说明)
符号特性
J210
J211
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
I
GSS
V
GS ( OFF )
BV
GSS
I
DSS
I
G
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
门反向电流
栅源截止电压
栅源击穿电压
--
-1
-25
2
--
4,000
--
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-100
-3
--
15
--
12,000
--
-2.5
-25
7
--
6,000
--
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-100
-4.5
--
20
--
12,000
J212
单位条件
最小典型最大
--
--
-100
pA
V
DS
=
0
V
GS
= -15V
(注1 )
-4
-25
15
--
7,000
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-6
--
40
--
12,000
V
mA
pA
μmho
V
DS
=15V
V
DS
=0
V
DS
=15V
V
DS
=10V
I
D
=1nA
I
G
= -1A
V
GS
=0
I
D
=1mA
(注2 )
(注1 )
f=1kHz
饱和漏电流
栅电流
共源转发
跨
共源输出
导
共源输入
电容
共源反向
传输电容
相当于短路输入
噪声电压
--
--
--
--
150
--
--
--
--
--
--
--
200
--
--
--
--
--
--
--
200
--
pF
--
--
nV√Hz
f=1kHz
V
DS
=15V
V
GS
=0
f=1MHz
注1 :
大约增加一倍,每增加10°C T中
A
.
注2 :
脉冲测试持续时间= 2ms的。
线性集成系统
4042帆船CT,弗里蒙特,CA 94538电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
N沟道JFET
公司
J210 - J212 / SSTJ210 - SSTJ212
特点
描述
在J210系列是一个N沟道JFET的单个设备
封装在TO-92塑料封装非常适用于
自动化装配。该器件具有低泄漏,
通常在2 pA的,噪音低,在10纳米伏元
万赫兹10赫兹和高增益。该系列产品是
优秀的混频器,振荡器和放大器应用。
订购信息
部分
J210-11
SSTJ210-11
包
塑料TO- 92封装
塑料SOT- 23
温度范围
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
低噪音
低漏
高功率增益
一般通用放大器
VHF / UHF放大器
调音台
振荡器
应用
引脚配置
SOT-23
G
TO-92
D
S
G
S
产品标识( SOT -23 )
CJ1
1 DRAIN
2 SOURCE
3门
3
2
1
SSTJ210
SSTJ211
SSTJ212
Z10
Z11
Z12
底部视图
J210 - J212 / SSTJ210 - SSTJ212
公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数/测试条件
栅 - 漏电压
栅源电压
栅电流
功耗
功率降额
工作结温
储存温度
焊接温度( 16"分之1案件从10秒)
符号
V
GD
V
GS
I
G
P
D
T
J
T
英镑
T
L
极限
-25
-25
10
360
3.27
-55 135
-55到150
300
单位
V
V
mA
mW
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
特性的影响
典型值
1
210
民
STATIC
V
( BR ) GSS
栅源击穿电压
V
GS (关闭
)门源截止电压
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D(关闭)
V
GS ( F)
动态
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
共源转发
跨
共源输出
导
共源输入电容
共源反向
传输电容
等效输入噪声电压
4
pF
1.5
5
纳伏/赫兹
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
4
12
150
6
12
200
7
12
200
mS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1kHz时
S
饱和漏极电流
2
-1
门反向电流
-0.5
门工作电流
排水截止电流
门源正向电压
-1
1
0.7
nA
pA
pA
V
T
A
= 125
o
C
V
DG
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= -8V
I
G
= 1mA时, V
DS
= 0V
-35
-25
-1
2
-3
15
-100
-25
-2.5
7
-4.5
20
-100
-25
V
-4
15
-6
40
-100
mA
pA
V
DS
= 15V ,我
D
= 1nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
I
G
= -1μA ,V
DS
= 0V
最大
211
民
最大
民
212
单位
最大
测试条件
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1kHz时
注: 1。对于设计辅助工具而已,不受生产测试。
2.脉冲测试; PW = 300μS ,占空比
≤
3%.
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / MMBFJ211 / MMBFJ212
J210
J211
J212
MMBFJ210
MMBFJ211
MMBFJ212
G
S
G
S
TO-92
D
SOT-23
马克: 62V / 62W / 62X
D
注:资料来源&漏
可互换
N通道射频放大器
该器件是专为HF / VHF混频器/放大器和
应用程序50是不够的。足
增益和接收灵敏度的低噪声。从采购
过程90 。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
- 25
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
5
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
J210-212
350
2.8
125
357
最大
*MMBFJ210-212
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / J211 / J212 ,版本A
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / MMBFJ211 / MMBFJ212
N通道射频放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
( BR ) GSS
I
摹S S小
V
GS ( OFF )
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= 1.0
A,
V
DS
= 0
V
的s
= 15 V, V
S
= 0
V
S
= 15 V,I
D
= 1.0 NA
210
211
212
- 25
- 100
-1.0
- 2.5
- 4.0
-3.0
- 4.5
- 6.0
V
pA
V
V
V
基本特征
I
S S小
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0
210
211
212
2.0
7.0
15
15
20
40
mA
mA
mA
小信号特性
g
fs
常见的来源前进
跨
V
S
= 15 V, V
的s
= 0中,f = 1.0千赫
210
211
212
V
S
= 15 V, V
的s
= 0中,f = 1.0千赫
4000
6000
7000
12,000
12,000
12,000
200
μmhos
μmhos
μmhos
μmhos
g
OSS
共源输出
导
*
脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
S
典型特征
参数相互作用
常见的漏源
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / MMBFJ211 / MMBFJ212
N通道射频放大器
(续)
典型特征
(续)
传输特性
传输特性
漏电流与电压
噪声电压与频率的关系
5
跨导主场迎战
漏电流
输出电导
与漏电流
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / MMBFJ211 / MMBFJ212
N通道射频放大器
(续)
典型特征
(续)
电容 - 电压
常见源特性
输入导纳
OS )
正向纳
输出导纳
反向纳
J210 / J211 / J212 / MMBFJ210 / MMBFJ211 / MMBFJ212
N通道射频放大器
(续)
共栅极特性
输入导纳
正向纳
输出导纳
反向纳
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
特点
高速开关
漏极和源极连接的互换性
高阻抗。
应用
模拟开关
砍砸器,多路复用器和换向器
音频放大器。
描述
在一个N沟道对称的结型场效应晶体管
TO-92 ( SOT54 )封装。
小心
此产品是在防静电包装供应,以防止
期间因静电放电损坏
运输和处理。欲了解更多信息,请参阅
飞利浦规格: SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和
SNW-FQ-302B.
标记代码:
J210: J210.
J211: J211.
J212: J212.
手册, halfpage
2
J210; J211; J212
钉扎 - TO- 92 ( SOT54 )
针
1
2
3
符号
g
s
d
门
来源
漏
描述
1
3
g
MAM197
d
s
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSoff
参数
漏源电压
栅极 - 源极截止电压
J210
J211
J212
I
DSS
漏电流
J210
J211
J212
P
合计
y
fs
总功耗
共源转移导纳
J210
J211
J212
T
AMB
≤
50
°C
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
4
6
7
12
12
12
mS
mS
mS
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
2
7
15
15
20
40
400
mA
mA
mA
mW
I
D
= 1 nA的; V
DS
= 15 V
1
2.5
4
3
4.5
6
V
V
V
条件
分钟。
马克斯。
±25
单位
V
1997年12月1日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道音响场效晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
V
GSO
V
DGO
I
G
P
合计
T
英镑
T
j
记
参数
漏源电压
栅源电压
漏极 - 栅极电压
正向栅极电流(DC)的
总功耗
储存温度
工作结温
T
AMB
≤
50
°C;
注意1 ;见图13
漏极开路
开源
条件
65
J210; J211; J212
分钟。
马克斯。
±25
25
25
10
400
150
150
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板,最大引线长度为4毫米;安装焊盘的漏极引线10毫米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板,最大引线长度为4毫米;安装焊盘的漏极引线10毫米
2
.
参数
从结点到环境的热阻;注1
价值
250
单位
K / W
1997年12月1日
3
J210, J211, J212
线性集成系统
低噪声N沟道J- FET
通用扩增fi er
TO-92
特点
高增益g
fs
= 7000
姆欧最小值( J211 , J212 )
高输入阻抗I
GSS
=为100pA最大
低输入电容C
国际空间站
= 5pF的典型
绝对最大额定值
@ 25 ℃(除非另有说明)
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压
栅电流
器件总功耗@ 25 ° C环境
(减免3.27毫瓦/ ° C)
工作温度范围
G
S
塑料
TO-92
D
G
S
-25V
10mA
360mW
-55 ° C至+ 135°C的
G
S
D
底部视图
电气特性@ 25
°
℃(除非另有说明)
符号特性
J210
J211
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
I
GSS
V
GS ( OFF )
BV
GSS
I
DSS
I
G
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
门反向电流
栅源截止电压
栅源击穿电压
--
-1
-25
2
--
4,000
--
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-100
-3
--
15
--
12,000
--
-2.5
-25
7
--
6,000
--
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-100
-4.5
--
20
--
12,000
J212
单位条件
最小典型最大
--
--
-100
pA
V
DS
=
0
V
GS
= -15V
(注1 )
-4
-25
15
--
7,000
--
--
--
-10
--
--
4
1
10
-6
--
40
--
12,000
V
mA
pA
μmho
V
DS
=15V
V
DS
=0
V
DS
=15V
V
DS
=10V
I
D
=1nA
I
G
= -1A
V
GS
=0
I
D
=1mA
(注2 )
(注1 )
f=1kHz
饱和漏电流
栅电流
共源转发
跨
共源输出
导
共源输入
电容
共源反向
传输电容
相当于短路输入
噪声电压
--
--
--
--
150
--
--
--
--
--
--
--
200
--
--
--
--
--
--
--
200
--
pF
--
--
nV√Hz
f=1kHz
V
DS
=15V
V
GS
=0
f=1MHz
注1 :
大约增加一倍,每增加10°C T中
A
.
注2 :
脉冲测试持续时间= 2ms的。
线性集成系统
4042帆船CT,弗里蒙特,CA 94538电话: ( 510 ) 490-9160 传真: ( 510 ) 353-0261
J212
N沟道JFET
线性系统的替代停产的Siliconix J212
在J212是一个n沟道JFET的通用
放大器,具有低噪音,低泄漏。
采用SOT -23封装,非常适合对成本敏感的
应用程序和大量生产。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXJ212
高增益
g
fs
=7000mhoMIN
高输入阻抗
I
GSS
=100pAmax
低输入电容
C
ISS =
=5pF
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
‐55°Cto+150°C
高增益
工作结温
‐55°Cto+135°C
低漏
最大功率耗散
低噪音
连续功率耗散
360mW
J212应用范围:
降额过温
3.27mW/°C
一般通用放大器
最大电流
UHV / VHF放大器
GateCurrent(Note1)
10mA
调音台
最大电压不
振荡器
栅漏电压或门源电压
‐25V
J212ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐25
‐‐
‐‐
V
V
DS
=0V,I
G
=‐1A
V
GS ( OFF )
门源截止电压
‐4
‐‐
‐6
V
DS
=15V,I
D
=1nA
I
DSS
DraintoSourceSaturationCurrent(Note2)
15
‐‐
40
mA
V
DS
=15V,V
GS
=0V
I
GSS
GateReverseCurrent(Note3)
‐‐
‐‐
‐100
pA
V
DS
=0V,V
GS
=‐15V
I
G
GateOperatingCurrent(Note3)
‐‐
‐10
‐‐
pA
V
DS
=10V,I
D
=1mA
r
DS ( ON)
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
50
Ω
I
G
=1mA,V
DS
=0V
J212DYNAMICELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
g
fs
正向跨导
7000
‐‐
12000
μmho
V
DS
=15V,V
GS
=0V,f=1kHz
g
os
输出电导
‐‐
‐‐
200
C
国际空间站
输入电容
‐‐
4
‐‐
pF
V
DS
=15V,V
GS
=0V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
1
‐‐
e
n
等效噪声电压
‐‐
10
‐‐
内华达州/ √Hz的
V
DS
=15V,V
GS
=0V,f=1kHz
J212SWITCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
J212优点:
点击购买
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
2
2
6
15
ns
V
DD
=10V
V
GS
(H)=0V
见开关电路
可用的软件包:
J212采用SOT -23
J212裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
SOT- 23 (顶视图)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
注1 - 绝对最大额定值的限制值,超过该J212适用性可能受到损害。
Note2‐Pulsetestduration=2ms
Note3–Approximatelydoublesforevery10
℃,增加T中
A
Micross组件欧洲
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
chipcomponents@micross.com
网址:
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司,英国,电话: +44 1603 788967 ,传真: +44 1603788920 ,邮箱:
chipcomponents@micross.com
网址:
www.micross.com/distribution.aspx